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Am29PDL640G
数据表
RETIRED
产品
此产品已经退休,不适用于设计。对于新的和现有的设计,
S29PL064J取代Am29PDL640G ,是厂家推荐的迁移路径。请参考
到S29PL064J数据表的规格和订购信息。可用性本文件
保留只供参考用途及历史的目的。
2005年4月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与该公司的名称
最初开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。 appro-时会产生未来的例行修订
priate ,并更改将记录在修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
26573
调整
B
修订
+2
发行日期
2005年12月13日
这页有意留为空白。
Am29PDL640G
64兆位(4M ×16位) CMOS 3.0伏只,
同时读/写闪存增强
VersatileIO
TM
控制
特色鲜明
参考S29PL064J数据表的规格和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
架构优势
64 Mbit的页面模式设备
- 8字页面大小:快速页面进行读操作
在页面内的任意位置
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.1伏读取,擦除和
对于电池供电的应用程序操作
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
- 从写零延迟切换到读操作
FlexBank架构
- 4个独立的银行,拥有多达两个并发
每台设备的操作
- 银行 - 答: 8兆位( 4千瓦×8以及32KW ×15 )
- 银行B: 24兆位( 32千瓦×48 )
- 银行C: 24兆位( 32千瓦×48 )
- 银行D: 8兆位( 4千瓦×8和32千瓦×15 )
增强VersatileI / O
TM
(V
IO
)控制
- 输出电压产生和输入电压耐受
在所有控制输入和I / O被确定
电压在V
IO
SecSi
TM
(安全硅)扇形区域
- 最多可以访问128字通过一个命令
顺序
在一个设备中底部和顶部的引导块
在0.17微米制程技术制造的
20年的数据保存在125°C
每个部门最少百万擦除周期保证
性能特点
高性能
- 页面访问时间快25纳秒
- 随机存取时间快65纳秒
功耗(在10 MHz时的典型值)
- 25毫安有效的读电流
- 15毫安编程/擦除电流
- 0.2 μA典型待机模式电流
此产品已经退休,不适用于设计。对于新的和现有的设计, S29PL064J取代Am29PDL640G ,是厂家推荐的迁移路径。请
软件特点
软件命令集与JEDEC兼容42.4
标准
- 向下兼容Am29F和Am29LV
CFI (通用闪存接口)投诉
- 提供特定于设备的信息提供给系统,
使主机软件轻松进行重新配置
不同的闪存器件
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,以便阅读或
在同一家银行其他部门的业务计划
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备读取阵列
数据
WP # / ACC (写保护/加速)输入
- 在V
IL
,保护第一和最后两个4K字扇区
无论部门保护/取消保护状态
- 在V
IH
允许拆除部门保护
- 在V
HH
,提供了一个工厂更快的编程时间
环境
持久扇区保护
- 一个命令扇区保护方法来锁定
个别部门和行业团体的组合
防止程序或内擦除操作
扇形
- 扇区可以被锁定并且在V解锁的系统内
CC
水平
密码扇区保护
- 一个成熟的行业保护方法来锁定
个别部门和行业团体的组合
防止程序或内擦除操作
使用一个用户定义的64位密码扇区
封装选项
- 63球精细间距BGA
- 80球精细间距BGA
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
26573
启:
B
Amendment/+2
发行日期:
2005年12月13日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
D A T A中文ê (E T)
概述
该Am29PDL640G是64兆, 3.0伏只页面模式
和同时读取/写入闪存设备奥尔加
认列之为4 Mwords 。该器件采用63-或80球
细间距BGA封装。字级数据( X16 ) AP-
梨在DQ15 - DQ0 。此设备可被编程
在系统或标准EPROM编程器。 12.0 V
V
PP
不需要用于写入或擦除操作。
该器件提供了25页的快速访问时间,30和45
纳秒,以65对应的随机存取时间,70, 85 ,
和90纳秒,分别允许高速microproces-
理器,而无需等待状态运行。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
该设备完全指令集的兼容
42.4 JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要写入到命令寄存器使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为IN-
投入到内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存器AD-
所需的编程和擦除礼服和数据
操作。读数据从装置的类似于阅读 -
荷兰国际集团与其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序的COM
命令序列。解锁旁路模式有助于更快
通过要求只有两个写周期,以亲编程时间
克的数据,而不是四个。设备擦除发生了execut-
荷兰国际集团擦除命令序列。
主机系统可以检测是否编程或擦除OP-
关合作完成通过阅读DQ7 (数据#投票)和
DQ6 (切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
已完成,设备已准备好读取阵列数据或AC-
CEPT另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区是
擦除和重新编程,而不影响数据CON-
其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作期间
电源转换。硬件扇区保护功能
禁用这两个程序在任何组合擦除操作
化的内存部门。这可以在系统来实现,或
通过编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户把擦除搁置任何一段时间内读取数据
从或程序没有被选择的数据相关,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。如果一个
读取从SecSi部门区域(一次性亲需要
克面积)后的擦除暂停,则用户必须使用
适当的命令序列以进入和退出该区域。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定一段指定的时间,所述量
器件进入
自动休眠模式。
该系统可
同时将设备进入待机模式。功率变
消耗是在这两个模式下大大降低。
AMD的闪存技术相结合多年的闪存
制造经验,生产的最高水平
质量,可靠性和成本效益。该器件electri-
通过美云擦除一个扇区内的所有位同时进行
福勒- Nordheim隧穿。该数据是使用编程
热电子注入。
与同时读/写操作
零延迟
同时读/写架构提供
simul-
taneous操作
通过将存储器空间划分为4
银行,它可以被认为是四个独立的存储器
阵列就某些操作有关。 DE-的
副可通过使一个改善系统的整体性能
主机系统编程或擦除一家银行,然后被立即
ately并同时从另一家银行的读取零
等待时间(有两个同时操作工作在任何
一度) 。这从等待释放系统
节目结束或擦除操作,大大不仅改善
荷兰国际集团的系统性能。
该装置可被安排在底部和顶部的扇区
配置。该银行安排如下:
银行
A
B
C
D
扇区
8兆位( 4千瓦×8和32千瓦×15 )
24兆位( 32千瓦×48 )
24兆位( 32千瓦×48 )
8兆位( 4千瓦×8和32千瓦×15 )
页面模式功能
该设备是AC时间,输入/输出,并包
相容
IBLE有4兆位x16的页面模式掩膜ROM 。
页面大小
是8个字。
后初始页面访问完成时,页面模式OP-
关合作提供的任意位置快速读取访问速度
内的页面。
标准闪存产品特点
该设备需要
单3.0伏电源
(2.7 V
3.1 V)的读写功能。内部gener-
提供了用于在程序ated和稳压电压
和擦除操作。
2
Am29PDL640G
2005年12月13日
D A T A中文ê (E T)
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
同时读/写框图。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
表1. Am29PDL640G设备总线操作........................... 11
表11.系统接口字符串............................................ ....... 25
对于读阵列数据要求................................... 11
随机读取(非页读) .......................................... 11
页面模式读取............................................... ..................... 11
表2页选择............................................. .......................... 12
表12.设备几何定义................................. 26
表13.主要供应商特定的扩展查询........... 27
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
读阵列数据............................................... ................. 28
复位命令................................................ ..................... 28
自选命令序列............................................ 28
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 29
Word程序命令序列...................................... 29
解锁绕道命令序列..................................... 29
图4.程序运行............................................. ............ 30
同时操作................................................ ......... 12
