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Am29PDL127H
数据表
-XO \\ ????
7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG
0LFUR设备SNMP DQG ) XMLWVX ? $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ?
LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ? WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG
) XMLWVX ?
规格连续性
7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ? $ Q \\
FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH
GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ? ZKHUH VXSSRUWHG ? ) XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ?
DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ?
订购零件编号的连续性
0美元“ DQG ) XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P' DQG 0 % 0' ? 7R RUGHU
WKHVH SURGXFWV ? SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ?
欲了解更多信息
3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ) XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ
PHPRU \\ VROXWLRQV ?
公开号
26864
调整
A
修订
+4
发行日期
二〇〇三年六月三十日
这页有意留为空白。
超前信息
Am29PDL127H
128兆位(8M ×16位) CMOS 3.0伏只,页面模式同步读/写
快闪记忆体与增强VersatileIO
TM
控制
特色鲜明
架构优势
128 Mbit的页面模式设备
- 8字页面大小:快速页面读取访问随机
在页面内的位置
软件特点
软件命令集与JEDEC兼容42.4
标准
- 向下兼容Am29F和Am29LV家庭
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取,擦除和编程
对于电池供电的应用操作
CFI (通用闪存接口)投诉
- 提供特定于设备的信息发送到系统中,从而允许
主机软件可以轻松地重新配置不同的闪存器件
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
- 从写零延迟切换到读操作
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,允许读取或程序
在同一家银行的其他部门的操作
解锁绕道程序命令
- 发出多个时,降低了总体规划的时间
程序的命令序列
FlexBank架构
- 4个独立的银行,拥有最多两个同步操作
每个器件
- 银行 - 答: 16兆位( 4千瓦×8和32千瓦×31 )
- 银行B: 48兆位( 32千瓦×96 )
- 银行C: 48兆位( 32千瓦×96 )
- 银行D: 16兆位( 4千瓦×8和32千瓦×31 )
硬件特性
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供了检测程序或擦除硬件方法
周期结束
增强VersatileI / O
TM
(V
IO
)控制
- 输出电压产生的电压和输入电压的耐受性都
控制输入端和I / O是通过在所述电压测定
V
IO
— V
IO
选择在1.8 V和3 V的I / O
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件方法来将设备重置读取数组数据
WP # / ACC (写保护/加速)输入
- 在V
IL
,第一和最后两个4K的硬件级保护
一句话部门。
- 在V
IH
允许拆除部门保护
- 在V
HH
提供加速编程工厂
环境
SecSi
TM
(安全硅)扇形区域
- 最多可以访问128个字,通过一个命令序列
- 最多64个工厂锁定的话
- 最多64个客户,可锁定的话
持久扇区保护
- 一个命令扇区保护方法来锁定组合
个别部门和行业组织,以防止程序或
该部门擦除操作
- 扇区可以被锁定并且在V解锁的系统内
CC
水平
在一个设备中底部和顶部的引导块
在0.13微米制程技术制造的
20年的数据保存在125°C
每个部门最少百万擦除周期保证
密码扇区保护
- 一个成熟的行业保护方法来锁定
个别部门和行业团体的组合
防止程序或使用该部门擦除操作
用户定义的64位的密码
性能特点
高性能
- 页面访问时间快20纳秒
- 随机存取时间快55纳秒
封装选项
- 64 - ball加固BGA
- 80球精细间距BGA
- 多芯片封装( MCP )
功耗(在10 MHz时的典型值)
- 55毫安有效的读电流
- 25毫安编程/擦除电流
- 1 μA典型待机模式电流
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
26864
启:
A
Amendment/+4
发行日期:
二〇〇三年六月三十日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该Am29PDL127H是128兆, 3.0伏只页面模式
和同时读取/写入闪存设备奥尔加
认列之为8 Mwords 。该器件采用64球提供Forti-
田间BGA封装, 80球精细间距BGA封装,
各种多芯片封装。字级数据( X16 ) AP-
梨在DQ15 - DQ0 。此设备可被编程
在系统或标准EPROM编程器。 12.0 V
V
PP
不需要用于写入或擦除操作。
该器件提供20至30毫微秒快速页面访问时间,以
对应的55至85毫微秒的随机存取时间, respec-
疑心,允许高速微处理器操作与 -
从等待状态。为了消除总线争用的设备已经
独立的芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和输出
启用( OE # )控制。同时读/写操作
零延迟
同时读/写架构提供
simul-
taneous操作
通过将存储器空间划分为4
银行,它可以被认为是四个独立的存储器
阵列就某些操作有关。 DE-的
副可通过使一个改善系统的整体性能
主机系统编程或擦除一家银行,然后被立即
ately并同时从另一家银行的读取零
等待时间(有两个同时操作工作在任何
一度) 。这从等待释放系统
节目结束或擦除操作,大大不仅改善
荷兰国际集团的系统性能。
该装置可被安排在底部和顶部的扇区
配置。该银行安排如下:
银行
A
B
C
D
扇区
16兆位( 4千瓦×8和32千瓦×31 )
48兆位( 32千瓦×96 )
48兆位( 32千瓦×96 )
16兆位( 4千瓦×8和32千瓦×31 )
要求主要写入到命令寄存器使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为IN-
投入到内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存器AD-
所需的编程和擦除礼服和数据
操作。读数据从装置的类似于阅读 -
荷兰国际集团与其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序的COM
命令序列。解锁旁路模式有助于更快
通过要求只有两个写周期,以亲编程时间
克的数据,而不是四个。设备擦除发生了execut-
荷兰国际集团擦除命令序列。
主机系统可以检测是否编程或擦除OP-
关合作完成通过阅读DQ7 (数据#投票)和
DQ6 (切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取阵列数据或
接受另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区是
擦除和重新编程,而不影响数据CON-
其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作期间
电源转换。硬件扇区保护功能
禁用这两个方案,并在任意组合擦除操作
民族的记忆扇区。这可以在系统内可以实现
或通过编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户把擦除搁置任何一段时间内读取数据
从或程序没有被选择的数据相关,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。如果一个
读取从SecSi部门区域(一次性亲需要
克面积)后的擦除暂停,则用户必须使用
适当的命令序列以进入和退出该区域。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定一段指定的时间,所述量
器件进入
自动休眠模式。
该系统可
同时将设备进入待机模式。功率变
消耗是在这两个模式下大大降低。
AMD的闪存技术相结合多年的闪存
制造经验,生产的最高水平
质量,可靠性和成本效益。该器件electri-
通过美云擦除一个扇区内的所有位同时进行
福勒- Nordheim隧穿。该数据是使用编程
热电子注入。
页面模式功能
页大小是8个字。经过最初的页面访问accom-
