A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1.设备总线操作，闪字模式， CIOf = V
IH
;
SRAM字模式下， CIO们= V
CC
..................................................... 10
表2.设备总线操作，闪字模式， CIOf = V
IH
;
SRAM字节模式， CIO们= V
SS
......................................................11
表3.设备总线操作闪存字节模式， CIOf = V
SS
;
SRAM字模式下， CIO们= V
CC
.....................................................12
表4.设备总线的运行闪存字节模式， CIOf = V
IL
; SRAM
字节模式， CIO们= V
SS
..................................................................13
芯片擦除命令序列........................................... 29
扇区擦除命令序列........................................ 29
图5.擦除操作............................................. ................. 30
擦除暂停/删除恢复命令........................... 30
表14. Am29DL640H命令定义.............................. 31
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 32
图6.数据＃投票算法........................................... ....... 32
RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ................... 33
DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 33
图7.切换位算法............................................ ............ 33
DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 34
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 34
DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 34
DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 34
表15.写操作状态............................................ ....... 35
字/字节配置.............................................. .......... 13
对于读阵列数据要求................................... 13
写命令/命令序列............................ 14
加快程序运行.......................................... 14
自选功能................................................ ........... 14
同时读/写操作零延迟....... 14
待机模式................................................ ........................ 14
自动休眠模式............................................... ............ 15
RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 15
输出禁止模式............................................... ............... 15
表5. Am29DL640H部门架构.................................... 15
表6.银行地址............................................. ....................... 18
表7. SecSi扇区地址........................................... .... 18
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图8.最大负过冲波形...................... 36
图9.最大正过冲波形........................ 36
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
SRAM DC和操作特性。 。 。 。 。 38
图10.我
CC1
电流与时间（显示主动和
自动休眠电流） .............................................. ............... 39
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 39
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
图12.测试设置............................................. ....................... 40
图13.输入波形和测量水平................. 40
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
SRAM CE＃的时机............................................. ................... 41
图14.时序图之间交替
SRAM到Flash ............................................... ................................ 41
部门/部门块保护和unprotection的.................. 19
表8. Am29DL640H引导扇区/扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... .................... 19
写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 19
表9. WP ＃ / ACC模式.......................................... .................... 20
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
闪存只读操作............................................. .... 42
图15.读操作时序............................................ ... 42
临时机构撤消............................................... ... 20
图1.临时机构撤消操作........................... 20
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 21
硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........ 43
图16.复位时序............................................. .................. 43
字/字节配置（ CIOf ） ........................................... ... 44
图17. CIOf时序进行读操作................................ 44
图18. CIOf时序写操作................................ 44
SecSi （安全硅）部门闪存区...... 22
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 23
硬件数据保护............................................... ....... 23
低V
CC
写禁止................................................ ........... 23
写脉冲“毛刺”保护............................................ 23
逻辑禁止................................................ ...................... 23
上电写禁止............................................. ............ 23
通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 23
表10. CFI查询标识字符串........................................ 24
系统接口字符串............................................... .................... 24
表12.设备几何定义............................................ 24
表13.主要供应商特定的扩展查询...................... 26
擦除和编程操作.............................................. 45
图19.程序操作时序..........................................
图20.加速程序时序图..........................
图21.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图22.返回到后端的读/写周期时序......................
图23.数据＃投票计时（在嵌入式算法） 。
图24.触发位计时（在嵌入式算法） ......
图25. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
46
46
47
48
48
49
49
临时机构撤消............................................... ... 50
图26.临时机构撤消时序图.............. 50
图27.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 51
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
读阵列数据............................................... ................. 27
复位命令................................................ ..................... 27
自选命令序列............................................ 27
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 27
字节/字编程命令序列............................. 28
解锁绕道命令序列.................................. 28
图4.程序运行............................................. ............. 29
备用CE ＃楼控擦除和编程操作.... 52
图28.闪存替代CE ＃楼可控写（擦除/编程）
操作时序................................................ .......................... 53
SRAM读周期............................................... ................... 54
图29. SRAM读周期，地址控制...................... 54
图30. SRAM读周期............................................ ............ 55
SRAM写周期............................................... ................... 56
图31. SRAM写周期-WE ＃控制................................ 56
2003年11月24日
Am41DL6408H
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