Am41DL16x4D

数据表

2003年7月

下列文件规定，现由双方高级Spansion公司提供的内存产品

AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称

inally开发的规范，这些产品将提供给AMD和客户

富士通。

规格连续性

没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何

已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果，并且将记录在

文档修订概要，其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现，

和变化，都可以在修改摘要。

订购零件编号的连续性

AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购

这些产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。

欲了解更多信息

请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息

内存解决方案。

公开号

25562

调整

A

修订

0

发行日期

2001年10月24日

初步

Am41DL16x4D

堆叠式多芯片封装（ MCP ）闪存和SRAM

Am29DL16xD 16兆位（2M ×8位/ 1的M× 16位） CMOS 3.0伏只，同时

操作闪存和4兆位（ 512K的×8位/ 256千×16位），静态RAM

特色鲜明

MCP特点

s

2.7至3.3伏的电源电压

s

高性能

- 存取时间快70纳秒

软件特点

s

数据管理软件（ DMS ）

- AMD公司提供的软件管理数据编程

擦除，使EEPROM仿真

- 简化扇区擦除限制

s

包

- 69球FBGA

s

支持通用闪存接口（ CFI ）

s

擦除暂停/删除恢复

- 挂起擦除操作，允许在相同的编程

银行

s

工作温度

= -40 ° C至+ 85°C

FLASH内存功能

架构优势

s

同时读/写操作

- 数据可以不断地从一家银行，而读

执行擦除/编程功能的其他银行

读取和写入操作之间的零延迟

s

数据＃查询和翻转位

- 提供了检测的状态的软件的方法

编程或擦除周期

s

解锁绕道程序命令

- 发出多个时，降低了总体规划的时间

程序的命令序列

硬件特性

s

任何部门的结合可以被删除

s

就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）

- 硬件检测方法编程或擦除周期

竣工

s

安全硅（ SecSi ）部门：额外64 KB扇区

—

工厂锁定和识别：

适用于16字节

安全的，随机的工厂电子序列号;可验证

作为工厂通过锁定功能自动选择。

—

客户可锁定：

能被读出，编程或擦除

就像其他行业。一旦被锁定，数据不能被改变

s

硬件复位引脚（ RESET ＃ ）

- 硬件重置内部状态机的方法

读阵列数据

s

零功耗工作

- 先进的电源管理电路降低功耗

在非活动期间消耗几乎为零

s

WP ＃ / ACC输入引脚

- 写保护（ WP ＃ ）功能可保护两个最外侧

引导扇区，无论部门保护状态

- 加速度（ ACC ）功能，加快项目进度

s

顶部或底部启动块

s

在0.23微米制程技术制造的

s

兼容JEDEC标准

- 引脚和软件与单电源兼容

闪存标准

s

扇区保护

- 硬件锁定的扇区的方法，无论是在系统或

使用编程设备，以防止任何程序或

该部门内的擦除操作

- 临时机构撤消允许更改数据

在系统保护部门

性能特点

s

高性能

- 70 ns访问时间

- 计划时间： 4微秒/字典型的利用加速功能

SRAM特点

s

功耗

- 操作：22 mA（最大值）

- 待机： 10 μA最大

s

超低功耗（典型值）

- 2毫安在1 MHz有源读取电流

- 在5 MHz 10毫安有效的读电流

- 200 nA的待机或自动睡眠模式

s

每个扇区保证至少1百万次写周期

s

20年的数据保存在125°C

- 可靠运行的系统的寿命

s

s

s

s

CE1 ＃ s和CE2s片选

使用CE1 ＃ s和CE2s关机功能

数据保持电源电压： 1.5 3.3伏

字节的数据控制： LB ＃ S（ DQ0 - DQ7 ） ， UB ＃ S（ DQ8 - DQ15 ）

本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息

旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作

产品，恕不另行通知。

出版＃ 25562版本：

A

Amendment/0

发行日期：

2001年10月24日

请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。

P L I M I N A R

概述

Am29DL16xD特点

该Am29DL16xD家庭是一个16兆， 3.0伏，只