plished ,页面模式能提供快速的读取访问
速度该页面中的随机位置。
标准闪存产品特点
该设备需要
单3.0伏电源
(2.7 V
以3.6 V或2.7 V至3.3 V ),用于读取和写入功能。
内部产生的,并提供稳定的电压
程序和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
42.4 JEDEC单电源闪存标准。
COM-
2
Am29PDL127H
二〇〇三年六月三十日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
同时操作框图。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
表1. Am29PDL127H设备总线操作........................... 11
自选命令序列............................................ 34
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 34
Word程序命令序列...................................... 35
解锁绕道命令序列..................................... 35
图4.程序运行............................................. ............ 36
芯片擦除命令序列........................................... 36
扇区擦除命令序列........................................ 36
图5.擦除操作............................................. ................. 37
对于读阵列数据要求................................... 11
随机读取(非页读) .......................................... 11
页面模式读取............................................... ..................... 11
表2页选择............................................. .......................... 12
同时操作................................................ ......... 12
表3.银行选择............................................. .......................... 12
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行............................................. 12
自选功能................................................ .............. 12
自动休眠模式............................................... ............ 13
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 13
输出禁止模式............................................... ............... 13
表4. Am29PDL127H部门架构.................................. 14
表5. SecSi
TM
扇区地址............................................... 21
表6.自动选择代码(高压法) ........................ 22
表7. Am29PDL127H引导扇区/扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... .................... 23
扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
持久扇区保护............................................... .... 24
持久保护位( PPB ) ............................................ ... 24
持久保护位锁定( PPB锁) ............................. 24
动态保护位( DYB ) ............................................ .... 24
表8.扇区保护计划............................................ ... 25
擦除暂停/删除恢复命令........................... 37
密码程序命令............................................... 37
密码验证命令............................................... ..... 38
密码保护模式锁定位程序命令.. 38
持久扇区保护模式锁定位程序
命令................................................. .............................. 38
SecSi扇区保护位程序命令.................... 38
PPB锁定位设置命令............................................. ...... 38
DYB写命令............................................... .............. 38
密码解锁指令............................................... ... 39
PPB程序命令............................................... ......... 39
所有PPB擦除命令.............................................. .......... 39
DYB写命令............................................... .............. 39
PPB锁定位设置命令............................................. ...... 39
PPB状态命令............................................... ............. 39
PPB锁定位状态命令............................................. 39
扇区保护状态命令....................................... 39
表13.内存阵列命令定义............................. 40
表14.扇区保护命令定义........................ 41
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 42
图6.数据#投票算法........................................... ....... 42
持久扇区保护模式锁定位...................... 25
密码保护模式............................................... ...... 25
密码和密码模式锁定位........................... 26
64位密码.............................................. ........................ 26
写保护( WP # ) ............................................ .................... 26
持久保护位锁定.............................................. ... 26
高压扇区保护.............................................. 27
图1.在系统扇区保护/
部门unprotection的算法............................................... ....... 28
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 43
图7.切换位算法............................................ ............ 43
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 44
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 44
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 44
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 44
