【模拟电源AM4541C & P通道40 -V （D -S ）的MOSFET主要特点：低RDS】,IC型号AM4541C,AM4541C PDF资料,AM4541C经销商,ic,电子元器件-51电子网

模拟电源

AM4541C

& P通道40 -V （D -S ）的MOSFET

主要特点：

低R

DS （ ON）

沟槽技术

低热阻

开关速度快

典型应用：

白光LED升压转换器

- 汽车系统

工业DC / DC转换电路

产品概述

DS （ ON）

(mΩ)

(V)

42 @ V

= 10V

60 @ V

= 4.5V

90 @ V

= -10V

-40

125 @ V

= -4.5V

(A)

5.8

4.8

-3.9

-3.4

绝对最大额定值（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

符号N沟道P沟道限限制

漏源电压

-40

栅源电压

±20

=25°C

5.8

-3.9

连续漏电流

=70°C

4.5

-3.1

漏电流脉冲

-20

2.6

-2.5

连续源电流（二极管传导）

=25°C

2.1

功耗

=70°C

1.3

, T

英镑

工作结存储温度范围

-55到150

单位

°C

最大结点到环境

热电阻额定值

参数

吨< = 10秒

稳定状态

符号最大

62.5

θJA

110

单位

° C / W

笔记

表面装在1 “×1” FR4板。

脉冲宽度有限的最高结温

初步=

出版订单号：

DS_AM4541C_1A

模拟电源

电气特性

参数

符号

测试条件

STATIC

= V

, I

= 250微安

（ N沟道）

= V

, I

= -250微安

（P- CH）

= 0 V, V

= ±20 V

= 32 V, V

= 0 V

（ N沟道）

= -32 V, V

= 0 V

（P- CH）

= 5 V, V

= 10 V

（ N沟道）

= -5 V, V

= -10 V

（P- CH）

= 10 V，I

= 5.3 A

（ N沟道）

= 4.5 V，I

= 4.4 A

（ N沟道）

= -10V ，我

= -3.6 A

（P- CH）

= -4.5 V，I

= -2.6 A

（P- CH）

= 15 V，I

= 5.3 A

（ N沟道）

= -15 V，I

= -3.6 A

（P- CH）

= 1.3 A，V

= 0 V

（ N沟道）

= -1.2 A，V

= 0 V

（P- CH）

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

N - 通道

= 20 V, V

= 10 V，I

= 5.3 A

N - 通道

= 20 V ，R

= 3.5 Ω, I

= 5.3 A,

根

= 10 V ，R

根

= 6 Ω

N - 通道

= 15 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

P - 通道

= -20 V, V

= -10 V，I

= -3.6 A

P - 通道

= -20 V ，R

= 5.5 Ω, I

= -3.6 A,

根

= -10 V ，R

根

= 6 Ω

P - 通道

= -15 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

3.6

1.3

1.4

287

5.8

1.6

2.3

384

民

-1

典型值

AM4541C

最大

单位

门源阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

±100

-1

-10

125

0.77

-0.81

mΩ

漏源导通电阻

DS （ ON）

正向跨导

二极管的正向电压

初步=

出版订单号：

DS_AM4541C_1A

模拟电源

典型电气特性 - N沟道

0.15

RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）

TJ = 25°C

0.1

3.5V

ID - 漏电流（ A）

AM4541C

0.05

4V,4.5V,6V,8V,10V

ID-漏电流（ A）

VGS - 栅极至源极电压（V ）

1.导通电阻与漏电流

0.3

TJ = 25°C

= 5.3A

RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）

IS - 源电流（ A）

2.传输特性

TJ = 25°C

0.2

0.1

VGS - 栅极至源极电压（V ）

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

VSD - 源极到漏极电压（V ）

3.导通电阻与栅极至源极电压

10V,8V,6V,4.5V,4V

ID - 漏电流（ A）

3.5V

电容（pF）

400

500

4.漏 - 源正向电压

F = 1MHz的

西塞

300

200

100

科斯

CRSS

0.2

0.4

0.6

0.8

VDS - 漏极至源极电压（V ）

VDS漏 - 源极电压（ V）

5.输出特性

初步=

6.电容

出版订单号：

DS_AM4541C_1A

模拟电源

典型电气特性 - N沟道

VGS栅 - 源极电压（ V）

RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）

（归一化）

= 20V

= 5.3A

AM4541C

1.5

0.5

QG - 总栅极电荷（ NC）

TJ -JunctionTemperature （ ° C）

-50

-25

100

125

150

7.栅极电荷

100

瞬态峰值功率（ W）

10我们

8.归一化导通电阻VS

结温

0.001

ID电流（A ）

100美

1毫秒

10毫秒

100毫秒

1秒

10秒

100秒

0.1

100

IDM限制

受

RDS

0.01

1000

VDS漏极至源极电压（ V）

0.01

0.1

100

1000

T1时间（秒）

9.安全工作区

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

10.单脉冲最大功率耗散

θJA

（吨） = R（T） + R

θJA

= 110 ° C / W

P（ PK）

0.01

- T

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

/ t

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T1时间（秒）

100

1000

11.归热瞬态结到环境

初步=

出版订单号：

DS_AM4541C_1A

模拟电源

典型电气特性 - P沟道

0.3

TJ = 25°C

0.2

3.5V

0.1

4.5V,6V,8V,10V

ID - 漏电流（ A）

AM4541C

RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）

ID-漏电流（ A）

VGS - 栅极至源极电压（V ）

1.导通电阻与漏电流

0.8

RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）

TJ = 25°C

= -3.6A

IS - 源电流（ A）

0.6

2.传输特性

TJ = 25°C

0.4

0.1

0.2

VGS - 栅极至源极电压（V ）

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

VSD - 源极到漏极电压（V ）

3.导通电阻与栅极至源极电压

10V,8V,6V,4.5V,4V

ID - 漏电流（ A）

电容（pF）

400

300

200

100

0.2

0.4

0.6

VDS - 漏极至源极电压（V ）

3.5V

600

4.漏 - 源正向电压

F = 1MHz的

500

西塞

科斯

CRSS

VDS漏 - 源极电压（ V）

5.输出特性

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全新原装现货特价销售！

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AM4541C

ANALOGPOWER

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26000

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上海原装现货库存，欢迎咨询合作

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联系人：夏小姐/朱先生

地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514

AM4541C

ANALOGPOW

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32000

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