Am42BDS6408H
数据表
2003年7月
下列文件规定，现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范，这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果，并且将记录在
文档修订概要，其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现，
和变化，都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
30491
调整
A
修订
+3
发行日期
2003年10月23日
超前信息
Am42BDS6408H
Am29BDS640H 64兆位（4M ×16位）
堆叠式多芯片封装（ MCP ）闪存和SRAM
CMOS 1.8伏只同步读/写，突发模式闪存
内存和8兆位（ 512K的×16位） SRAM
FLASH特色鲜明
架构优势
■
单1.8伏读取，编程和擦除（ 1.65 1.95
伏）
■
在0.13微米制程技术制造的
■
VersatileIO （V
IO
）功能
- 设备产生的数据的输出电压，并且能够忍耐
数据的输入电压由所述电压测定
在V
IO
针
- 1.8V兼容I / O信号
- 联系工厂1.5V兼容I可用性/ O
信号的
■
同时读/写操作
性能退化特征
■
读取访问时间在五十四分之六十六兆赫（C
L
= 30 pF的）
- 11 / 13.5纳秒的工业突发访问时间
温度范围
- 同步的56/69 ns的延迟
- 的45/50/55纳秒异步随机存取时间
■
功耗（典型值，C
L
= 30 pF的）
- 突发模式阅读： 10毫安
- 同步操作： 25毫安
- 编程/擦除： 15毫安
- 待机模式： 0.2 μA
- 数据可以不断地从一家银行，而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
- 四银行体系： 8MB / 24MB / 24MB / 8Mb的
■
可编程突发接口
硬件特性
■
握手功能
- 提供主机系统以最小的可能的延迟
通过监控RDY
- 减少等待状态握手选项进一步
减少了所需的脉冲串的初始访问周期
访问开始于偶地址
■
硬件复位输入（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来重置设备读取阵列
数据
■
WP ＃输入
- 写保护（ WP ＃ ）功能可保护
4最高和最低的4 4千字引导扇区，
无论部门保护状态
■
持久扇区保护
- 一个命令扇区保护方法来锁定
个别部门和行业团体的组合
防止程序或内擦除操作
扇形
- 扇区可以被锁定并且在V解锁的系统内
CC
水平
■
密码扇区保护
- 一个成熟的行业保护方法来锁定
个别部门和行业团体的组合
防止程序或内擦除操作
使用一个用户定义的64位密码扇区
■
ACC输入：加速功能降低
编程时间;各界锁定时， ACC =
V
IL
- 2模式的突发读操作
- 线性突发： 8 ， 16 ，和32个字与
环绕
- 连续顺序突发
■
SecSi
TM
（安全硅）扇形区域
- 最多可以访问128字通过一个命令
顺序
- 最多64个工厂锁定的话
- 最多64个客户，可锁定的话
■
部门架构
- 16个4千字部门和126
32千字行业
- 银行A和D分别包含8个4千字行业
和15 32千字部门;银行B和C各
含有48 32千字行业
- 16个4千字引导扇区：八点的顶部
在该地址处的底部的地址范围和八个
范围
■
每个部门最少百万擦除周期保证
■
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
■
89球FBGA封装
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。本产品无需联系厂家不要设计。 AMD重新
用来对这个提议的产品更改或停止工作，恕不另行通知。
出版＃
30491
启：
A
修正： 3
发行日期：
2003年10月23日
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
■
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
■
突发暂停/恢复
- 挂起一阵操作，让系统使用
地址和数据总线，比重新开始脉冲串的
以前的状态
■
CMOS兼容输入， CMOS兼容输出
■
低V
CC
写禁止
软件特点
■
支持通用闪存接口（ CFI ）
■
软件指令集兼容JEDEC 42.4
标准
- 与Am29F和Am29LV向后兼容
族
■
数据＃查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法和
擦除操作完成
■
擦除挂起/恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
程序的数据，一个没有被擦除扇区，
然后恢复擦除操作
SRAM特点
■
功耗
- 工作10 mA典型
- 待机： 2
A
■
■
■
■
