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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1494页 > AM29SL800DT-100WCC
Am29SL800D
数据表
-XO \\ ????
7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG
0LFUR设备SNMP DQG ) XMLWVX ? $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ?
LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ? WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG
) XMLWVX ?
规格连续性
7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ? $ Q \\
FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH
GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ? ZKHUH VXSSRUWHG ? ) XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ?
DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ?
订购零件编号的连续性
0美元“ DQG ) XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P DQG 0 % 0 ? 7R RUGHU
WKHVH SURGXFWV ? SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ?
欲了解更多信息
3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ) XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ
PHPRU \\ VROXWLRQV ?
Q ?? iyvph ?? V ????爱???? IR ?谩
! & $ # %
一张SR ?? V ?? V ????谩
6
6 ?? R 14 Q 20 ????谩

A D ?????? r9h ?? R A
HH ?? PUA & ?阿! ? "
超前信息
Am29SL800D
8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位)
CMOS 1.8伏只超低电压闪存
特色鲜明
单电源工作
- 1.65 2.2 V的读取,编程和擦除
操作
- 非常适合电池供电的应用
在0.23微米制程技术制造的
- 兼容0.32微米Am29SL800C设备
高性能
- 存取时间快90纳秒
超低功耗(在5个典型值
兆赫)
- 0.2 μA自动睡眠模式电流
- 0.2 μA,待机模式下的电流
- 5毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
科幻fteen 64字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
科幻fteen 32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门,以防止硬件方法
内的任何程序或擦除操作
扇形
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
每次最少百万擦除周期保证
扇形
20年的数据保存在125°C
封装选项
- 48引脚TSOP
- 48球FBGA
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
27546
启:
A
Amendment/+1
发行日期:
2003年3月17日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该Am29SL800D是8兆, 1.8 V电压,仅限于Flash
内存组织为1,048,576字节或524,288
话。该器件采用48引脚TSOP和提供48-
球FBGA封装。字级数据( X16 )
出现在DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据
出现在DQ7 - DQ0 。此装置被设计成
编程和擦除在系统与单个1.8
伏V
CC
供应量。无V
PP
是写或擦除操作。
该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
该标准的设备提供了90,100次访问,
120和150纳秒,从而允许高速的微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单1.8伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法automati-
美云preprograms阵列(如果它已不
编程)执行擦除操作之前。
在擦除,擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29SL800D
2003年3月17日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊处理的说明FBGA封装.................. 6
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29SL800D设备总线操作................................ 9
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 22
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 22
表6.写操作状态............................................ ......... 23
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
图7.最大负过冲波形的最大负面
略去过冲波形............................................... ................ 24
图8.最大正过冲波形........................ 24
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动
休眠电流) .............................. ............................... 26
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 26
字/字节配置.............................................. ............ 9
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列.............................. 9
编程和擦除操作状态.................................... 10
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ............ 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 10
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2. Am29SL800DT热门引导块扇区地址表..... 11
表3. Am29SL800DB底部引导块,扇区地址表12
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
图11.测试设置............................................. ........................ 27
表7.测试规范............................................. .............. 27
关键开关波形.............................................. .... 27
图12.输入波形和测量水平................. 27
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
读操作................................................ .................... 28
图13.读操作时序............................................ 28
图14. RESET #时序............................................ .............. 29
自选模式................................................ ..................... 13
表4. Am29SL800D自动选择代码(高压法) ..13
扇区保护/ unprotection的.............................................. 13
临时机构撤消............................................... ... 13
图1.在系统部门保护/撤消算法.............. 14
图2.临时机构撤消操作........................... 15
字/字节配置( BYTE # ) ........................................ 30
图15. BYTE #时序进行读操作............................ 30
图16. BYTE #时序写操作............................ 30
擦除/编程操作.............................................. ....... 31
图17.程序操作时序..........................................
图18.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图21. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
32
33
34
34
35
硬件数据保护............................................... ....... 15
低V
CC
写禁止................................................ .............. 15
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 15
逻辑禁止................................................ .......................... 15
上电写禁止............................................. ............... 15
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
读阵列数据............................................... ................. 15
复位命令................................................ ..................... 15
自选命令序列............................................ 16
字/字节编程命令序列............................. 16
解锁绕道命令序列..................................... 16
图3.程序操作............................................. ............. 17
临时机构撤消............................................... ... 35
图22.临时机构撤消时序图.............. 35
图23.部门保护/撤消时序图.................... 36
备用CE #控制的擦除/编程操作............ 37
图24.备用CE #控制的写操作时序...... 38
芯片擦除命令序列........................................... 17
扇区擦除命令序列........................................ 17
擦除暂停/删除恢复命令........................... 18
图4.擦除操作............................................. .................. 18
表5. Am29SL800D命令定义................................ 19
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 20
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 20
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 21
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 21
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 21
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ .. 21
图6.切换位算法............................................ ............. 22
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 39
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
TS 048-48针标准TSOP .......................................... ... 40
TSR048-48引脚的反向TSOP ........................................... .. 41
FBA048-48球细间距球栅阵列( FBGA )
6 ×8 mm封装............................................. ..................... 42
FBC048-48球细间距球栅阵列( FBGA )
8 ×9 mm封装............................................. ..................... 43
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
版本A( 2003年2月4日) .......................................... ...... 44
版本A + 1 ( 2003年3月17日) ........................................ ...... 44
2003年3月17日
Am29SL800D
3
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
产品选择指南
系列型号
速度选项
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
90
90
90
30
100
100
100
35
Am29SL800D
120
120
120
50
150
150
150
65
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ15 ( A- 1 )
WE#
BYTE #
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A18
4
Am29SL800D
2003年3月17日
Am29SL800D
数据表
-XO \\ ????
