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Am41LV3204M
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
30119
调整
A
修订
+1
发行日期
2003年6月10日
初步
Am41LV3204M
堆叠式多芯片封装( MCP ) 32兆位( 4米×8位/ 2的M× 16位)闪存
内存和4兆位( 512K ×8位/ 256千×16位),静态RAM
特色鲜明
MCP特点
2.7至3.3伏的电源电压
高性能
- 为100ns的最初30纳秒的Flash页面访问时间快
70纳秒SRAM
- 69球FBGA
- 8 ×10× 1.2毫米
工作温度
— –40
°
C至+ 85
°
C
- 4字/ 8字节读取页面缓冲器
- 16字/ 32字节的写缓冲区
低功耗( 3.0 V典型值, 5
兆赫)
- 30毫安典型的初始页面读取电流; 10毫安典型
内页读取电流
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 1 μA典型待机模式电流
软件&硬件功能
软件特点
- 程序暂停&简历:读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起&简历:读/程序等
擦除操作之前,扇区结束
- 数据#轮询&触发位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字编程时间
- CFI (通用闪存接口)兼容:允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
硬件特性
- 部门组保护:硬件级别的方法
防止内业组写操作
- 临时机构撤消: V
ID
的-level方法
在锁定行业不断变化的代码
- WP # / ACC输入:
写保护输入端( WP # )保护顶部或底部的两个
不管扇区保护设置部门
ACC (高电压)加速编程时间
系统在生产过程中更高的吞吐量
- 硬件复位输入( RESET # )复位装置
FLASH内存功能
架构优势
单电源工作
- 3 V读取,擦除和编程操作
在0.23微米的MirrorBit工艺制造
技术
SecSi (安全硅)扇形区域
- 128字/ 256字节扇区永久的,安全的
通过一个8字/ 16字节的随机identi网络阳离子
电子序列号,通过一个可访问
命令序列
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
灵活的部门架构
- 六十三32 K字/ 64 - Kbyte的部门
- 八4千字/ 8 KB的引导扇区
与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存,以及优越的疏忽
写保护
每个扇区最低100,000次擦除周期保证
20年的数据保存在125°C
性能特点
高性能
- 100 ns访问时间
- 30 ns的页读取时间
- 0.5秒典型扇区擦除时间
- 15 μs的典型的写缓冲器字编程时间:
16字/ 32字节的写缓冲整体减少
编程时间多字的更新
SRAM特点
功耗
- 操作:30 mA(最大值)
- 待机: 10 μA最大
CE1S #和CE2s片选
使用CE1S #和CE2s关机功能
数据保持电源电压: 1.5 3.3伏
字节的数据控制: LB # S( DQ7 - DQ0 )
UB # S( DQ15 - DQ8 )
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
30119
启:
A
Amendment/+1
发行日期:
2003年6月10日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
P L I M I N A R
概述
Am29LV320MT特点
该Am29LV320MT / B是32兆, 3.0伏单
电源闪存装置组织成
2,097,152字或4,194,304字节。该装置具有
一个8位/ 16位总线并且可以编程,或者在
主机系统或标准EPROM编程器。
字模式数据显示在DQ15 - DQ0 。该装置
被设计成在系统编程用
标准的3.0伏V
CC
供应,并且也可以被亲
编程标准EPROM编程器。
LV320MT / B具有100纳秒的存取时间。注意
访问时间具有特定的工作电压范围内
(V
CC
),为在指定的
产品选择指南
订购信息
部分。该装置是OF-
fered了69球精细间距BGA封装。
该设备只需要一
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令写入设备使用标准的
微处理器写时序。写周期也互
应受锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
器件编程和擦除通过启动
命令序列。一旦一个程序或擦除操作
ATION已经开始时,主机系统只需要轮询
DQ7 (数据#查询)或DQ6 (切换)
状态位
or
监控
就绪/忙# ( RY / BY # )
输出来确定
矿操作是否已完成。为了方便
节目中,
解锁绕道
模式减少的COM
通过要求只有两个写命令序列的开销
循环编程数据,而不是四个。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器扇区的任意组合。
这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
擦除暂停/删除恢复
功能允许
主机系统暂停在一擦除操作
定扇区读或写其他部门和
然后完成擦除操作。该
节目
挂起/恢复计划
功能可使主机
系统暂停在一个给定扇区的程序操作
阅读任何其他部门,然后完成亲
克操作。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进度和复位器件,在这之后是再
准备好一个新的操作。在RESET #引脚可
绑在系统复位电路。系统复位会
因而也使器件复位,从而使主机系统
读取来自闪存设备引导固件。
该装置降低了功耗,在
待机模式
它检测到特定的电压电平,当
在CE #和RESET # ,或者当地址已经
稳定为指定的时间周期。
写保护( WP # )
功能保护的顶部或
底部的两个部门通过产生一个逻辑低电平上
WP # / ACC引脚。受保护的行业仍然会亲
tected甚至在加速编程。
SecSi (安全硅)行业
提供
128个字/ 256字节的区域代码或数据,可以是
永久保护。一旦这个行业是受保护的,
该部门没有进一步的变化可能发生。
AMD的MirrorBit闪存技术结合多年的
快闪记忆体制造经验,生产
的质量,可靠性和成本effec-最高水平
那些收不到。该装置电擦除内所有的位
通过热孔辅助擦除扇区同时进行。该
数据是使用热电子注入编程。
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Am41LV3204M
2003年6月10日
P L I M I N A R
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
4
4
5
6
7
8
9
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 35
图8.数据#轮询算法........................................... ....... 35
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 36
图9.切换位算法............................................ ............ 37
表2.设备总线操作,闪字模式, CIOf = VIH ,
SRAM字模式下, CIO们= V
IL
......................................................11
表3.设备总线操作闪存字节模式, CIOf = V
SS
;
SRAM字模式下, CIO们= V
CC
.....................................................12
表4.设备总线的运行闪存字节模式, CIOf = V
IL
; SRAM
字节模式, CIO们= V
SS
..................................................................13
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 37
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 37
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 38
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 38
DQ1 :写入到缓冲区中止.......................................... ........... 38
表15.写操作状态............................................ ....... 38
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
图10.最大负过冲波形................... 39
图11.最大正向超调波形..................... 39
对于读阵列数据要求................................... 14
页面模式读取............................................... ..................... 14
写命令/命令序列............................ 14
写缓冲器................................................ ............................. 14
加快程序运行............................................. 14
自选功能................................................ .............. 14
自动休眠模式............................................... ............ 15
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 15
输出禁止模式............................................... ............... 15
................................................................................................ 16
行业组保护和unprotection的............................. 18
