Am41PDS3224D

数据表

-XO \\ ????

7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG

0LFUR设备SNMP DQG ） XMLWVX ？ $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ？

LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ？ WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG

） XMLWVX ？

规格连续性

7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ？ $ Q \\

FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH

GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ？ ZKHUH VXSSRUWHG ？ ） XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ？

DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ？

订购零件编号的连续性

0美元“ DQG ） XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P' DQG 0 ％ 0' ？ 7R RUGHU

WKHVH SURGXFWV ？ SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ？

欲了解更多信息

3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ） XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ

PHPRU \\ VROXWLRQV ？

公开号

26085

调整

A

修订

+1

发行日期

2003年5月13日

初步

Am41PDS3224D

堆叠式多芯片封装（ MCP ）闪存和SRAM

Am29PDS322D 32兆位（2M ×16位） CMOS 1.8伏只，同时操作

页模式闪存和4兆位（ 512K的×8位/ 256千×16位）静态RAM

特色鲜明

MCP特点

■

的1.8至2.2伏的电源电压

■

高性能

- 存取时间快100 ns的闪存， 70纳秒SRAM

—

—

—

—

在10 MHz的初始页面24毫安有效的读电流读

0.5毫安有效的读电流频率为10 MHz的内部页面阅读

在20 MHz时为内页1毫安有效的读电流读

200 nA的待机或自动睡眠模式

■

包

- 73球FBGA

■

每个扇区保证至少1百万次写周期

■

20年的数据保存在125°C

- 可靠运行的系统的寿命

■

工作温度

= -40 ° C至+ 85°C

软件特点

■

数据管理软件（ DMS ）

- AMD公司提供的软件管理数据编程，

使EEPROM仿真

- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性

FLASH内存功能

架构优势

■

同时读/写操作

- 数据可以不断地从一家银行，而读

执行擦除/编程功能的其他银行。

读取和写入操作之间的零延迟

■

擦除暂停/删除恢复

■

数据＃查询和翻转位

■

解锁绕道程序命令

- 发出多个时，降低了总体规划的时间

程序的命令序列

■

页面模式操作

- 4字页允许快速异步读取

■

双行架构

- 一个4兆的银行和一个28兆的银行

硬件特性

■

任何部门的结合可以被删除

■

就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）

■

硬件复位引脚（ RESET ＃ ）

■

WP ＃ / ACC输入引脚

- 写保护（ WP ＃ ）功能可保护2

最外层的引导扇区，无论部门保护状态，

- 加速度（ ACC ）功能，加快项目进度

■

SecSi （安全硅）行业：额外64 KB扇区

—

工厂锁定和识别：

16字节的电子序列

适用于工厂安全的，随机的ID号;可验证

作为工厂通过锁定功能自动选择。 ExpressFlash

选项使整个行业可以供

工厂数据保护

—

客户可锁定：

能被读出，编程或擦除

就像其他行业。一旦被锁定，数据不能被改变

■

扇区保护

- 硬件锁定的扇区的方法，无论是在系统或

使用编程设备，以防止任何程序或

该部门内的擦除操作

- 临时机构撤消允许更改数据

在系统保护部门

■

零功耗工作

- 先进的电源管理电路降低功耗

在非活动期间消耗几乎为零。

■

顶部或底部启动块

■

在0.23微米制程技术制造的

■

兼容JEDEC标准

- 引脚和软件与单电源兼容

闪存标准

SRAM特点

■

功耗

- 操作：2 mA典型

- 待机时： 0.5 μA典型

性能特点

■

高性能

- 在1.8 V至2.2 VV随机存取时间为100 ns

CC

■

超低功耗（典型值）

- 在1 MHz的初始页面读取2.5毫安有效的读电流

■

■

■

■

CE1S ＃和CE2s片选

使用CE1S ＃和CE2s关机功能

数据保持电源电压： 1.0 2.2伏

字节的数据控制： LB ＃ S（ DQ7 - DQ0 ） ， UB ＃ S（ DQ15 - DQ8 ）

本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息

旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作

产品，恕不另行通知。

出版＃

26085

启：

A

Amendment/+1

发行日期：

2002年5月13日

请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。

P L I M I N A R

概述

该Am29PDS322D是32兆， 1.8 V ，仅限于Flash

内存组织为16位2,097,152字

每一个。该设备被设计成要被编程

系统与标准体系1.8 V V

CC

供应量。这

evice CA呐LSO重新前卫RA毫米ED的立场ARD

EPROM编程器。

该Am29PDS322D提供了快速页面访问时间

40毫微秒为100毫微秒（随机存取时间在1.8伏至

