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Am29PDS322D
数据表
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。虽然文件
标有最初开发的规范的公司的名称,飞索将
继续提供这些产品的现有客户。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
Spansion公司继续支持以“ AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购这些
产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
23569
调整
A
修订
5
发行日期
2006年12月4日
这页有意留为空白。
数据表
Am29PDS322D
32兆位(2M ×16位) CMOS 1.8伏只( 1.8 V至2.2 V )
同时读/写页模式引导扇区闪存
特色鲜明
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行。
读取和写入操作之间的零延迟
页面模式操作
- 4字页允许快速异步读取
双行架构
- 一个4兆的银行和一个28兆的银行
SecSi (安全硅)行业:额外64 K字节
扇形
工厂锁定和识别:
16字节的电子
序列号可用于工厂安全的,随机的
ID ;通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂数据保护
客户可锁定:
可以读取,编程,或者
就像其他行业的擦除。一旦锁定,数据
不能改变
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
零。
封装选项
- 48球FBGA
顶部或底部启动块
在0.23微米制程技术制造的
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
性能特点
高性能
- 存取时间快40纳秒( 100ns的随机访问
时间)在1.8 V至2.2 V V
CC
- 在1.8 V至2.2 VV随机存取时间为100 ns
CC
将需要为客户向下迁移
电压
超低功耗(典型值)
- 2.5毫安在1 MHz的初始页面有效的读电流
- 在10 MHz的初始页面24毫安有效的读电流
- 0.5毫安读操作工作电流为10 MHz时为内页
- 1 mA的20兆赫内页读操作工作电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
每次保证至少1百万次写周期
扇形
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程,
使EEPROM仿真
- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,使编程
同一家银行
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读方式
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能可保护2
最外层的引导扇区,无论部门保护
状态
- 加速度( ACC )功能,加速项目
定时
- ACC电压为8.5 V至12.5 V
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
23569
启:
A
Amendment/5
发行日期:
2006年12月4日
D A T A
中文ê (E T)
概述
该Am29PDS322D是32兆, 1.8 V ,仅限于Flash
内存组织为16位2,097,152字
每一个。该器件采用48球FBGA封装
年龄。本设备被设计在系进行编程
TEM与标准体系1.8 V V
CC
供应量。这
装置还可以在标准重新编程
EPROM编程器。
该Am29PDS322D提供了快速页面访问时间
40毫微秒为100毫微秒(随机存取时间在1.8伏至
2.2 V V
CC
) ,从而允许高速的微处理器的操作
处理机无需等待。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能( CE ),写
使能(WE )和输出使能(OE )控制。该
页大小是4个字。
只有一个设备需要
单1.8伏电源支持
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
其他闪存部门,也可以永久地锁定自己
有代码。
DMS (数据管理软件)
允许系统
轻松利用先进的架构优势
的同时读通过允许/写产品线
清除EEPROM器件。 DMS也将使
系统软件被简化,因为其将执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能,
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段(一个电话号码或
的配置数据,例如)时,用户只需要
到状态这一段数据要被更新,并
其中,在更新的数据是存放在系统中。这
isanad VA ntagecomparedtosystem swhere
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置,状态,逻辑到物理转换
数据到闪存装置(或存储器DE-
虎钳) ,等等。使用DMS ,用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是,用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件,以简化系统设计和软件
洁具一体化的努力。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置自动返回
为读模式。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分成两个组。该装置可以整体提高
通过允许主机系统向亲系统性能
克,或立刻键和Si-擦除一家银行,然后
从其他银行multaneously读,零
潜伏期。这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
该装置被划分为列于下表中:
银行部门1
QUANTITY
8
7
SIZE
4 K字
56
32 K字
4兆位总
28兆位总
32 K字
银行2行业
QUANTITY
SIZE
Am29PDS322D特点
SecSi (安全硅)行业
是一个额外的64
K字节扇区能够被永久锁定
AMD或客户。该
SecSi标志位
( DQ7 )是
永久设置为1 ,如果部分是
工厂锁定,
并设置为0,如果
客户可锁定。
通过这种方式,客
Tomer的可锁定的部件不能被用于替换
工厂锁定的一部分。
工厂锁定部分提供了几个选项。该
SecSi扇区可存储一个安全的,随机的16字节
ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或
两者。顾客可锁定部件可利用SecSi
部门奖金的空间,读,写像任何
2
Am29PDS322D
2006年23569A5 12月4日,
D A T A
中文ê (E T)
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
特殊处理的说明FBGA封装.................... 5
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
表1. Am29PDS322D设备总线操作............................. 8
扇区擦除命令序列........................................ 24
擦除暂停/删除恢复命令........................... 24
图6.擦除操作............................................. ................. 25
Am29PDS322D命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 26
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 27
如图7,数据#轮询算法........................................... ....... 27
对于读阵列数据要求..................................... 8
阅读模式................................................ ............................... 8
随机读取(非页面模式读取) ......................................... 8 ...
