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Am29PDL129H
数据表
RETIRED
产品
此产品已经退休,不适用于设计。对于新的和现有的设计,
S29PL129J取代Am29PDL129H ,是厂家推荐的迁移路径。请参考
到S29PL129J数据表的规格和订购信息。可用性本文件
保留只供参考用途及历史的目的。
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与该公司的名称
最初开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。 appro-时会产生未来的例行修订
priate ,并更改将记录在修订摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
26842
调整
B
修订
+3
发行日期
2005年11月2日
这页有意留为空白。
Am29PDL129H
128兆位(8M ×16位) CMOS 3.0伏只,页面模式
同时读/写闪存增强
VersatileIO
TM
控制与双芯片使能输入
此产品已经退休,不适用于设计。对于新的和现有的设计, S29PL129J取代Am29PDL129H ,是工厂recom-
谁料迁移路径。请参阅S29PL129J数据表的规格和订购信息。可用性此文件被保留,以供参考
历史仅供参考。
特色鲜明
架构优势
128 Mbit的页面模式设备
- 8字页面大小:快速页面读取访问随机
在页面内的位置
- 45毫安有效的读电流
- 15毫安编程/擦除电流
- 1 μA典型待机模式电流
双芯片使能输入
- 两个CE#输入控制选择内存各占一半
空间
软件特点
软件命令集与JEDEC兼容42.4
标准
- 向下兼容Am29F和Am29LV家庭
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取,擦除和编程
对于电池供电的应用操作
CFI (通用闪存接口)投诉
- 提供特定于设备的信息发送到系统中,从而允许
主机软件可以轻松地重新配置不同的闪存器件
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
- 从写零延迟切换到读操作
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,允许读取或程序
在同一家银行的其他部门的操作
FlexBank架构
- 4个独立的银行,拥有最多两个同步操作
每个器件
- 银行1A : 48兆位( 32千瓦×96 )
- 银行1B : 16兆位( 4千瓦×8和32千瓦×31 )
- 银行2A : 16兆位( 4千瓦×8和32千瓦×31 )
- 银行2B : 48兆位( 32千瓦×96 )
解锁绕道程序命令
- 发出多个时,降低了总体规划的时间
程序的命令序列
硬件特性
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供了检测程序或擦除硬件方法
周期结束
增强VersatileI / O
TM
(V
IO
)控制
- 输出电压产生的电压和输入电压的耐受性都
控制输入端和I / O是通过在所述电压测定
V
IO
— V
IO
选择在1.8 V和3 V的I / O
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件方法来将设备重置读取数组数据
WP # / ACC (写保护/加速)输入
- 在V
IL
,第一和最后两个4K的硬件级保护
一句话部门。
- 在V
IH
允许拆除部门保护
- 在V
HH
提供加速编程工厂
环境
SecSi
TM
(安全硅)扇形区域
- 最多可以访问128个字,通过一个命令序列
- 最多64个工厂锁定的话
- 最多64个客户,可锁定的话
持久扇区保护
- 一个命令扇区保护方法来锁定组合
个别部门和行业组织,以防止程序或
该部门擦除操作
- 扇区可以被锁定并且在V解锁的系统内
CC
水平
在一个设备中底部和顶部的引导块
在0.13微米制程技术制造的
20年的数据保存在125°C
每个部门最少百万擦除周期保证
密码扇区保护
- 一个成熟的行业保护方法来锁定
个别部门和行业团体的组合
防止程序或使用该部门擦除操作
用户定义的64位的密码
性能特点
高性能
- 页面访问时间快20纳秒
- 随机存取时间快55纳秒
封装选项
- 80球精细间距BGA
- 多芯片封装( MCP )
功耗(在10 MHz时的典型值)
公开号:
26842
启:
B
修订/
+3
发行日期:
2005年11月2日
概述
该Am29PDL129H是128兆, 3.0伏只页面模式
和同时读取/写入闪存设备奥尔加
认列之为8 Mwords 。该器件采用80焊球提供精细
间距BGA封装,以及各种多芯片封装。该
字宽的数据( X16 )出现在DQ15 - DQ0 。该装置
可在系统或标准EPROM编程亲
程序员。 12.0 V V
PP
不需要用于写入或擦除OP-
操作。
该器件提供20至30毫微秒快速页面访问时间,以
对应的55至85毫微秒的随机存取时间, respec-
疑心,允许高速微处理器操作与 -
从等待状态。为了消除总线争用的设备已经
独立的芯片使能( CE1 # , CE2 # ) ,写使能( WE# )和
输出使能( OE # )控制。双芯片使让AC-
塞斯至128兆位存储器空间的2个64兆位的分区。
该设备完全指令集的兼容
42.4 JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要写入到命令寄存器使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为IN-
投入到内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存器AD-
所需的编程和擦除礼服和数据
操作。读数据从装置的类似于阅读 -
荷兰国际集团与其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序的COM
命令序列。解锁旁路模式有助于更快
通过要求只有两个写周期,以亲编程时间
克的数据,而不是四个。设备擦除发生了execut-
荷兰国际集团擦除命令序列。
主机系统可以检测是否编程或擦除OP-
关合作完成通过阅读DQ7 (数据#投票)和
DQ6 (切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
已完成,设备已准备好读取阵列数据或AC-
CEPT另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区是
擦除和重新编程,而不影响数据CON-
其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作期间
电源转换。硬件扇区保护功能
禁用这两个程序在任何组合擦除操作
化的内存部门。这可以在系统来实现,或
通过编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户把擦除搁置任何一段时间内读取数据
从或程序没有被选择的数据相关,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。如果一个
读取从SecSi部门区域(一次性亲需要
克面积)后的擦除暂停,则用户必须使用
适当的命令序列以进入和退出该区域。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定一段指定的时间,所述量
器件进入
自动休眠模式。
该系统可
同时将设备进入待机模式。功率变
消耗是在这两个模式下大大降低。
AMD的闪存技术相结合多年的闪存
制造经验,生产的最高水平
质量,可靠性和成本效益。该器件electri-
通过美云擦除一个扇区内的所有位同时进行
福勒- Nordheim隧穿。该数据是使用编程
热电子注入。
与同时读/写操作
零延迟
同时读/写架构提供
simul-
taneous操作
通过将存储器空间划分为4
银行,它可以被认为是四个独立的存储器
阵列就某些操作有关。 DE-的
副可通过使一个改善系统的整体性能
主机系统编程或擦除一家银行,然后被立即
ately并同时从另一家银行的读取零
等待时间(有两个同时操作工作在任何
一度) 。这从等待释放系统
节目结束或擦除操作,大大不仅改善
荷兰国际集团的系统性能。
该装置可被安排在底部和顶部的扇区
配置。该银行安排如下:
芯片使能配置
CE1 #控制
银行1A
48兆位( 32千瓦×96 )
银行1B
16兆位( 4千瓦×8和32千瓦×31 )
CE2 #控制
银行2A
16兆位( 4千瓦×8和32千瓦×31 )
银行2B
48兆位( 32千瓦×96 )
页面模式功能
页大小是8个字。经过最初的页面访问accom-
plished ,页面模式能提供快速的读取访问
速度该页面中的随机位置。
标准闪存产品特点
该设备需要
单3.0伏电源
(2.7 V
以3.6 V或2.7 V至3.3 V ),用于读取和写入功能。
内部产生的,并提供稳定的电压
程序和擦除操作。
注意:
下一代S29PL129J将具有不同的存储体结构,具体如下:
芯片使能配置
CE1 #控制
银行1A
16兆位( 4千瓦×8和32千瓦×31 )
银行1B
48兆位( 32千瓦×96 )
CE2 #控制
银行2A
48兆位( 32千瓦×96 )
银行2B
16兆位( 4千瓦×8和32千瓦×31 )
2
