P L I M I N A R
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊处理的说明FBGA封装.................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1.设备总线操作，闪字模式， CIOf = V
IH
;
SRAM字模式下， CIO们= V
CC
..................................................... 10
表2.设备总线操作，闪字模式， CIOf = V
IH
;
SRAM字节模式， CIO们= V
SS
......................................................11
表3.设备总线操作闪存字节模式， CIOf = V
SS
;
SRAM字模式下， CIO们= V
CC
.....................................................12
表4.设备总线的运行闪存字节模式， CIOf = V
IL
; SRAM
字节模式， CIO们= V
SS
..................................................................13
图3.程序操作............................................. ............ 28
芯片擦除命令序列........................................... 28
扇区擦除命令序列........................................ 28
擦除暂停/删除恢复命令........................... 29
图4.擦除操作............................................. ................. 29
表14. Am29DL640G命令定义.............................. 30
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 31
图5.数据＃轮询算法........................................... ....... 31
RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ................... 32
DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 32
图6.切换位算法............................................ ............ 32
DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 33
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 33
DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 33
DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 33
表15.写操作状态............................................ ....... 34
字/字节配置.............................................. .......... 13
对于读阵列数据要求................................... 13
写命令/命令序列............................ 14
加快程序运行.......................................... 14
自选功能................................................ ........... 14
同时读/写操作零延迟....... 14
待机模式................................................ ........................ 14
自动休眠模式............................................... ............ 15
RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 15
输出禁止模式............................................... ............... 15
表5. Am29DL640G部门架构.................................... 15
表6.银行地址............................................. ....................... 18
表7. SecSi扇区地址........................................... .... 18
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图7.最大负过冲波形...................... 35
图8.最大正过冲波形........................ 35
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
CMOS兼容................................................ .................. 36
SRAM DC和操作特性。 。 。 。 。 38
图9.我
CC1
电流与时间（显示主动和
自动休眠电流） .............................................. ............... 39
图10.典型I
CC1
与频率............................................ 39
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
图11.测试设置............................................. ....................... 40
图12.输入波形和测量水平................. 40
部门/部门块保护和unprotection的.................. 19
表8. Am29DL640G引导扇区/扇区块的地址亲
tection / unprotection的............................................... ......................... 19
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
SRAM CE＃的时机............................................. ................... 41
图13.时序图交替SRAM之间的Flash ..
41
写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 20
表9. WP ＃ / ACC模式.......................................... .................... 20
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
闪存只读操作............................................. .... 42
图14.读操作时序............................................ ... 42
临时机构撤消............................................... ... 20
图1.临时机构撤消操作........................... 20
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 21
硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........ 43
图15.复位时序............................................. .................. 43
SecSi （安全硅）行业
闪存地区............................................... ............. 22
硬件数据保护............................................... ....... 22
低V
CC
写禁止................................................ ........... 22
写脉冲“毛刺”保护............................................ 23
逻辑禁止................................................ ...................... 23
上电写禁止............................................. ............ 23
通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 23
表10. CFI查询标识字符串........................................
系统接口字符串............................................... ....................
表12.设备几何定义............................................
表13.主要供应商特定的扩展查询......................
23
24
24
25
字/字节配置（ CIOf ） ........................................... ... 44
图16. CIOf时序进行读操作................................ 44
图17. CIOf时序写操作................................ 44
擦除和编程操作.............................................. 45
图18.程序操作时序..........................................
图19.加速程序时序图..........................
图20.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图21.返回到后端的读/写周期时序......................
图22.数据＃投票计时（在嵌入式算法） 。
图23.触发位计时（在嵌入式算法） ......
图24. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
46
46
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48
48
49
49
临时机构撤消............................................... ... 50
图25.临时机构撤消时序图.............. 50
图26.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 51
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
读阵列数据............................................... ................. 26
复位命令................................................ ..................... 26
自选命令序列............................................ 26
进入SecSi 部门/退出SecSi部门命令序列..
26
字节/字编程命令序列............................. 27
解锁绕道命令序列.................................. 27
备用CE ＃楼控擦除和编程操作.... 52
图27.闪存替代CE ＃楼可控写（擦除/编程）
操作时序................................................ .......................... 53
SRAM读周期............................................... ................... 54
图28. SRAM读周期，地址控制...................... 54
图29. SRAM读周期............................................ ............ 55
2002年8月19日
Am41DL6408G
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