快闪存储器装置中，组织为1,048,576字

16位或2,097,152字节，每字节8位。字模式

数据显示在DQ15 - DQ0 ;字节模式数据AP-

梨在DQ7 - DQ0 。该装置被设计成

在系统编程与标准3.0伏V

CC

供应，并且也可以在标准编程

EPROM编程器。

该器件具有70 ns的访问时间或

85纳秒。该器件采用69球FBGA封装

年龄。标准控制引脚芯片使能（ CE ＃楼），写

使能（WE ＃ ） ，并且输出使能（OE ＃）， - 控制去甲

MAL重新ADA次写操作è大鼠离子S，A第二AVO ID B US

争用问题。

只有一个设备需要

单3.0伏电源支持

股

用于读取和写入功能。国内

产生并提供了用于调节电压

编程和擦除操作。

阅读和写作像任何其他闪存部门，或可

永久锁定自己的代码中有。

DMS （数据管理软件）

允许系统

轻松利用先进的架构优势

的同时读通过允许/写产品线

清除EEPROM器件。 DMS也将使

系统软件被简化，因为其将执行所有

需要修改在文件结构中的数据的功能，

相对于单字节的修改。写或

更新一个特定数据段（一个电话号码或

的配置数据，例如）时，用户只需要

到状态这一段数据要被更新，并

其中，在更新的数据是存放在系统中。这

是anadvantagecompa重新d可SY ST emswhe重

用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪

位置，状态，逻辑到物理转换

数据到闪存装置（或存储器DE-

虎钳） ，等等。使用DMS ，用户编写的软件

并不需要与闪存接口二

正确。取而代之的是，用户的软件访问闪存

内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲

提供了此类软件，以简化系统设计，

软件的整合力度。

该器件提供了与完整的兼容性

JEDEC单电源闪存命令集

标准。

命令被写入命令

注册使用标准的微处理器写时序。

读出的数据的设备类似于阅读

其他Flash或EPROM器件。

主机系统可以检测是否一个程序或

擦除操作完成，通过使用该设备

台站

状态位：

RY / BY ＃引脚， DQ7 （数据＃投票）和

DQ6 / DQ2 （触发位） 。编程或擦除周期后，

已经完成时，该装置自动返回

读取阵列的数据。

该

扇区擦除架构

允许内存节

器进行擦除和重新编程，而不影响

其他部门的数据内容。该装置是完全

从工厂发货时被擦除。

硬件数据保护

措施包括一个低

V

CC

探测器可以自动抑制写操作

在电源转换系统蒸发散。该

硬件部门

保护

功能禁用这两个编程和擦除

在内存的部门的任何组合操作

R 。牛逼hiscanbeachievedin - systemorvia

编程设备。

该器件提供两种省电功能。当

地址已经稳定一段指定的量

时，器件进入

自动休眠模式。

前作系统还可以将德副进

待机模式。

功率消耗是很大的重

duced在这两种模式。

同时读/写操作与

零延迟

同时读/写架构提供

同时操作

通过将所述存储器

空间分成两个组。该装置可以整体提高

通过允许主机系统向亲系统性能

克或立即删除在一家银行，然后和

从其他银行的同时读取，零LA-

tency 。这从等待释放系统

编程或擦除操作完成。

该Am29DL16xD设备使用多个银行架构设计师用手工

tectures以针对不同的应用提供了灵活性。

四款器件可与以下银行

尺寸：

设备

DL161

DL162

DL163

DL164

银行1

0.5兆

2 MB

4兆

8兆

2银行

15.5兆

14 MB

12 MB

8兆

该

安全硅（ SecSi ）部门

是一个额外的64

千位部门能够被永久锁定

AMD或客户。该

SecSi行业标志位

（ DQ7 ）被永久设置为1 ，如果部分是

工厂

锁定，

并设置为0，如果

客户可锁定。

这

方式，客户可锁定的部件绝不会被用来重新

把工厂锁定一部分。

工厂锁定部分提供了几个选项。该

SecSi扇区可存储一个安全的，随机的16字节

的ESN （电子序列号） 。客户可锁定

零部件可以利用SecSi部门作为奖金的空间，

2

Am41DL16x4D

P L I M I N A R

目录

产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

特殊处理的说明FBGA封装.................... 7

引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

表1.设备总线操作，闪字模式， CIOf = V

IH

;

SRAM字模式下， CIO们= V

CC

..................................................... 11

表2.设备总线操作，闪字模式， CIOf = V

IH

;

SRAM字节模式， CIO们= V

SS

......................................................12

表3.设备总线操作闪存字节模式， CIOf = V

SS

;