7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG
0LFUR设备SNMP DQG ) XMLWVX ? $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ?
LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ? WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG
) XMLWVX ?
规格连续性
7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ? $ Q \\
FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH
GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ? ZKHUH VXSSRUWHG ? ) XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ?
DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ?
订购零件编号的连续性
0美元“ DQG ) XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P DQG 0 % 0 ? 7R RUGHU
WKHVH SURGXFWV ? SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ?
欲了解更多信息
3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ) XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ
PHPRU \\ VROXWLRQV ?
Q ?? iyvph ?? V ????爱???? IR ?谩
! & $ # %
一张SR ?? V ?? V ????谩
6
6 ?? R 14 Q 20 ????谩

A D ?????? r9h ?? R A
HH ?? PUA & ?阿! ? "
超前信息
Am29SL800D
8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位)
CMOS 1.8伏只超低电压闪存
特色鲜明
单电源工作
- 1.65 2.2 V的读取,编程和擦除
操作
- 非常适合电池供电的应用
在0.23微米制程技术制造的
- 兼容0.32微米Am29SL800C设备
高性能
- 存取时间快90纳秒
超低功耗(在5个典型值
兆赫)
- 0.2 μA自动睡眠模式电流
- 0.2 μA,待机模式下的电流
- 5毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
科幻fteen 64字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
科幻fteen 32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门,以防止硬件方法
内的任何程序或擦除操作
扇形
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
每次最少百万擦除周期保证
扇形
20年的数据保存在125°C
封装选项
- 48引脚TSOP
- 48球FBGA
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
27546
启:
A
Amendment/+1
发行日期:
2003年3月17日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该Am29SL800D是8兆, 1.8 V电压,仅限于Flash
内存组织为1,048,576字节或524,288
话。该器件采用48引脚TSOP和提供48-
球FBGA封装。字级数据( X16 )
出现在DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据
出现在DQ7 - DQ0 。此装置被设计成
编程和擦除在系统与单个1.8
伏V
CC
供应量。无V
PP
是写或擦除操作。
该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
该标准的设备提供了90,100次访问,
120和150纳秒,从而允许高速的微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单1.8伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法automati-
美云preprograms阵列(如果它已不
编程)执行擦除操作之前。
在擦除,擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29SL800D
2003年3月17日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊处理的说明FBGA封装.................. 6
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29SL800D设备总线操作................................ 9
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 22
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 22
表6.写操作状态............................................ ......... 23
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
图7.最大负过冲波形的最大负面
略去过冲波形............................................... ................ 24
图8.最大正过冲波形........................ 24
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动
休眠电流) .............................. ............................... 26
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 26
字/字节配置.............................................. ............ 9
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列.............................. 9
编程和擦除操作状态.................................... 10
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ............ 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 10
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2. Am29SL800DT热门引导块扇区地址表..... 11
表3. Am29SL800DB底部引导块,扇区地址表12
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
图11.测试设置............................................. ........................ 27
表7.测试规范............................................. .............. 27
关键开关波形.............................................. .... 27
图12.输入波形和测量水平................. 27
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
读操作................................................ .................... 28
图13.读操作时序............................................ 28
图14. RESET #时序............................................ .............. 29
自选模式................................................ ..................... 13
表4. Am29SL800D自动选择代码(高压法) ..13
扇区保护/ unprotection的.............................................. 13
临时机构撤消............................................... ... 13
图1.在系统部门保护/撤消算法.............. 14
图2.临时机构撤消操作........................... 15
字/字节配置( BYTE # ) ........................................ 30
图15. BYTE #时序进行读操作............................ 30
图16. BYTE #时序写操作............................ 30
擦除/编程操作.............................................. ....... 31
图17.程序操作时序..........................................
图18.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图21. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
32
33
34
34
35
硬件数据保护............................................... ....... 15
低V
CC
写禁止................................................ .............. 15
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 15
逻辑禁止................................................ .......................... 15
上电写禁止............................................. ............... 15
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
读阵列数据............................................... ................. 15
复位命令................................................ ..................... 15
自选命令序列............................................ 16
字/字节编程命令序列............................. 16
解锁绕道命令序列..................................... 16
图3.程序操作............................................. ............. 17
临时机构撤消............................................... ... 35
图22.临时机构撤消时序图.............. 35
图23.部门保护/撤消时序图.................... 36
备用CE #控制的擦除/编程操作............ 37
图24.备用CE #控制的写操作时序...... 38
芯片擦除命令序列........................................... 17
扇区擦除命令序列........................................ 17
擦除暂停/删除恢复命令........................... 18
图4.擦除操作............................................. .................. 18
表5. Am29SL800D命令定义................................ 19
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 20
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 20
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 21
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 21
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 21
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ .. 21
图6.切换位算法............................................ ............. 22
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 39
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
TS 048-48针标准TSOP .......................................... ... 40
TSR048-48引脚的反向TSOP ........................................... .. 41
FBA048-48球细间距球栅阵列( FBGA )
6 ×8 mm封装............................................. ..................... 42
FBC048-48球细间距球栅阵列( FBGA )
8 ×9 mm封装............................................. ..................... 43
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
版本A( 2003年2月4日) .......................................... ...... 44
版本A + 1 ( 2003年3月17日) ........................................ ...... 44
2003年3月17日
Am29SL800D
3
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
产品选择指南
系列型号
速度选项
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
90
90
90
30
100
100
100
35
Am29SL800D
120
120
120
50
150
150
150
65
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ15 ( A- 1 )
WE#
BYTE #
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A18
4
Am29SL800D
2003年3月17日
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