表15.写操作状态............................................ ....... 45
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46
图8.最大负过冲波形...................... 46
图9.最大正过冲波形........................ 46
临时机构撤消............................................... ... 29
图2.临时机构撤消操作........................... 29
SecSi (安全硅)行业
闪存地区............................................... ............. 29
工厂锁定的区域( 64个字) .......................................... .. 29
客户可锁定区域( 64个字) ...................................... 29
SecSi扇区保护位.............................................. ..... 30
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 30
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
图10.测试设置............................................. ....................... 48
图11.输入波形和测量水平................. 48
AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
只读操作.............................................. ............. 49
图12.读操作时序............................................ ... 50
图13.页读操作时序...................................... 50
硬件数据保护............................................... ....... 30
低VCC写禁止.............................................. .............. 30
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 30
逻辑禁止................................................ .......................... 30
上电写禁止............................................. ............... 30
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。三十
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
读阵列数据............................................... ................. 34
复位命令................................................ ..................... 34
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 51
图14.复位时序............................................. .................. 51
擦除和编程操作.............................................. 52
图15.程序操作时序..........................................
图16.加速程序时序图..........................
图17.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图18.返回到后端的读/写周期时序......................
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ......
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数据表
-XO \\ ????
7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG
0LFUR设备SNMP DQG ) XMLWVX ? $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ?
LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ? WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG
) XMLWVX ?
规格连续性
7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ? $ Q \\
FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH
GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ? ZKHUH VXSSRUWHG ? ) XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ?
DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ?
订购零件编号的连续性
0美元“ DQG ) XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P' DQG 0 % 0' ? 7R RUGHU
WKHVH SURGXFWV ? SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ?
欲了解更多信息
3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ) XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ
PHPRU \\ VROXWLRQV ?
公开号
26864
调整
A
修订
+4
发行日期
二〇〇三年六月三十日
这页有意留为空白。
超前信息
Am29PDL127H
128兆位(8M ×16位) CMOS 3.0伏只,页面模式同步读/写
快闪记忆体与增强VersatileIO
TM
控制
特色鲜明
架构优势
128 Mbit的页面模式设备
- 8字页面大小:快速页面读取访问随机
在页面内的位置
软件特点
软件命令集与JEDEC兼容42.4
标准
- 向下兼容Am29F和Am29LV家庭
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取,擦除和编程
对于电池供电的应用操作
CFI (通用闪存接口)投诉
- 提供特定于设备的信息发送到系统中,从而允许
主机软件可以轻松地重新配置不同的闪存器件
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
- 从写零延迟切换到读操作
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,允许读取或程序
在同一家银行的其他部门的操作
解锁绕道程序命令
- 发出多个时,降低了总体规划的时间
程序的命令序列
FlexBank架构
- 4个独立的银行,拥有最多两个同步操作
每个器件
- 银行 - 答: 16兆位( 4千瓦×8和32千瓦×31 )
- 银行B: 48兆位( 32千瓦×96 )
- 银行C: 48兆位( 32千瓦×96 )
- 银行D: 16兆位( 4千瓦×8和32千瓦×31 )
硬件特性
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供了检测程序或擦除硬件方法
周期结束
增强VersatileI / O
TM
(V
IO
)控制
- 输出电压产生的电压和输入电压的耐受性都
控制输入端和I / O是通过在所述电压测定
V
IO
— V
IO
选择在1.8 V和3 V的I / O
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件方法来将设备重置读取数组数据
WP # / ACC (写保护/加速)输入
- 在V
IL
,第一和最后两个4K的硬件级保护
一句话部门。
- 在V
IH
允许拆除部门保护
- 在V
HH
提供加速编程工厂
环境
SecSi
TM
(安全硅)扇形区域
- 最多可以访问128个字,通过一个命令序列
- 最多64个工厂锁定的话
- 最多64个客户,可锁定的话
持久扇区保护
- 一个命令扇区保护方法来锁定组合
个别部门和行业组织,以防止程序或
该部门擦除操作
- 扇区可以被锁定并且在V解锁的系统内
CC
水平
在一个设备中底部和顶部的引导块
在0.13微米制程技术制造的
20年的数据保存在125°C
每个部门最少百万擦除周期保证
密码扇区保护
- 一个成熟的行业保护方法来锁定
个别部门和行业团体的组合