Am29PDL129H
2005年11月2日
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
同时操作框图。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1. Am29PDL129H设备总线操作........................... 10
PPB锁定位状态.............................................. ................ 27
表14.内存阵列命令定义............................. 28
表15.扇区保护命令定义........................ 29
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
图6.最大负过冲波形...................... 30
图7.最大正过冲波形........................ 30
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
图8.测试设置, VIO = 2.7 - 3.6 V ...................................... .. 32
图9.输入波形和测量水平................... 32
随机读取(非页读) .......................................... 10
页面模式读取............................................... ..................... 10
表2页选择............................................. .......................... 10
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
# CE1 / CE2 #时序............................................ ..................... 33
图10.时序图交替之间# CE1和CE2 #
控制................................................. ........................................... 33
同时操作................................................ ......... 10
表3.银行选择............................................. .......................... 11
表4. Am29PDL129H部门架构.................................. 12
表5.地址.............................................. ......................... 19
表6.自动选择代码(高压法) ........................ 19
表7. Am29PDL129H引导扇区/扇区块的地址
保护/ unprotection的
CE1 #控制............................................... .................................... 20
表8. Am29PDL129H引导扇区/扇区块的地址
保护/ unprotection的
CE2 #控制............................................... .................................... 20
表9.扇区保护计划............................................ ... 21
只读操作.............................................. ............. 33
图11.读操作时序............................................ ... 34
图12.页读操作时序...................................... 34
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 35
图13.复位时序............................................. .................. 35
擦除和编程操作.............................................. 36
图14.程序操作时序..........................................
图15.加速程序时序图..........................
图16.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图17.返回到后端的读/写周期时序......................
图18.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图19.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图20. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
37
37
38
39
39
40
40
写保护( WP # ) ............................................ .................... 21
持久保护位锁定.............................................. ... 21
高压扇区保护.............................................. 21
图1. ............................................... .......................................... 21
临时机构撤消............................................... ... 41
图21.临时机构撤消时序图.............. 41
图22.行业/部门块保护和撤消时序图
42
临时机构撤消............................................... ... 21
图2. ............................................... .......................................... 21
闪存地区............................................... ............. 21
工厂锁定的区域( 64个字) .......................................... .. 21
客户可锁定区域( 64个字) ...................................... 22
图3. SecSi部门保护算法................................... 23
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 43
图23.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ .......................... 44
SecSi扇区保护位.............................................. ..... 24
图4. SecSi部门保护验证........................................... ... 24
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 24
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
进入/退出命令序列............................................ 27
图5. ............................................... .......................................... 27
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
BGA球电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
45
45
45
45
46
2005年11月2日
Am29PDL129H
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
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