模拟电源
P & N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺，以提供低
r
DS （ ON）
并且，以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，
打印机， PCMCIA卡，蜂窝和无绳
电话。
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
SOIC - 8可节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
S
1
G
1
1
2
3
4
AM4502CE
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
m()
30
-30
20 @ V
GS
= 4.5V
16 @ V
GS
= 10V
33 @ V
GS
= -4.5V
23 @ V
GS
= -10V
I
D
(A)
8.4
10.0
-6.8
-8.5
SOIC-8
顶视图
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
D
1
S
2
G
2
D
2
P沟道MOSFET
ESD保护
2000V
S
2
G
2
S
1
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
符号N沟道P沟道单位
漏源电压
V
DS
30
-30
V
栅源电压
20
-25
V
GS
连续漏电流
漏电流脉冲
b
a
o
o
a
o
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10
8.1
±50
2.3
2.1
1.3
-8.5
-6.8
±50
-2.1
2.1
1.3
-55到150
A
W
o
A
连续源电流（二极管传导）
功耗
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
工作结存储温度范围
C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
符号
吨< = 10秒
稳定状态
R
θJA
最大
62.5
110
单位
o
C / W
o
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
出版订单号：
DS-AM4502CE_A
模拟电源
AM4502CE
规格（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
漏源导通电阻
A
转发Tranconductance
A
脉冲源电流（体二极管）
A
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
I
SM
V
GS
= 0 V，I
D
= 250微安
V
GS
= 0 V，I
D
= -250微安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250微安
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250微安
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
DS
= -5 V, V
GS
= -10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8.4 A
V
GS
= -10 V，I
D
= -8.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -6.8 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
V
DS
= -15 V，I
D
= -9.5 A
o
符号
测试条件
范围
CH最小值典型值
N
P
N
P
P
N
P
N
N
P
N
P
N
P
40
31
30
-30
1
-1
最大单位
V
V
±10
±10
-1
1
uA
uA
A
20
-50
16
20
23
33
m
S
A
5
N
P
N
P
N
P
12
13
3.3
5.8
4.5
12
20
15
9
16
70
62
20
46
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
N沟道
V
DS
=15V, V
GS
= 4.5V ，我
D
=10A
P沟道
V
DS
=-15V, V
GS
= -4.5V ，我
D
=-10A
nC
开关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
笔记
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
N-二Chaneel
V
DD
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=1A ,
R
GE
=25,
P沟道
V
DD
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-1A
R
根
=15
N
P
N
P
N
P
N
P
nS
a.
b.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
通过设计保证，不受生产测试。
模拟电源
（ APL ）保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APL不作任何保证，声明
或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不APL承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带
损害赔偿。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
客户的技术专家。 APL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 APL产品不是设计，
意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或
维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。
如果买方购买或使用产品的APL任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有联合地产及其
管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师
即使这样产生出来的，直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，费用
索赔称， APL有关部分的设计或制造疏忽造成的。 APL是一个机会均等/肯定行动雇主。
2
初步
出版订单号：
DS-AM4502CE_A
模拟电源
AM4502CE
典型电气特性（ P沟道）
50
4 .5 V
0 .0 4
RDS（ON）电阻（Ω）
IDS漏电流（ A）
40
5 V
THR ough
10 V
4V
30
0 .0 3 2
V
GS
=4.5V
0 .0 2 4
V
GS
=10V
0 .0 16
20
3 .5
10
3
0 .0 0 8
0
0
0 .5
1
1.5
2
2 .5
3
3 .5
4
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
(V)
图1.区域特征
I
D
漏电流（ A）
图2.导通电阻与漏电流
1.6
0 .0 6
归一化
DS
（上）
电阻（
)
R
25
50
75
100
125
150
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
V
GS
= 10 V
I
D
= 8 .5A
0 .0 5
0 .0 4
0 .0 3
0 .0 2
0 .0 1
0
-25
0
0
2
4
6
8
10
T
J
uncatio 温度erature （ C）
V
GS
门源电压（ V）
图4.导通电阻变化与
栅极至源极电压
图3.导通电阻随温度的变化
60
50
V
D
=V
G
-55C
25C
100
I
D
漏电流（ A）
40
30
我源电流（ A）
10
125C
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
GA TE为S 0 URC ê武LTA GE （ V）
T
J
= 150
C
1
T
J
= 25C
0 .1
0
0 .2
0 .4
0 .6
0 .8
1
1 .2
V
S.D。
源极到漏极电压（ V）
图5.传输特性
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
3
初步
出版订单号：
DS-AM4502CE_A
模拟电源
AM4502CE
典型电气特性（ N沟道）
ID ，漏电流（ A）
V
GS
= 10V
6.0V
4.0V
40
30
20
RDS （ ON ） ，归一化
漏源导通电阻
50
2
1.7
1.4
1.1
0.8
0.5
0
10
20
30
40
50
4.5V
6.0V
10V
3.0V
10
0
0
0.5
1
1.5
2
VDS ，漏极 - 源极电压（ V）
ID ，漏电流（ A）
图1.区域特征
1.6
图2.导通电阻与漏电流
1.4
V
GS
= 10V
I
D
= 10A
0.05
I
D
= 10A
归一化R（上）
DS
1.2
RDS （ ON ） ，导通电阻
（ OHM ）
0.04
0.03
0.02
1.0
0 .8
T
A
= 25 C
0.01
0
2
4
6
8
10
o
0 .6
-50
-2 5
0
25
50
75
10 0
12 5
150
T
J
Juncat离子牛逼emperature （ C）
VGS ，门源电压（ V）
图3.导通电阻随温度的变化
图4.导通电阻变化与
栅极至源极电压
60
V
D
=5V
50
-55C
正，反转漏电流（ A）
100
V
GS
= 0V
10
I
D
漏电流（ A）
25C
40
30
125C
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
GA TE为S 0 URC ê武LTA GE （ V）
1
T
A
= 125 C
o
0.1
25 C
o
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
室间隔缺损，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
5
初步
出版订单号：
DS-AM4502CE_A
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