【模拟电源N通道30 -V （D -S ）的MOSFET这些微型表面贴装MOSFET采用一高密度沟槽工】,IC型号AM30N03-40D,AM30N03-40D PDF资料,AM30N03-40D经销商,ic,电子元器件-51电子网

模拟电源

N通道30 -V （D -S ）的MOSFET

这些微型表面贴装MOSFET采用一

高密度沟槽工艺，以提供低

DS （ ON）

并且，以确保最小的功率损失和发热

耗散。典型的应用是DC- DC

转换器和电源管理在便携式和

电池供电的产品，如计算机，

打印机， PCMCIA卡，蜂窝和无绳

电话。

低R

DS （ ON）

提供了更高的效率和

延长电池寿命

低热阻抗的铜引线框架

DPAK节省电路板空间

开关速度快

高性能沟道技术

AM30N03-40D

亲

DUCT总和

M RY

V (V

)

DS （ ON）

()

26 @ V

= 10V

35 @ V

= 4.5V

)

绝对最大

IMUM评级（T

= 25℃ ，除非OTHERW

ISE说明）

符号

BOL

LIM

其单位

PARAM

ETER

漏源电压

吃源电压

±20

连续漏电流

漏电流脉冲

功耗

= 25 C I

50.0

= 25℃ P

连续源电流（二极管传导）

工作结储存温度

温度范围内

, T

英镑

-55至175

热电阻额定值

参数

符号

最大结点到环境

最大结到外壳

笔记

表面装在1 “×1” FR4板。

脉冲宽度有限的最高结温

最大

3.0

单位

θJA

θJC

C / W

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规格（T

= 25

C除非另有说明）

参数

STATIC

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

符号

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

测试条件

= V

, I

= 250微安

= 0 V, V

= 20 V

范围

单位

最小典型最大

1.0

±100

= 24 V, V

= 0 V

= 24 V, V

= 0 V ，T

= 55 C

1.1

4.0

1.1

1.4

720

165

漏源导通电阻

转发Tranconductance

二极管的正向电压

= 5 V, V

= 10 V

= 10 V，I

= 17 A

= 4.5 V，I

= 11 A

= 15 V，I

= 17 A

= 34 A，V

= 0 V

= 15 V, V

= 4.5 V,

= 11 A

= 15 V, V

= 0 V,

F = 1MHz的

= 25 V ，R

= 25

, I

= 34 A,

根

= 10 V

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

笔记

脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％。

通过设计保证，不受生产测试。

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（ APL ）保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APL不作任何保证，声明

或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不APL承担因应用程序的任何责任或

使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带

损害赔偿。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和

实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证

客户的技术专家。 APL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 APL产品不是设计，

意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或

维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。

如果买方购买或使用产品的APL任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有联合地产及其

管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师

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索赔称， APL有关部分的设计或制造疏忽造成的。 APL是一个机会均等/肯定行动雇主。

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典型电气特性（ N沟道）

ID ，漏电流（ A）

6.0V

5.0V

VDS = 5V

VGS = 10V

TA = -55

ID ，漏电流（ A）

125

4.0V

3.0V

0.5

1.5

2.5

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

VDS ，漏极 - 源极电压（ V）

VGS ，门源电压（ V）

图1.区域特征

图2.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度

2.5

RDS （ ON ），归一化

漏源导通电阻

1500

1200

900

600

OSS

国际空间站

F = 1MHz的

= 0 V

1.5

4.5V

6.0V

10V

电容（pF）

300

0.5

RSS

ID ，漏电流（ A）

，漏源极电压（ V）

图3.电阻与栅极电压的电压

图4.电容特性

VGS盖特电子源伏年龄（ V）

1.6

归一化R（上）

1.4

= 10V

= 7A

1.2

1.0

0 .8

0 .6

-50

-2 5

10 0

12 5

150

QG ，费（ NC）

图5.栅极电荷特性

Juncation温度（℃ ）

图6.导通电阻随温度的变化

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典型电气特性（ N沟道）

100

正，反转漏电流（ A）

VGS = 0V

RDS （ ON ），导通电阻（ OHM ）

0.1

ID = 7的

0.08

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

室间隔缺损，体二极管正向电压（ V）

TA = 125℃

25 C

0.06

0.04

TA = 25℃

0.02

VGS ，门源电压（ V）

图7.传热特性

-Vth ，栅源THRESTHOLD

电压（V）的

2.2

1.8

1.6

1.4

1.2

-50

-25

100 125

150 175

VDS = VGS

ID = -250mA

图8.导通电阻与栅极至源极电压

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

单脉冲

RqJA = 125℃ / W

TA = 25℃

0.001

0.01

0.1

t1时，时间（秒）

100

TA ，环境温度（℃ ）

图9. Vth的栅极至源极电压与温度

图10.单脉冲最大功率耗散

归热瞬态结到环境

D = 0.5

0.2

0.1

0.0

0.02

0.01

S英格尔P ULS ê

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T1 ， TIM E（发E C）

100

1000

P（ PK）

TJ - TA = P * R QJ A（ T）

值班 YC乐， D = T1 / T2

QJ A（ T） = R（T ） + R QJ一

QJ A = 125 / W

图11.瞬态热响应曲线

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