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Am29PDL640G
数据表
-XO \\ ????
7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG
0LFUR设备SNMP DQG ) XMLWVX ? $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ?
LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ? WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG
) XMLWVX ?
规格连续性
7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ? $ Q \\
FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH
GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ? ZKHUH VXSSRUWHG ? ) XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ?
DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ?
订购零件编号的连续性
0美元“ DQG ) XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P' DQG 0 % 0' ? 7R RUGHU
WKHVH SURGXFWV ? SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ?
欲了解更多信息
3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ) XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ
PHPRU \\ VROXWLRQV ?
公开号
26573
调整
B
修订
+1
发行日期
2003年2月26日
初步
Am29PDL640G
64兆位(4M ×16位) CMOS 3.0伏只,同步读/写闪存
内存增强VersatileIO
TM
控制
特色鲜明
架构优势
64 Mbit的页面模式设备
- 8字页面大小:快速页面读取访问随机
在页面内的位置
软件特点
软件命令集与JEDEC兼容42.4
标准
- 向下兼容Am29F和Am29LV家庭
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.1伏读取,擦除和编程
对于电池供电的应用操作
CFI (通用闪存接口)投诉
- 提供特定于设备的信息发送到系统中,从而允许
主机软件可以轻松地重新配置不同的闪存器件
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
- 从写零延迟切换到读操作
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,允许读取或程序
在同一家银行的其他部门的操作
FlexBank架构
- 4个独立的银行,拥有最多两个同步操作
每个器件
- 银行 - 答: 8兆位( 4千瓦×8以及32KW ×15 )
- 银行B: 24兆位( 32千瓦×48 )
- 银行C: 24兆位( 32千瓦×48 )
- 银行D: 8兆位( 4千瓦×8和32千瓦×15 )
解锁绕道程序命令
- 发出多个时,降低了总体规划的时间
程序的命令序列
硬件特性
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供了检测程序或擦除硬件方法
周期结束
增强VersatileI / O
TM
(V
IO
)控制
- 输出电压产生的电压和输入电压的耐受性都
控制输入端和I / O是通过在所述电压测定
V
IO
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件方法来将设备重置读取数组数据
WP # / ACC (写保护/加速)输入
- 在V
IL
,保护第一和最后两个4K字扇区
无论部门保护/取消保护状态
- 在V
IH
允许拆除部门保护
- 在V
HH
,提供了一个工厂更快的编程时间
环境
SecSi
TM
(安全硅)扇形区域
- 最多可以访问128个字,通过一个命令序列
在一个设备中底部和顶部的引导块
在0.17微米制程技术制造的
20年的数据保存在125°C
每个部门最少百万擦除周期保证
持久扇区保护
- 一个命令扇区保护方法来锁定组合
个别部门和行业组织,以防止程序或
该部门擦除操作
- 扇区可以被锁定并且在V解锁的系统内
CC
水平
性能特点
高性能
- 页面访问时间快25纳秒
- 随机存取时间快65纳秒
密码扇区保护
- 一个成熟的行业保护方法来锁定
个别部门和行业团体的组合
防止程序或使用该部门擦除操作
用户定义的64位的密码
功耗(在10 MHz时的典型值)
- 25毫安有效的读电流
- 15毫安编程/擦除电流
- 0.2 μA典型待机模式电流
封装选项
- 63球精细间距BGA
- 80球精细间距BGA
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
26573
启:
B
Amendment/+1
发行日期:
2003年2月26日
P L I M I N A R
概述
该Am29PDL640G是64兆, 3.0伏只页面模式
和同时读取/写入闪存设备奥尔加
认列之为4 Mwords 。该器件采用63-或80球
细间距BGA封装。字级数据( X16 ) AP-
梨在DQ15 - DQ0 。此设备可被编程
在系统或标准EPROM编程器。 12.0 V
V
PP
不需要用于写入或擦除操作。
该器件提供了25页的快速访问时间,30和45
纳秒,以65对应的随机存取时间,70, 85 ,
和90纳秒,分别允许高速microproces-
理器,而无需等待状态运行。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
该设备完全指令集的兼容
42.4 JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要写入到命令寄存器使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为IN-
投入到内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存器AD-
所需的编程和擦除礼服和数据
操作。读数据从装置的类似于阅读 -
荷兰国际集团与其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序的COM
命令序列。解锁旁路模式有助于更快
通过要求只有两个写周期,以亲编程时间
克的数据,而不是四个。设备擦除发生了execut-
荷兰国际集团擦除命令序列。
主机系统可以检测是否编程或擦除OP-
关合作完成通过阅读DQ7 (数据#投票)和
DQ6 (切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取阵列数据或
接受另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区是
擦除和重新编程,而不影响数据CON-
其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作期间
电源转换。硬件扇区保护功能
禁用这两个方案,并在任意组合擦除操作
民族的记忆扇区。这可以在系统内可以实现
或通过编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户把擦除搁置任何一段时间内读取数据
从或程序没有被选择的数据相关,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。如果一个
读取从SecSi部门区域(一次性亲需要
克面积)后的擦除暂停,则用户必须使用
适当的命令序列以进入和退出该区域。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定一段指定的时间,所述量
器件进入
自动休眠模式。
该系统可
同时将设备进入待机模式。功率变
消耗是在这两个模式下大大降低。
AMD的闪存技术相结合多年的闪存
制造经验,生产的最高水平
质量,可靠性和成本效益。该器件electri-
通过美云擦除一个扇区内的所有位同时进行
福勒- Nordheim隧穿。该数据是使用编程
热电子注入。
与同时读/写操作
零延迟
同时读/写架构提供
simul-
taneous操作
通过将存储器空间划分为4
银行,它可以被认为是四个独立的存储器
阵列就某些操作有关。 DE-的
副可通过使一个改善系统的整体性能
主机系统编程或擦除一家银行,然后被立即
ately并同时从另一家银行的读取零
等待时间(有两个同时操作工作在任何
一度) 。这从等待释放系统
节目结束或擦除操作,大大不仅改善
荷兰国际集团的系统性能。
该装置可被安排在底部和顶部的扇区
配置。该银行安排如下:
银行
A
B
C
D
扇区
8兆位( 4千瓦×8和32千瓦×15 )
24兆位( 32千瓦×48 )
24兆位( 32千瓦×48 )
8兆位( 4千瓦×8和32千瓦×15 )
页面模式功能
该设备是AC时间,输入/输出,并包
相容
IBLE有4兆位x16的页面模式掩膜ROM 。
页面大小
是8个字。
后初始页面访问完成时,页面模式OP-
关合作提供的任意位置快速读取访问速度
内的页面。
标准闪存产品特点
该设备需要
单3.0伏电源
(2.7 V
3.1 V)的读写功能。内部gener-
提供了用于在程序ated和稳压电压
和擦除操作。
2
Am29PDL640G
2003年2月26日
P L I M I N A R
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
同时读/写框图。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
表1. Am29PDL640G设备总线操作........................... 11
Word程序命令序列...................................... 29
解锁绕道命令序列..................................... 29
图4.程序运行............................................. ............ 30
芯片擦除命令序列........................................... 30
扇区擦除命令序列........................................ 30
擦除暂停/删除恢复命令........................... 31
图5.擦除操作............................................. ................. 31
对于读阵列数据要求................................... 11
随机读取(非页读) .......................................... 11
页面模式读取............................................... ..................... 11
表2页选择............................................. .......................... 12
同时操作................................................ ......... 12
表3.银行选择............................................. .......................... 12
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行............................................. 12
自选功能................................................ .............. 12
自动休眠模式............................................... ............ 13
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 13
输出禁止模式............................................... ............... 13