防止程序或使用该部门擦除操作
用户定义的64位的密码
性能特点
高性能
- 页面访问时间快20纳秒
- 随机存取时间快55纳秒
封装选项
- 64 - ball加固BGA
- 80球精细间距BGA
- 多芯片封装( MCP )
功耗(在10 MHz时的典型值)
- 55毫安有效的读电流
- 25毫安编程/擦除电流
- 1 μA典型待机模式电流
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
26864
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A
Amendment/+4
发行日期:
二〇〇三年六月三十日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该Am29PDL127H是128兆, 3.0伏只页面模式
和同时读取/写入闪存设备奥尔加
认列之为8 Mwords 。该器件采用64球提供Forti-
田间BGA封装, 80球精细间距BGA封装,
各种多芯片封装。字级数据( X16 ) AP-
梨在DQ15 - DQ0 。此设备可被编程
在系统或标准EPROM编程器。 12.0 V
V
PP
不需要用于写入或擦除操作。
该器件提供20至30毫微秒快速页面访问时间,以
对应的55至85毫微秒的随机存取时间, respec-
疑心,允许高速微处理器操作与 -
从等待状态。为了消除总线争用的设备已经
独立的芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和输出
启用( OE # )控制。同时读/写操作
零延迟
同时读/写架构提供
simul-
taneous操作
通过将存储器空间划分为4
银行,它可以被认为是四个独立的存储器
阵列就某些操作有关。 DE-的
副可通过使一个改善系统的整体性能
主机系统编程或擦除一家银行,然后被立即
ately并同时从另一家银行的读取零
等待时间(有两个同时操作工作在任何
一度) 。这从等待释放系统
节目结束或擦除操作,大大不仅改善
荷兰国际集团的系统性能。
该装置可被安排在底部和顶部的扇区
配置。该银行安排如下:
银行
A
B
C
D
扇区
16兆位( 4千瓦×8和32千瓦×31 )
48兆位( 32千瓦×96 )
48兆位( 32千瓦×96 )
16兆位( 4千瓦×8和32千瓦×31 )
要求主要写入到命令寄存器使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为IN-
投入到内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存器AD-
所需的编程和擦除礼服和数据
操作。读数据从装置的类似于阅读 -
荷兰国际集团与其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序的COM
命令序列。解锁旁路模式有助于更快
通过要求只有两个写周期,以亲编程时间
克的数据,而不是四个。设备擦除发生了execut-
荷兰国际集团擦除命令序列。
主机系统可以检测是否编程或擦除OP-
关合作完成通过阅读DQ7 (数据#投票)和
DQ6 (切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取阵列数据或
接受另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区是
擦除和重新编程,而不影响数据CON-
其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作期间
电源转换。硬件扇区保护功能
禁用这两个方案,并在任意组合擦除操作
民族的记忆扇区。这可以在系统内可以实现
或通过编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户把擦除搁置任何一段时间内读取数据
从或程序没有被选择的数据相关,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。如果一个
读取从SecSi部门区域(一次性亲需要
克面积)后的擦除暂停,则用户必须使用
适当的命令序列以进入和退出该区域。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定一段指定的时间,所述量
器件进入
自动休眠模式。
该系统可
同时将设备进入待机模式。功率变
消耗是在这两个模式下大大降低。
AMD的闪存技术相结合多年的闪存
制造经验,生产的最高水平
质量,可靠性和成本效益。该器件electri-
通过美云擦除一个扇区内的所有位同时进行
福勒- Nordheim隧穿。该数据是使用编程
热电子注入。
页面模式功能
页大小是8个字。经过最初的页面访问accom-
plished ,页面模式能提供快速的读取访问
速度该页面中的随机位置。
标准闪存产品特点
该设备需要
单3.0伏电源
(2.7 V
以3.6 V或2.7 V至3.3 V ),用于读取和写入功能。
内部产生的,并提供稳定的电压
程序和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
42.4 JEDEC单电源闪存标准。
COM-
2
Am29PDL127H
二〇〇三年六月三十日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
同时操作框图。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
表1. Am29PDL127H设备总线操作........................... 11
自选命令序列............................................ 34
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 34
Word程序命令序列...................................... 35
解锁绕道命令序列..................................... 35
图4.程序运行............................................. ............ 36
芯片擦除命令序列........................................... 36
扇区擦除命令序列........................................ 36
图5.擦除操作............................................. ................. 37
对于读阵列数据要求................................... 11
随机读取(非页读) .......................................... 11
页面模式读取............................................... ..................... 11
表2页选择............................................. .......................... 12
同时操作................................................ ......... 12
表3.银行选择............................................. .......................... 12
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行............................................. 12
自选功能................................................ .............. 12
自动休眠模式............................................... ............ 13
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 13
输出禁止模式............................................... ............... 13
表4. Am29PDL127H部门架构.................................. 14
表5. SecSi
TM
扇区地址............................................... 21
表6.自动选择代码(高压法) ........................ 22
表7. Am29PDL127H引导扇区/扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... .................... 23
扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
持久扇区保护............................................... .... 24
持久保护位( PPB ) ............................................ ... 24
持久保护位锁定( PPB锁) ............................. 24
动态保护位( DYB ) ............................................ .... 24