2.2 V V

CC

） ，从而允许高速的微处理器的操作

处理机无需等待。为了消除总线conten-

和灰设备都有单独的芯片使能（ CE ），写

使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。该

页大小是4个字。

只有一个设备需要

单1.8伏电源支持

股

用于读取和写入功能。国内

产生并提供了用于调节电压

编程和擦除操作。

其他闪存部门，也可以永久地锁定自己

有代码。

DMS （数据管理软件）

允许系统

轻松利用先进的架构优势

的同时读通过允许/写产品线

清除EEPROM器件。 DMS也将使

系统软件被简化，因为其将执行所有

需要修改在文件结构中的数据的功能，

相对于单字节的修改。写或

更新一个特定数据段（一个电话号码或

的配置数据，例如）时，用户只需要

到状态这一段数据要被更新，并

其中，在更新的数据是存放在系统中。这

是anadvantagecompa重新d可SY ST emswhe重

用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪

位置，状态，逻辑到物理转换

数据到闪存装置（或存储器DE-

虎钳） ，等等。使用DMS ，用户编写的软件

并不需要与闪存接口二

正确。取而代之的是，用户的软件访问闪存

内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲

提供了此类软件，以简化系统设计和软件

洁具一体化的努力。

该器件提供了与完整的兼容性

JEDEC单电源闪存命令集

标准。

命令被写入命令

注册使用标准的微处理器写时序。

读出的数据的设备类似于阅读

其他Flash或EPROM器件。

主机系统可以检测是否一个程序或

擦除操作完成，通过使用该设备

台站

状态位：

RY / BY ＃引脚， DQ7 （数据＃投票）和

DQ6 / DQ2 （触发位） 。编程或擦除周期后，

已经完成时，该装置自动返回

为读模式。

该

扇区擦除架构

允许内存节

器进行擦除和重新编程，而不影响

其他部门的数据内容。该装置是完全

从工厂发货时被擦除。

硬件数据保护

措施包括一个低

V

CC

探测器可以自动抑制写操作

在电源转换系统蒸发散。该

硬件部门

保护

功能禁用这两个编程和擦除

在内存的部门的任何组合操作

ORY 。这可以在系统或通过编程来实现

明装。

该器件提供两种省电功能。当

地址已经稳定一段指定的量

时，器件进入

自动休眠模式。

前作系统还可以将德副进

待机模式。

功率消耗是很大的重

duced在这两种模式。

同时读/写操作与

零延迟

同时读/写架构提供

同时操作

通过将所述存储器

空间分成两个组。该装置可以整体提高

通过允许主机系统向亲系统性能

克，或立刻键和Si-擦除一家银行，然后

从其他银行multaneously读，零

潜伏期。这从等待释放系统

编程或擦除操作完成。

该装置被划分为列于下表中：

银行部门1

QUANTITY

8

7

SIZE

4 K字

56

32 K字

4兆位总

28兆位总

32 K字

银行2行业

QUANTITY

SIZE

Am29PDS322D特点

该

SecSi （安全硅）行业

是一个额外的64

K字节扇区能够被永久锁定

AMD或客户。该

SecSi标志位

（ DQ7 ）是

永久设置为1 ，如果部分是

工厂锁定，

并设置为0，如果

客户可锁定。

通过这种方式，客

Tomer的可锁定的部件不能被用于替换

工厂锁定的一部分。

工厂锁定部分提供了几个选项。该

SecSi扇区可存储一个安全的，随机的16字节

ESN （电子序列号） ，客户代码（亲

编程通过AMD的ExpressFlash服务） ，或

两者。顾客可锁定部件可利用SecSi

部门奖金的空间，读，写像任何

2

Am41PDS3224D

2002年5月13日

P L I M I N A R

目录

产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

特殊包装处理说明.................................... 7

引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

MCP设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

表1.设备总线操作-SRAM字模式下， CIO们= V

CC

10

表2.设备总线操作-SRAM字节模式， CIO们= V

SS

11

芯片擦除命令序列........................................... 24

扇区擦除命令序列........................................ 25

擦除暂停/删除恢复命令........................... 25

图5.擦除操作............................................. ................. 26

表10. Am29PDS322D命令定义........................... 27

Flash写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28

DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 28

图6.数据＃投票算法........................................... ....... 28

RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ................... 29

DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 29

图7.切换位算法............................................ ............ 29

闪存设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

对于读阵列数据要求................................... 12

阅读模式................................................ ............................. 12