表3.银行选择............................................. .......................... 12
芯片擦除命令序列........................................... 30
扇区擦除命令序列........................................ 30
擦除暂停/删除恢复命令........................... 31
图5.擦除操作............................................. ................. 31
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行............................................. 12
自选功能................................................ .............. 12
待机模式................................................ ........................ 12
自动休眠模式............................................... ............ 13
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 13
输出禁止模式............................................... ............... 13
表4. Am29PDL640G部门架构................................. 13
表5.银行地址............................................. ....................... 15
表6. SecSi
TM
扇区地址............................................... 15
自选模式................................................ ..................... 15
表7.自动选择代码(高压法) ........................ 16
表8. Am29PDL640G引导扇区/扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... .................... 16
扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
持久扇区保护............................................... .... 17
持久保护位( PPB ) ............................................ ... 17
持久保护位锁定( PPB锁) ............................. 17
动态保护位( DYB ) ............................................ .... 17
表9.扇区保护计划............................................ ... 18
密码程序命令............................................... 31
密码验证命令............................................... ..... 32
密码保护模式锁定位程序命令.. 32
持久扇区保护模式锁定位程序
命令................................................. .............................. 32
SecSi扇区保护位程序命令.................... 32
PPB锁定位设置命令............................................. ...... 32
DYB写命令............................................... .............. 32
密码解锁指令............................................... ... 33
PPB程序命令............................................... ......... 33
所有PPB擦除命令.............................................. .......... 33
DYB写命令............................................... .............. 33
PPB锁定位设置命令............................................. ...... 33
PPB状态命令............................................... ............. 33
PPB锁定位状态命令............................................. 33
扇区保护状态命令....................................... 33
命令定义表............................................... ... 34
表14.内存阵列命令定义............................. 34
表15.扇区保护命令定义........................ 35
持久扇区保护模式锁定位...................... 18
密码保护模式............................................... ...... 18
密码和密码模式锁定位........................... 19
64位密码.............................................. ........................ 19
写保护( WP # ) ............................................ .................... 19
持久保护位锁定.............................................. ... 19
高压扇区保护.............................................. 20
图1.在系统扇区保护/
部门unprotection的算法............................................... ....... 21
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 36
图6.数据#投票算法........................................... ....... 36
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 37
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 37
图7.切换位算法............................................ ............ 37
临时机构撤消............................................... ... 22
图2.临时机构撤消操作........................... 22
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 38
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 38
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 38
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 38
表16.写操作状态............................................ ....... 39
SecSi (安全硅)行业
闪存地区............................................... ............. 22
SecSi扇区保护位.............................................. ...... 23
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 23
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
图8.最大负过冲波形...................... 40
图9.最大正过冲波形........................ 40
硬件数据保护............................................... ....... 23
低VCC写禁止.............................................. .............. 23
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 23
逻辑禁止................................................ .......................... 23
上电写禁止............................................. ............... 23
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 23
表10. CFI查询标识字符串............................ 25
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
图10.测试设置............................................. ....................... 42
图11.输入波形和测量水平................. 42
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
只读操作.............................................. ............. 43
图12.读操作时序............................................ ... 43
图13.页读操作时序...................................... 44
2005年12月13日
Am29PDL640G
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