表4. Am29PDL640G部门架构................................. 13
表5.银行地址............................................. ....................... 15
表6. SecSi
TM
扇区地址............................................... 15
表7.自动选择代码(高压法) ........................ 16
表8. Am29PDL640G引导扇区/扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... .................... 16
密码程序命令............................................... 31
密码验证命令............................................... ..... 32
密码保护模式锁定位程序命令.. 32
持久扇区保护模式锁定位程序
命令................................................. .............................. 32
SecSi扇区保护位程序命令.................... 32
PPB锁定位设置命令............................................. ...... 32
DYB写命令............................................... .............. 32
密码解锁指令............................................... ... 33
PPB程序命令............................................... ......... 33
所有PPB擦除命令.............................................. .......... 33
DYB写命令............................................... .............. 33
PPB锁定位设置命令............................................. ...... 33
PPB状态命令............................................... ............. 33
PPB锁定位状态命令............................................. 33
扇区保护状态命令....................................... 33
表14.内存阵列命令定义............................. 34
表15.扇区保护命令定义........................ 35
扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
持久扇区保护............................................... .... 17
持久保护位( PPB ) ............................................ ... 17
持久保护位锁定( PPB锁) ............................. 17
动态保护位( DYB ) ............................................ .... 17
表9.扇区保护计划............................................ ... 18
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 36
图6.数据#投票算法........................................... ....... 36
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 37
图7.切换位算法............................................ ............ 37
持久扇区保护模式锁定位...................... 18
密码保护模式............................................... ...... 18
密码和密码模式锁定位........................... 19
64位密码.............................................. ........................ 19
写保护( WP # ) ............................................ .................... 19
持久保护位锁定.............................................. ... 19
高压扇区保护.............................................. 20
图1.在系统扇区保护/
部门unprotection的算法............................................... ....... 21
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 38
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 38
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 38
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 38
表16.写操作状态............................................ ....... 39
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
图8.最大负过冲波形...................... 40
图9.最大正过冲波形........................ 40
临时机构撤消............................................... ... 22
图2.临时机构撤消操作........................... 22
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
图10.测试设置............................................. ....................... 42
图11.输入波形和测量水平................. 42
SecSi (安全硅)行业
闪存地区............................................... ............. 22
SecSi扇区保护位.............................................. ...... 23
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 23
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
只读操作.............................................. ............. 43
图12.读操作时序............................................ ... 43
图13.页读操作时序...................................... 44
硬件数据保护............................................... ....... 23
低VCC写禁止.............................................. .............. 23
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 23
逻辑禁止................................................ .......................... 23
上电写禁止............................................. ............... 23
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
读阵列数据............................................... ................. 28
复位命令................................................ ..................... 28
自选命令序列............................................ 28
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 29
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 45
图14.复位时序............................................. .................. 45
擦除和编程操作.............................................. 46
图15.程序操作时序..........................................
图16.加速程序时序图..........................
图17.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图18.返回到后端的读/写周期时序......................
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图21. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
47
47
48
49
49
50
50
临时机构撤消............................................... ... 51
图22.临时机构撤消时序图.............. 51
2003年2月26日
Am29PDL640G
3
P L I M I N A R
图23.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... ............... 52
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 53
图24.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ ........................... 54
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
BGA球电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
55
55
55
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56
FBE080-80球细间距球栅阵列
12 ×11毫米封装............................................. ................. 56
FBE063-63球细间距球栅阵列
12 ×11毫米包装............................................. ................. 57
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
4
Am29PDL640G
2003年2月26日
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    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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