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 28
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 28
图8.切换位算法............................................ ............ 28
页面模式读取............................................... ....................... 9
表2页字模式............................................ .................... 9
写命令/命令序列.............................. 9
加快程序运行............................................... ......... 9
自选功能................................................ ......................... 9
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 29
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 29
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 29
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 29
表11.写操作状态............................................ ....... 30
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
图9.最大负过冲波形...................... 31
图10.最大正向超调波形...................... 31
同时读/写操作零延迟......... 9
待机模式................................................ .......................... 9
自动休眠模式............................................... ............ 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 10
输出禁止模式............................................... ............... 10
表3. Am29PDS322DT顶部引导扇区地址.................. 11
表4. Am29PDS322DT顶部引导SecSi扇区地址........... 12
表5. Am29PDS322DB底部引导扇区地址............ 12
表6. Am29PDS322DB底部引导SecSi扇区地址。 。 0.14
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
图11.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动
休眠电流) .............................. ............................... 33
图12.典型I
CC1
与频率............................................ 33
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图13.测试设置............................................. ....................... 34
表12.测试规范............................................. ............ 34
自选模式................................................ ..................... 15
表7.自动选择代码(高压法) ........................ 15
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图14.输入波形和测量水平................. 34
部门/部门块保护和unprotection的.................. 16
表8.前引导扇区/扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... .................... 16
表9.底部引导扇区/扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... .................... 16
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图15.传统的读操作时序......................... 35
图16.页面模式读取时序........................................... 36
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 37
图17.复位时序............................................. .................. 37
写保护( WP # ) ............................................ .................... 17
临时机构/部门撤消座............................. 17
图1.临时机构撤消操作........................... 17
图2.临时机构集团撤消操作................ 18
图3.在系统集团部门保护/撤消算法... 19
擦除和编程操作.............................................. 38
图18.程序操作时序..........................................
图19.加速程序时序图..........................
图20.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图21.返回到后端的读/写周期时序......................
图22.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图23.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图24. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
39
39
40
41
41
42
42
SecSi (安全硅)部门闪存区.......... 20
工厂锁定: SecSi部门程序化和保护
在工厂............................................... ................................... 20
硬件数据保护............................................... ....... 20
低V
CC
写禁止................................................ ....................... 20
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 21
逻辑禁止................................................ .................................. 21
上电写禁止............................................. ....................... 21
临时机构撤消............................................... ... 43
图25.临时机构集团撤消时序图... 43
图26.类别组保护和撤消时序图.. 44
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 45
图27.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ .......................... 46
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
读阵列数据............................................... ................. 21
复位命令................................................ ..................... 21
自选命令序列............................................ 21
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 22
Word程序命令序列..................................... 22
解锁绕道命令序列.............................................. 22
芯片擦除命令序列........................................... 22
图4.解锁绕道算法............................................ ..... 23
图5.程序操作............................................. ............. 23
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 47
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
FBD048-48球细间距球栅阵列( FBGA )
6 ×12毫米封装............................................. ................... 48
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
2006年12月4日23569A5
Am29PDS322D
3
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    联系人:连
    地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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