CE1S ＃和CE2片选
使用CE1S ＃和CE2s关机功能
数据保持电源电压： 1.0 2.2伏
字节的数据控制： LB ＃ （ DQ7 - DQ0 ） ， UB ＃ S（ DQ15 - DQ8 ）
2
Am42BDS6408H
2003年10月23日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该Am29BDS640H是64兆， 1.8伏只，同时
读/写，突发模式闪存设备，组织成
4194304字，每行16位。这个装置使用一个单一的
V
CC
1.65 1.95 V至读取，编程和擦除的MEM
储器阵列。 12.0伏V
HH
关于ACC可以用于更快
程序的性能，如果需要的。
在66兆赫，该装置提供的11纳秒，在30突发访问
pF的为56纳秒，在30 pF.At 54兆赫的等待时间，该设备
提供13.5 ns的30 pF的突发访问与等待时间
69ns 30 pF的。该设备的工业温范围内运行
温度范围内的-40 ° C至+ 85°C 。该器件采用
64球FBGA封装。
同时读/写架构提供
simul-
taneous操作
通过将存储空间分成四个
银行。该装置可提高整个系统的性能
通过允许主机系统编程或擦除在一个银行
然后立即和同时从另一个读
银行，零延迟。这将释放系统从状态等待
荷兰国际集团为完成编程或擦除操作。
该装置被划分为列于下表中：
银行
A
15
B
C
D
8
4 K字
48
48
15
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
QUANTITY
8
SIZE
4 K字
所需的编程和擦除礼服和数据
操作。读数据从装置的类似于阅读 -
荷兰国际集团与其他Flash或EPROM器件。
该
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户把擦除搁置任何一段时间内读取数据
从或程序没有被选择的数据相关，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。如果一个
读取从SecSi部门区域（一次性亲需要
克面积）后的擦除暂停，则用户必须使用
适当的命令序列以进入和退出该区域。
该
硬件RESET ＃引脚
终止在任何操作
进步和内部状态机复位到读
阵列的数据。在RESET ＃引脚可以连接到系统复位
电路。系统复位将因此还重新设置设备，
使系统微处理器读取启动时固件内
洁具从闪存设备。
主机系统可以检测是否编程或擦除OP-
关合作完成使用设备状态位DQ7
（数据＃投票）和DQ6 / DQ2 （触发位） 。一个程序后，
或擦除周期已经自动完成，设备
返回到读出阵列的数据。
该
扇区擦除架构
允许存储扇区是
擦除和重新编程，而不影响数据CON-
其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作期间
电源转换。该器件还提供了两种类型的数据
在保护区一级。当在V
IL
,
WP ＃
锁定
4最高和最低的4引导扇区。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定一段指定的时间，所述量
器件进入
自动休眠模式。
该系统可
同时将设备插入
待机模式。
功率变
消耗是在两种模式下大大降低。
AMD的闪存技术，结合多年的闪存
制造经验，生产的最高水平
质量，可靠性和成本效益。该器件electri-
通过美云擦除一个扇区内的所有位同时进行
福勒- Nordheim隧穿。该数据是使用编程
热电子注入。
该VersatileIO （V
IO
）控制允许主机系统设置
的电压电平，该装置产生在其数据输出
看跌期权和电压耐受在其数据输入端为相同的
被断言在V的电压电平
IO
引脚。
该设备采用芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ） ，
地址有效（ AVD ＃）和输出使能（ OE ＃ ）控制
异步读，写操作。对于突发操作
系统蒸发散，该装置还需要准备好（ RDY ）和
时钟（CLK） 。这种实现可轻松实现与
最小的胶合逻辑以广泛的微处理器/微
控制器，用于高性能的读操作。
突发读取模式功能使系统设计人员使用灵活
两者均在接口设备。用户可以预设
脉冲串的长度和包裹通过相同的内存空间，或
读在连续模式中的闪存阵列。
时钟极性功能提供系统设计师一个
选择的时钟边沿，无论是上升或下降。在AC-
略去时钟边沿启动突发访问，并确定
当数据将被输出。
该设备完全指令集的兼容
42.4 JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要写入到命令寄存器使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为IN-
投入到内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存器AD-
2003年10月23日
Am42BDS6408H
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