表6. Am29LV320MT顶部引导扇区保护..................... 18
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
SRAM DC和操作特性。 。 。 。 。 。
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
39
40
41
42
图12.测试设置............................................. ....................... 42
表16.测试规范............................................. ............ 42
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
图13.输入波形和测量水平................. 42
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
闪存只读操作............................................. .... 43
图14.读操作时序............................................ ... 43
图15.页读时序............................................ .......... 44
................................................................................................ 18
表7. Am29LV320MB底部引导扇区保护................ 18
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 45
图16.复位时序............................................. .................. 45
写保护( WP # ) ............................................ .................... 18
临时机构集团撤消....................................... 19
图1.临时机构集团撤消操作................ 19
图2.在系统集团部门保护/撤消算法... 20
闪存擦除和编程操作.................................... 46
图17.程序操作时序..........................................
图18.加速程序时序图..........................
图19.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图20.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图21.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图22. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
47
47
48
49
50
50
SecSi (安全硅)部门闪存区.......... 21
表8. SecSi行业目录............................................ .......... 21
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 22
硬件数据保护............................................... ....... 22
低VCC写禁止.............................................. .............. 22
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 22
逻辑禁止................................................ .......................... 22
上电写禁止............................................. ............... 22
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 22
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
读阵列数据............................................... ................. 25
复位命令................................................ ..................... 26
自选命令序列............................................ 26
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 26
Word程序命令序列..................................... 26
解锁绕道命令序列..................................... 27
写缓冲区编程............................................... ....... 27
加快程序................................................ .............. 28
图4.写缓冲器编程操作............................... 29
图5.程序操作............................................. ............. 30
临时机构撤消............................................... ... 51
图23.临时机构集团撤消时序图... 51
图24.类别组保护和撤消时序图.. 52
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 53
图25.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ .......................... 54
SRAM读周期............................................... ................... 55
图26. SRAM读周期,地址控制...................... 55
图27. SRAM读周期............................................ ............ 56
SRAM写周期............................................... ................... 57
图28. SRAM写周期-WE #控制................................ 57
图29. SRAM写周期- CE1 # - 控制............................. 58
图30. SRAM写周期-UB # s和LB #控制研究............... 59
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。
闪闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
封装引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
SRAM数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
60
60
61
61
62
程序挂起/恢复程序命令序列... 30
图6.程序挂起/恢复计划............................... 31
图31. CE # 1控制的数据保留模式......................... 62
图32. CE2s控制数据保留模式......................... 62
芯片擦除命令序列........................................... 31
扇区擦除命令序列........................................ 31
图7.擦除操作............................................. .................. 32
擦除暂停/删除恢复命令........................... 32
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
2003年6月10日
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 63
TLB069-69球细间距球栅阵列( FBGA )
8 ×10毫米包装............................................. ................... 64
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65
Am41LV3204M
3
P L I M I N A R
产品选择指南
系列型号
速度选项
最大访问时间(纳秒)
马克斯。 CE#访问( NS )
马克斯。页面访问时间(t
PACC
)
OE #访问( NS )
标准电压
范围: V
CC
= 2.7–3.3 V
Am41LV3204M
FL灰内存
10
100
100
30
30
SRAM
10
70
70
不适用
35
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
MCP框图
V
CC
f
A20到A0
A20到A0
A–1
WP # / ACC
RESET#
CE #楼
CIOf
V
SS
RY / BY #
32位
FL灰内存
DQ15 / A- 1 DQ0
DQ15 / A- 1 DQ0
V
CC
S / V
CCQ
V
SS
/V
SSQ
A0 A0 TOTO
A17 A19
SA
LB # s
UB # s
WE#
OE #
CE1#s
CE2s
首席信息官
4M的位
静态RAM
DQ15 / A- 1 DQ0
4
Am41LV3204M
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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