SRAM字模式下， CIO们= V

CC

.....................................................13

表4.设备总线的运行闪存字节模式， CIOf = V

IL

; SRAM

字节模式， CIO们= V

SS

..................................................................14

读阵列数据............................................... ................. 26

复位命令................................................ ..................... 26

自选命令序列............................................ 26

进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 27

字节/字编程命令序列............................. 27

解锁绕道命令序列.................................. 27

图3.程序操作............................................. ............ 28

芯片擦除命令序列........................................... 28

扇区擦除命令序列........................................ 28

擦除暂停/删除恢复命令........................... 29

图4.擦除操作............................................. ................. 29

表16.命令定义（闪字模式） ...................... 30

表17.自动选择设备ID （字模式） .............................. 30

表18.命令定义（闪存字节模式） ....................... 31

表19.自动选择设备ID （字节模式） ............................... 31

写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32

DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 32

图5.数据＃轮询算法........................................... ....... 32

字/字节配置.............................................. ......... 15

对于读阵列数据要求................................... 15

写命令/命令序列............................ 15

加快程序运行.......................................... 15

自选功能................................................ ........... 15

同时读/写操作零延迟....... 15

待机模式................................................ ........................ 16

自动休眠模式............................................... ............ 16

RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 16

输出禁止模式............................................... ............... 16

表5.设备银行部............................................ ............ 16

顶级引导扇区的设备............... 17表6扇区地址

表7.前引导设备................ 17 SecSi扇区地址

对于底部引导扇区的设备........... 18表8.扇区地址

对于底部启动设备.................. 18表9. SecSi地址

RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ................... 33

DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 33

图6.切换位算法............................................ ............ 33

DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 34

阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 34

DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 34

DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 34

表20.写操作状态............................................ ....... 35

自选模式................................................ ..................... 19

表10.前引导扇区/扇区块的保护/非地址

保护................................................. ....................................... 19

表11.底部引导扇区/扇区块地址

为保护/ unprotection的.............................................. ............... 19

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36

工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36

工业级（I ）设备............................................. ............... 36

V

CC

F / V

CC

客户供应电压............................................... .... 36

直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37

CMOS兼容................................................ .................. 37

SRAM DC和操作特性。 。 。 。 。 38

零功耗闪存.............................................. ................... 39

图9.我

CC1

电流与时间（显示主动和自动休眠

电流） ................................................ ........................................ 39

图10.典型I

CC1

与频率............................................ 39

写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 19

临时机构/部门撤消座............................. 20

图1.临时机构撤消操作........................... 20

图2.在系统部门/部门块保护和撤消Algo-

rithms ................................................. ............................................. 21

测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40

图11.测试设置............................................. ....................... 40

表21.测试规范............................................. ............ 40

键切换波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40

图12.输入波形和测量水平................. 40

SecSi （安全硅）部门闪存区.......... 22

工厂锁定： SecSi部门编程，并受到保护

工厂................................................ .......................... 22

客户可锁定： SecSi部门未编程或亲

tected在工厂.............................................. ............. 22

硬件数据保护............................................... ....... 22

低V

CC

写禁止................................................ ........... 22

写脉冲“毛刺”保护............................................ 23

逻辑禁止................................................ ...................... 23

上电写禁止............................................. ............ 23

通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 23

表12. CFI查询标识字符串........................................ 23

系统接口字符串............................................... .................... 24

表14.设备几何定义............................................ 24

表15.主要供应商特定的扩展查询...................... 25

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41

SRAM CE＃的时机............................................. ................... 41

图13.时序图之间交替

SRAM到Flash ............................................... ................................ 41

闪存只读操作............................................. .... 42

图14.读操作时序............................................ ... 42

硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........ 43

图15.复位时序............................................. .................. 43

闪字/字节配置（ CIOf ） .................................... 44

图16. CIOf时序进行读操作................................ 44

图17. CIOf时序写操作................................ 44

闪存擦除和编程操作.................................... 45

图18.程序操作时序..........................................

图19.加速程序时序图..........................

图20.芯片/扇区擦除操作时序..........................

图21.返回到后端的读/写周期时序......................

46

46

47

48

命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26

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图22.数据＃投票计时（在嵌入式算法） .. 48

图23.触发位计时（在嵌入式算法） ....... 49

图24. DQ2与DQ6 ........................................... ....................... 49

图31. SRAM写周期- CE1 ＃ - 控制............................. 57

图32. SRAM写周期-UB ＃ s和LB ＃控制研究............... 58

临时机构/部门撤消座............................. 50

图25.临时机构/部门撤消座

时序图................................................ ............................... 50

图26.行业/部门块保护和撤消

时序图................................................ ............................... 51

闪存擦除和编程性能。

闪闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

封装引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

FLASH数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

SRAM数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

59

59

59

59

60

备用CE ＃楼控擦除和编程操作.... 52

图27.闪存替代CE ＃楼可控写（擦除/编程） OP-

关合作计时................................................ ................................ 53

图33. CE1 ＃ ●可控制数据保留模式....................... 60

图34. CE2s控制数据保留模式......................... 60

SRAM读周期............................................... ................... 54

图28. SRAM读周期，地址控制....................... 54

图29. SRAM读周期............................................ ............. 55

物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61

FLA069-69球细间距栅阵列8× 11毫米............... 61

修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62

版本A（ 2001年10月24日） .......................................... ..... 62

SRAM写周期............................................... ................... 56

图30. SRAM写周期-WE ＃控制................................. 56

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