表8.扇区保护计划............................................ ... 25
擦除暂停/删除恢复命令........................... 37
密码程序命令............................................... 37
密码验证命令............................................... ..... 38
密码保护模式锁定位程序命令.. 38
持久扇区保护模式锁定位程序
命令................................................. .............................. 38
SecSi扇区保护位程序命令.................... 38
PPB锁定位设置命令............................................. ...... 38
DYB写命令............................................... .............. 38
密码解锁指令............................................... ... 39
PPB程序命令............................................... ......... 39
所有PPB擦除命令.............................................. .......... 39
DYB写命令............................................... .............. 39
PPB锁定位设置命令............................................. ...... 39
PPB状态命令............................................... ............. 39
PPB锁定位状态命令............................................. 39
扇区保护状态命令....................................... 39
表13.内存阵列命令定义............................. 40
表14.扇区保护命令定义........................ 41
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 42
图6.数据#投票算法........................................... ....... 42
持久扇区保护模式锁定位...................... 25
密码保护模式............................................... ...... 25
密码和密码模式锁定位........................... 26
64位密码.............................................. ........................ 26
写保护( WP # ) ............................................ .................... 26
持久保护位锁定.............................................. ... 26
高压扇区保护.............................................. 27
图1.在系统扇区保护/
部门unprotection的算法............................................... ....... 28
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 43
图7.切换位算法............................................ ............ 43
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 44
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 44
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 44
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 44
表15.写操作状态............................................ ....... 45
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46
图8.最大负过冲波形...................... 46
图9.最大正过冲波形........................ 46
临时机构撤消............................................... ... 29
图2.临时机构撤消操作........................... 29
SecSi (安全硅)行业
闪存地区............................................... ............. 29
工厂锁定的区域( 64个字) .......................................... .. 29
客户可锁定区域( 64个字) ...................................... 29
SecSi扇区保护位.............................................. ..... 30
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 30
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
图10.测试设置............................................. ....................... 48
图11.输入波形和测量水平................. 48
AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
只读操作.............................................. ............. 49
图12.读操作时序............................................ ... 50
图13.页读操作时序...................................... 50
硬件数据保护............................................... ....... 30
低VCC写禁止.............................................. .............. 30
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 30
逻辑禁止................................................ .......................... 30
上电写禁止............................................. ............... 30
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。三十
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
读阵列数据............................................... ................. 34
复位命令................................................ ..................... 34
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 51
图14.复位时序............................................. .................. 51
擦除和编程操作.............................................. 52
图15.程序操作时序..........................................
图16.加速程序时序图..........................
图17.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图18.返回到后端的读/写周期时序......................
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ......
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二〇〇三年六月三十日
Am29PDL127H
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