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模拟电源
AM40N20-180P
N沟道200 -V （D -S ）的MOSFET
主要特点：
低R
DS （ ON）
沟槽技术
低热阻
开关速度快
典型应用：
白光LED升压转换器
- 汽车系统
工业DC / DC转换电路
产品概述
r
DS （ ON）
(mΩ)
V
DS
(V)
180 @ V
GS
= 10V
200
340 @ V
GS
= 5.5V
I
D
(A)
34
a
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
极限
V
DS
漏源电压
200
V
GS
栅源电压
±20
T
A
=25°C
I
D
34
连续漏电流
a
b
I
DM
漏电流脉冲
80
a
I
S
20
连续源电流（二极管传导）
a
T
A
=25°C
P
D
300
功耗
T
J
, T
英镑
-55到150
工作结存储温度范围
单位
V
A
A
W
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到外壳
符号最大
R
θJA
62.5
R
θJC
1
单位
° C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
初步=
1
出版订单号：
DS_AM40N20-180P_1A
模拟电源
电气特性
参数
门源阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
STATIC
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±20 V
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55°C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 5.5 V，I
D
= 8 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
I
S
= 10 A，V
GS
= 0 V
动态
V
DS
= 100 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 10 A
V
DS
= 100 V ，R
L
= 10 Ω,
I
D
= 10 A,
V
根
= 10 V ，R
根
= 6 Ω
民
1
AM40N20-180P
典型值
最大
单位
V
nA
uA
A
±100
1
25
34
180
340
25
0.86
7
3.1
3.3
9
14
33
26
948
80
54
mΩ
S
V
nC
ns
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
pF
笔记
一。脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
B 。通过设计保证，不受生产测试。
模拟电源（ APL ）保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APL不作任何保证，
表示
或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不APL承担由此产生的任何法律责任
任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数可以做不同
在不同的应用和实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个验证
客户的客户应用的技术专家。 APL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 APL
产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成这样的局面
可能发生的人身伤害或死亡。如果买方购买或使用产品的APL任何意外或未经授权的应用程序，
买方应赔偿并持有联合地产及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用是无害的，
损失，费用和合理的律师费直接或间接引起的，造成人身伤害或死亡的任何索赔相关
与此类意外或未经授权的使用，即使此类索赔称， APL有关部分的设计或制造疏忽造成的。
APL是一个机会均等/肯定行动雇主。
初步=
2
出版订单号：
DS_AM40N20-180P_1A
模拟电源
典型电气特性
0.5
RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）
10
TJ = 25°C
0.4
ID - 漏电流（ A）
8
AM40N20-180P
0.3
4.5V.5.5V,,6V,8V,10V
0.2
6
4
0.1
2
0
0
4
8
12
16
20
ID-漏电流（ A）
0
0
1
2
3
4
5
6
VGS - 栅极至源极电压（V ）
1.导通电阻与漏电流
0.9
TJ = 25°C
0.8
RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
2
4
6
8
10
0.01
0.2
I
D
= 10A
IS - 源电流（ A）
10
100
2.传输特性
TJ = 25°C
1
0.1
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
VGS - 栅极至源极电压（V ）
VSD - 源极到漏极电压（V ）
3.导通电阻与栅极至源极电压
20
10V,8V,6V,5.5V,4.5V
1200
16
ID - 漏电流（ A）
电容（pF）
1000
800
600
400
200
0
0
2
4
6
8
10
VDS - 漏极至源极电压（V ）
0
0
1400
4.漏 - 源正向电压
F = 1MHz的
西塞
12
8
4
科斯
CRSS
5
10
15
20
VDS漏 - 源极电压（ V）
5.输出特性
初步=
3
6.电容
出版订单号：
DS_AM40N20-180P_1A
模拟电源
典型电气特性
10
9
VGS栅 - 源极电压（ V）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
QG - 总栅极电荷（ NC）
0.5
-50
-25
0
25
50
V
DS
= 100V
I
D
= 10A
2.5
RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）
（归一化）
AM40N20-180P
2
1.5
1
75
100
125
150
TJ -JunctionTemperature （ ° C）
7.栅极电荷
1000
瞬态峰值功率（ W）
10我们
100美
1毫秒
8.归一化导通电阻VS
结温
175
150
125
100
75
50
25
0
0.001
100
ID电流（A ）
10
10毫秒
100毫秒
1秒
1
10秒
100秒
0.1
1
0.1
1
10
100
1000
DC
IDM限制
受
RDS
0.01
VDS漏极至源极电压（ V）
0.01
0.1
1
10
100
1000
T1时间（秒）
9.安全工作区
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10.单脉冲最大功率耗散
R
θJA
（吨） = R（T） + R
θJA
R
θJA
= 62.5
°C
/W
P（ PK）
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T1时间（秒）
1
10
100
1000
11.归热瞬态结到环境
初步=
4
出版订单号：
DS_AM40N20-180P_1A
模拟电源
包装信息
AM40N20-180P
初步=
5
出版订单号：
DS_AM40N20-180P_1A
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AD404M186RTB-5
AMD29F010B-70PI
AAT3517IGV-2.93-C-C-T1
AP1305G-SPL
AM29LV256MH120EI
AM26LV32EINSR
A1500WR-10P
ALO30F48N-6S
AT40K05LV-3CQI
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
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    AM40N20-180P
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