模拟电源
N通道20 -V (D -S ) MOSFET和肖特基二极管
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺,以提供低
r
DS ( ON)
并且,以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品,如计算机,
打印机, PCMCIA卡,蜂窝和无绳
电话。
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
TSOP - 6可节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
AM3826N
M SF T P上
ê
RO
杜牛逼SU M RY
C
M A
V
S
(V
)
r
秒(上)
(O M
H )
I
D
(A
)
D
D
±4.1
0.047 @ V
S
= -4.5V
G
20
±3.8
0.055 @ V
S
= -2.5V
G
SC 牛逼YP
H T
RO
杜牛逼SU M RY
C
M A
V (V
)
f
V
A
(V
)
I
F
(A
)
K
DIOD ; F W D V
e或AR
oltage
20
0.48V @ 1.0A
1.0
TSOP-6
顶视图
A
S
G
1
2
3
6
5
4
K
N / C
D
S
N沟道MOSFET
D
K
G
A
ISE说明)
A
BSOLUTE MA
XIMUM RA
Tings的(T
A
= 25℃ ,除非OTHERW
符号
BOL马克西姆
嗯单位
PARAM
ETER
V
DS
20
漏源极电压(M
OSFET )
V
反向电压(肖特基)
20
V
KA
G
吃源电压(M
OSFET )
±8
V
GS
连续漏电流(T
J
= 150℃ ) (M
OSFET )
漏电流脉冲(M
OSFET )
b
a
o
a
o
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
±4.1
±3.3
±8
1.05
0.5
8
1.15
0.7
1.0
0.6
A
连续源电流(M
OSFET二极管的导通)
平均正向电流(肖特基)
脉冲正向电流(肖特基)
M
的Axim功耗(M
um
OSFET )
M
的Axim功率耗散(肖特基)
um
a
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
o
o
P
D
W
工作结储存温度
温度范围内
T
J
, T
英镑
-55到150
o
C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
吨< = 10秒
稳定状态
符号
R
thJA
典型值
93
130
最大
110
150
o
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
出版订单号:
DS-AM3826_A
模拟电源
M SFET的specifica NS (T
A
= 25℃ ,除非
O
TIO
THERW
ISE NO
TED )
PARAM
ETER
STATIC
G
吃-T
hreshold电压
G
吃了,身体漏
摹
ERO吃电压D
雨
光凭目前
O
正状态D
雨
光凭目前
A
D
雨来源
正国家科研
ESISTANCE
A
FORW
ARD牛逼
ranconductance
A
D
IODE FORW
ARD电压
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
r
DS ( ON)
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
(六中)D
t
f
o
AM3826N
o
SY BOL
m
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V = 0 V V
S
= +/-8 V
,
G
DS
LIM
ITS
单位
民泰
P最大
0.4
±100
nA
uA
A
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V = 16 V V
S
= 0 V T,
J
= 55 C
,
G
,
DS
o
1
10
5
0.047
0.055
3
0.80
7.5
0.6
1.0
5
12
13
7
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 4.1 A
V
GS
= 2.5 V,I
D
= 3.8 A
V
DS
= 5 V,I
D
= 4.1 A
I
S
= 1.05 ,V
GS
= 0 V
S
V
Dy
南
ic
b
T
otal摹
吃
哈耶
G
吃-源性C
哈耶
G
吃-D
雨
哈耶
T
瓮- O D用
elay率T e
im
牛逼
伊势IME
T
瓮- O D用
FF elay率T e
im
秋季-T é
im
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 4.1 A
nC
V
DD
= 5 V , R = 5 O M
H ,
L
H
V
根
= 4.5 V , R = 6 O M
G
ns
肖特基规格(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.5 A
I
F
= 0.5 A,T
J
= 125 C
V
r
= 30 V
V
r
= 30 V ,T
J
= 75 C
V
r
= 30 V ,T
J
= 125 C
o
o
o
民
范围
单位
TYP MAX
0.48
0.4
0.1
1
10
mA
pF
V
V
最大反向漏电流
结电容
I
rm
C
T
V
r
= 10 V
31
笔记
a.
脉冲测试: PW < = 300US占空比< = 2 % 。
b.
通过设计保证,不受生产测试。
模拟电源
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机会均等/肯定行动雇主。
2
初步
出版订单号:
DS-AM3826_A