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Am29PDL128G
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持现有的以“ AM” ,并开始零件号“ MBM ”。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
25685
调整
B
B
修订++ 4
发行日期
二零零四年十月一十三日
发行日期
二零零四年十月一十三日
公开号25685修订
修订+4
这页有意留为空白。
2
二零零四年十月一十三日
Am29PDL128G
128兆位(8M ×16位/ 4米×32位) CMOS 3.0伏只,同时
读/写闪存VersatileIO
TM
控制
特色鲜明
架构优势
128Mbit的页面模式设备
- 字(16位)或通过双字( 32位)模式可选
WORD输入#
- 8字/ 4双字页面大小:快速页面读取访问权限
从页内的任意位置
软件特点
软件命令集与JEDEC兼容42.4
标准
- 向下兼容Am29F和Am29LV家庭
CFI (通用闪存接口)投诉
- 提供特定于设备的信息发送到系统中,从而允许
主机软件可以轻松地重新配置不同的闪存器件
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取,擦除和编程
对于电池供电的应用操作
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,允许读取或程序
在同一家银行的其他部门的操作
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
- 从写零延迟切换到读操作
解锁绕道程序命令
- 发出多个时,降低了总体规划的时间
程序的命令序列
FlexBank架构
- 4个独立的银行,拥有最多两个同步操作
每个器件
- 组织为两个16兆比特银行(银行1 & 4 )和两个48
兆银行(央行2 & 3 )
硬件特性
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供了检测程序或擦除硬件方法
周期结束
VersatileI / O
TM
(V
IO
)控制
- 输出电压生成和输入电压的耐受
装置由在V的电压来确定
IO
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件方法来将设备重置读取数组数据
SecSi (安全硅)扇形区域
- 128个字(64个双字)通过一个可访问
命令序列
WP # (写保护)输入
- 在V
IL
,保护两个顶部和底部两个部门,
无论部门保护/取消保护状态
- 在V
IH
允许拆除部门保护
- 内部上拉至Vcc提供
在一个设备中底部和顶部的引导块
在0.17微米制程技术制造的
20年的数据保存在125°C
每个部门最少百万擦除周期保证
持久扇区保护
- 一个命令扇区保护方法来锁定组合
个别部门和行业组织,以防止程序或
该部门擦除操作
- 扇区可以被锁定并且在V解锁的系统内
CC
水平
性能特点
高性能
- 页面访问时间快25纳秒
- 随机存取时间快70纳秒
密码扇区保护
- 一个成熟的行业保护方法来锁定
个别部门和行业团体的组合
防止程序或使用该部门擦除操作
用户定义的64位的密码
功耗(在10 MHz时的典型值)
- 38毫安有效的读电流
- 17毫安编程/擦除电流
- 1.5 μA典型待机模式电流
ACC (加速)输入提供了更快速的编程
在出厂设置时
封装选项
- 80 - ball加固BGA
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品的规格,本数据资料
在随后的版本或修改由于改变技术规范进行修订。
出版#
25685
启:
B
Amendment/+4
发行日期:
2004年10月28日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
P L I M I N A R
概述
该Am29PDL128G是128兆, 3.0伏只页面模式
和同时读取/写入闪存设备奥尔加
的发布为8 Mwords或4 M双字(一个字等于
以2个字节)。该器件采用80 - ball加固
BGA封装。所述字宽的数据( x16的)出现在
DQ15 - DQ0 ;双字模式数据( X32 )出现在
DQ31 - DQ0 。此装置可在系统或在被编程
标准EPROM编程器。 12.0 V V
PP
不要求
为写或擦除操作。
该器件提供了25和30 ns的快速页面访问时间,
与对应的70和80 ns的随机存取时间,
分别为,允许高速微处理器也能操作
吃无等待状态。为了消除总线争用的DE-
副设有独立的芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )
和输出使能( OE # )控制。
标准闪存产品特点
该设备需要
单3.0伏电源
(2.7 V
至3.6 V ),用于读取和写入功能。内部gener-
提供了用于在程序ated和稳压电压
和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
42.4 JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要写入到命令寄存器使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为IN-
投入到内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存器AD-
所需的编程和擦除礼服和数据
操作。读数据从装置的类似于阅读 -
荷兰国际集团与其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序的COM
命令序列。解锁旁路模式有助于更快
通过要求只有两个写周期,以亲编程时间
克的数据,而不是四个。设备擦除发生了execut-
荷兰国际集团擦除命令序列。
主机系统可以检测是否编程或擦除OP-
关合作完成通过阅读DQ7 (数据#投票)和
DQ6 (切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
已完成,设备已准备好读取阵列数据或AC-
CEPT另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区是
擦除和重新编程,而不影响数据CON-
其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作期间
电源转换。硬件扇区保护功能
禁用这两个程序在任何组合擦除操作
化的内存部门。这可以在系统来实现,或
通过编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户把擦除搁置任何一段时间内读取数据
从或程序没有被选择的数据相关,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。如果一个
读取从SecSi部门区域(一次性亲需要
克面积)后的擦除暂停,则用户必须使用
适当的命令序列以进入和退出该区域。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定一段指定的时间,所述量
器件进入
自动休眠模式。
该系统可
同时将设备进入待机模式。功率变
消耗是在这两个模式下大大降低。
AMD的闪存技术相结合多年的闪存
制造经验,生产的最高水平
质量,可靠性和成本效益。该器件electri-
通过美云擦除一个扇区内的所有位同时进行
福勒- Nordheim隧穿。该数据是使用编程
热电子注入。
与同时读/写操作
零延迟
同时读/写架构提供
simul-
taneous操作
通过将存储器空间划分为4
银行,它可以被认为是四个独立的存储器
阵列就某些操作有关。 DE-的
副可通过使一个改善系统的整体性能
主机系统编程或擦除一家银行,然后被立即
ately并同时从另一家银行的读取零
延迟(用2的同时操作操作在任何一个
时间)。此从等待完井释放系统
化的程序或擦除操作,大大提高了系
性能表现。
该装置可被安排在底部和顶部的扇区
CON连接gurations (见
表1)。
银行/扇区大小
扇区
8
31
96
96
8
31
扇区大小
(文字/后海湾干线。
WORD )
4/2
32/16
32/16
32/16
4/2
32/16
银行
1
2
3
4
银行规模
16兆位
48兆位
48兆位
16兆位
页面模式功能
该设备是AC时间,输入/输出,并包
相容
IBLE 8兆位x16的页面模式掩膜ROM 。
页面大小
是8个字或4个双字。
后初始页面访问完成时,页面模式OP-
关合作提供的任意位置快速读取访问速度
内的页面。
2004年10月28日
Am29PDL128G
3
P L I M I N A R
目录
连续性规格............................................... 1 .......