随机读取（非页面模式读取） .............................. 12

页面模式读取............................................... ..................... 12

表3页字模式............................................ .................. 12

DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 30

阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 30

DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 30

DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 30

表11.写操作状态............................................ ....... 31

写命令/命令序列............................ 12

加快程序运行.......................................... 12

自选功能................................................ ........... 13

同时读/写操作零延迟....... 13

待机模式................................................ ........................ 13

自动休眠模式............................................... ............ 13

RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 13

输出禁止模式............................................... ............... 14

表4. Am29PDS322DT顶部引导扇区地址.................. 14

表5. Am29PDS322DT顶部引导SecSi扇区地址........... 15

表6. Am29PDS322DB底部引导扇区地址............ 15

Am29PDS322DB底部引导SecSi扇区地址.................... 17

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32

工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32

工业级（I ）设备............................................. ............... 32

V

CC

F / V

CC

客户供应电压............................................... .... 32

闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33

CMOS兼容................................................ .................. 33

SRAM DC和操作特性。 。 。 。 。 34

图10.我

CC1

电流与时间（显示主动和自动

休眠电流） .............................. ............................... 35

图11.典型I

CC1

与频率............................................ 35

测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36

图12.测试设置............................................. ....................... 36

表12.测试规范............................................. ............ 36

自选模式................................................ ..................... 17

部门/部门块保护和unprotection的.................. 17

表8.前引导扇区/扇区块的保护/非地址

保护................................................. ....................................... 17

表9.底部引导扇区/扇区块的保护地址

灰/ unprotection的............................................... .............................. 18

键切换波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36

图13.输入波形和测量水平................. 36

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37

SRAM CE＃的时机............................................. ................... 37

图14.时序图交替

SRAM之间的Flash .............................................. .................. 37

图15.传统的读操作时序......................... 38

图16.页面模式读取时序........................................... 39

写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 18

临时机构/部门撤消座............................. 18

图1.临时机构撤消操作........................... 19

图2.在系统部门/部门块保护和撤消Algo-

rithms ................................................. ............................................. 20

硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........ 40

图17.复位时序............................................. .................. 40

闪存擦除和编程操作.................................... 41

图18.程序操作时序..........................................

图19.加速程序时序图..........................

图20.芯片/扇区擦除操作时序..........................

图21.返回到后端的读/写周期时序......................

图22.数据＃投票计时（在嵌入式算法） 。

图23.触发位计时（在嵌入式算法） ......

图24. DQ2与DQ6 ........................................... ......................

42

42

43

44

44

45

45

SecSi （安全硅）部门闪存区.......... 21

工厂锁定： SecSi部门程序化和保护

在工厂............................................... ....................... 21

硬件数据保护............................................... ....... 21

低V

CC

写禁止................................................ ........... 21

写脉冲“毛刺”保护............................................ 22

逻辑禁止................................................ ...................... 22

上电写禁止............................................. ............ 22

Flash命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

读阵列数据............................................... ................. 22

复位命令................................................ ..................... 22

自选命令序列............................................ 22

进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 23

Word程序命令序列..................................... 23

解锁绕道命令序列.................................. 23

图3.解锁绕道算法............................................ ..... 24

图4.程序运行............................................. ............. 24

临时机构/部门撤消座............................. 46

图25.临时机构/部门撤消座

时序图................................................ .............................. 46

图26.行业/部门块保护和撤消

时序图................................................ .............................. 47

备用CE ＃楼控擦除和编程操作.... 48

图27.闪存替代CE ＃楼可控写（擦除/编程） OP-

关合作计时................................................ ............................... 49

SRAM交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50

读周期................................................ ............................. 50

图28. SRAM读周期，地址控制...................... 50

图29. SRAM读周期............................................ ............ 51

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P L I M I N A R

写周期................................................ ............................. 52

图30. SRAM写周期-WE ＃控制................................. 52

图31. SRAM写周期- CE1 ＃ - 控制.............................. 53

图32. SRAM写周期-UB ＃ s和LB ＃ - 控制................ 54

SRAM数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56

图33. CE1 ＃ ●可控制数据保留模式....................... 56

图34. CE2s控制数据保留模式......................... 56

闪存擦除和编程性能。 。 55

闪闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55

封装引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55

闪存数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55

物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 57

FLB073-73球细间距栅阵列8× 11.6毫米............. 57

修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58

版本A（ 2002年2月18日） .......................................... .... 58

版本A + 1 （ 2002年5月13日） ........................................ ......... 58

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2002年5月13日