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模拟电源

P & N通道40 -V （D -S ）的MOSFET

这些微型表面贴装MOSFET采用一

高密度沟槽工艺，以提供低

DS （ ON）

并且，以确保最小的功率损失和发热

耗散。典型的应用是DC- DC

转换器和电源管理在便携式和

电池供电的产品，如计算机，

打印机， PCMCIA卡，蜂窝和无绳

电话。

低R

DS （ ON）

提供了更高的效率和

延长电池寿命

低热阻抗的铜引线框架

SOIC - 8可节省电路板空间

开关速度快

高性能沟道技术

AM4542C

产品概述

(V)

DS （ ON）

m()

-40

27 @ V

= 4.5V

22 @ V

= 10V

40 @ V

= -4.5V

30 @ V

= -10V

(A)

7.3

8.3

-6.2

-7.6

绝对最大额定值（T

= 25°C除非另有说明）

符号N沟道P沟道单位

参数

-40

漏源电压

-20

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

=25 C

=70 C

, T

英镑

8.3

6.8

±50

2.3

2.1

1.3

-7.6

-6.3

±50

-2.1

2.1

1.3

连续源电流（二极管传导）

功耗

=25 C

=70 C

工作结存储温度范围

-55到150

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

符号

θJA

最大

62.5

110

单位

吨< = 10秒

稳态

C / W

笔记

表面装在1 “×1” FR4板。

脉冲宽度有限的最高结温

初步

出版订单号：

DS-AM4542_D

模拟电源

规格（T

= 25

C除非另有说明）

参数

STATIC

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

AM4542C

符号

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

测试条件

= V

, I

= 250微安

= V

, I

= -250微安

= -20 V, V

= 0 V

= 20 V, V

= 0 V

= -32 V, V

= 0 V

= 32 V, V

= 0 V

= 5 V, V

= 10 V

= -5 V, V

= -10 V

= 10 V，I

= 8.3 A

= 4.5 V，I

= 7.3 A

= -10 V，I

= -7.6 A

= -4.5 V，I

= -6.2 A

= 15 V，I

= 8.3 A

= -15 V，I

= -7.6 A

范围

最小值典型值

-1

1.5

-1.4

12nA

2nA

最大单位

-3

±100

-1

-50

3.3

5.8

4.5

1317

1583

272

278

169

183

漏源导通电阻

转发Tranconductance

DS （ ON）

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

N沟道

=15V, V

= 4.5V ，我

=8.3A

P沟道

=-15V, V

= -4.5V ，我

=-7.6A

3000

4000

600

400

200

100

N沟道

=15V, V

= 0V ， F = 1MHz的

P沟道

=-15V, V

= 0V ， F = 1MHz的

N-二Chaneel

=15V, V

= 10V ，我

=1A ,

根

=25,

P沟道

=-15V, V

= -10V ，我

=-1A

根

=15

笔记

脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％。

通过设计保证，不受生产测试。

模拟电源

（ APL ）保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APL不作任何保证，声明

或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不APL承担因应用程序的任何责任或

使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带

损害赔偿。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和

实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证

客户的技术专家。 APL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 APL产品不是设计，

意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或

维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。

如果买方购买或使用产品的APL任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有联合地产及其

管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师

即使这样产生出来的，直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，费用

索赔称， APL有关部分的设计或制造疏忽造成的。 APL是一个机会均等/肯定行动雇主。

初步

出版订单号：

DS-AM4542_D

模拟电源

AM4542C

典型电气特性（ N沟道）

通过10V 4.5V

3.5V

漏电流（ A）

0.5

1.5

2.5

3.5

门源电压（ V）

(V)

输出特性

2200

传输特性

2000

1800

0.04

0.035

西塞

（ON）电阻（

)

0.03

4.5V

0.025

0.02

0.015

0.01

0.005

电容（pF）

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

科斯

10V

CRS

漏电流（ A）

导通电阻与漏极电流

，总栅极电荷（ NC）

= 15V

= 1

(V)

电容

1.8

= 10V

DS （ ON）

- 导通电阻（ OHM ）

（归一化）

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

-50

-25

100

- 结温（ C）

125

150

(V)

栅极电荷

导通电阻与结温

初步

出版订单号：

DS-AM4542_D

模拟电源

AM4542C

典型电气特性（ N沟道）

0.02

100

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

- 源极到漏极电压（V ）

1.2

= 125

0.019

Id=10A

（ON）电阻（Ω）

0.018

0.017

0.016

0.015

0.014

0.013

0.012

0.011

0.01

- 源电流（ A）

门源电压（ V）

源极 - 漏极二极管正向电压

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

4.7

4.5

4.3

GS （ TH）

方差（ V）

4.1

3.9

3.7

3.5

3.3

3.1

2.9

2.7

-50

-25

导通电阻与栅极至源极电压

单脉冲

RqJA = 125℃ / W

TA = 25℃

= 250A

0.001

0.01

0.1

t1时，时间（秒）

100

125

150

100

- 温度（℃ ）

阈值电压

图10.单脉冲最大功率耗散

归热瞬态结到环境

D = 0.5

0.2

0.1

0.0

0.02

0.01

S英格尔P ULS ê

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T1 ， TIM E（发E C）

100

1000

P （P K）

- T

= P * RQ

A（ T）

占空比D = T1 / T2

（ T） = R（T ） + RQ J A

RQ J A = 1 2 5

C / W

图11.瞬态热响应曲线

初步

出版订单号：

DS-AM4542_D

模拟电源

AM4542C

典型电气特性（ P沟道）

6V至10V

4.5V

漏电流（ A）

25C

3.5V

0.5

1.5

2.5

3.5

(V)

门源电压（ V）

输出特性

2400

传输特性

2200

2000

1800

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

0.1

0.09

4.5V

西塞

（ON）电阻（

)

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

电容（pF）

0.08

10V

科斯

CRS

漏电流（ A）

在电阻与栅极电压的电压

= 10V

= 10A

(V)

电容

1.6

1.5

DS （ ON）

- 导通电阻（ OHM ）

（归一化）

1.4

1.3

1.2

1.1

= - 10V

QG ，总栅极电荷（ NC）

(V)

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

-25

100

125

150

- 结温（ C）

栅极电荷

导通电阻与结温

初步

出版订单号：

DS-AM4542_D