订购零件编号的连续性....................................... 1
欲了解更多信息............................................... ................. 1
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
同时读/写框图。 。 。 。 。 。 7
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
表1. Am29PDL128G设备总线操作........................... 11
逻辑禁止................................................ .......................... 31
上电写禁止............................................. ............... 31
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 31
表10. CFI查询标识字符串............................ 31
表11.系统接口字符串............................................ ....... 32
字/双字配置........................................... 11
对于读阵列数据要求................................... 11
随机读取(非页读) .......................................... 11
页面模式读取............................................... ..................... 12
表2页选择,双字模式...................................... 12
表3.页面选择,字模式.......................................... ........ 12
表12.设备几何定义................................. 33
表13.主要供应商特定的扩展查询........... 34
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
读阵列数据............................................... ................. 35
复位命令................................................ ..................... 35
自选命令序列............................................ 35
进入SecSi部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 35
双字/ Word程序命令序列................ 36
解锁绕道命令序列..................................... 36
图4.程序运行............................................. ............ 37
芯片擦除命令序列........................................... 37
扇区擦除命令序列........................................ 37
图5.擦除操作............................................. ................. 38
同时操作................................................ ......... 12
表4.银行选择............................................. .......................... 12
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行............................................. 13
自选功能................................................ .............. 13
待机模式................................................ ........................ 13
自动休眠模式............................................... ............ 13
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 13
输出禁止模式............................................... ............... 13
表5.扇区地址表............................................ ............ 14
表6. SecSi
扇区地址................................................ 21
自选模式................................................ ..................... 21
表7.自动选择代码(高压法) ........................ 21
表8.用于保护/ ........ unprotection的22扇区块地址
扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
持久扇区保护............................................... .... 25
持久保护位( PPB ) ............................................ ... 25
持久保护位锁定( PPB锁) ............................. 25
动态保护位( DYB ) ............................................ .... 25
表9.扇区保护计划............................................ ... 26
擦除暂停/删除恢复命令........................... 38
密码程序命令............................................... 38
密码验证命令............................................... ..... 39
密码保护模式锁定位程序命令.. 39
持久扇区保护模式锁定位程序
命令................................................. .............................. 39
SecSi扇区保护位程序命令.................... 39
PPB锁定位设置命令............................................. ...... 39
DYB写命令............................................... .............. 40
密码解锁指令............................................... ... 40
PPB程序命令............................................... ......... 40
所有PPB擦除命令.............................................. .......... 40
DYB写命令............................................... .............. 40
PPB锁定位设置命令............................................. ...... 41
PPB锁定位状态命令............................................. 41
扇区保护状态命令....................................... 41
命令定义表............................................... ... 42
表14.内存阵列命令定义( X32模式) .......... 42
表15.扇区保护命令定义( X32模式) ..... 43
表16.内存阵列命令定义( x16模式) .......... 44
表17.扇区保护命令定义( x16模式) ..... 45
持久扇区保护模式锁定位...................... 26
密码保护模式............................................... ...... 26
密码和密码模式锁定位........................... 26
64位密码.............................................. ........................ 27
写保护( WP # ) ............................................ .................... 27
持久保护位锁定.............................................. ... 27
高压扇区保护.............................................. 27
图1.在系统扇区保护/部门unprotection的算法
28
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 46
图6.数据#投票算法........................................... ....... 46
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 47
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 47
图7.切换位算法............................................ ............ 47
临时机构撤消............................................... ... 29
图2.临时机构撤消操作........................... 29
SecSi (安全硅)行业
闪存地区............................................... ............. 29
SecSi扇区保护位.............................................. ...... 30
利用密码和SecSi部门同时................ 30
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 30
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 48
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 48
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 48
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 48
表18.写操作状态............................................ ....... 49
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
图8.最大负过冲波形...................... 50
图9.最大正过冲波形........................ 50
硬件数据保护............................................... ....... 30
低VCC写禁止.............................................. .............. 31
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 31
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52
图10.测试设置............................................. ....................... 52
4
Am29PDL128G
2004年10月28日
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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