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Am29LV800D
数据表
RETIRED
产品
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计,
S29AL008D取代Am29LV800D ,是厂家推荐的迁移路径,这
装置。请参考S29AL008D数据表规格和订购信息。可用
本文档的能力,保留仅作参考,历史的目的。
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
Am29LV800_00
调整
A
修订
7
发行日期
2006年12月4日
这页有意留为空白。
数据表
Am29LV800D
8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计, S29AL008D取代Am29LV800D ,是厂家推荐的迁移路径
此设备。请参考S29AL008D数据表规格和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取和写入操作
电池供电应用
在0.23微米制程技术制造的
- 兼容0.32微米Am29LV800设备
高性能
- 存取时间快70纳秒
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
科幻fteen 64字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
科幻fteen 32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
解锁绕道程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
至少1百万次写周期保证
每个扇区
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
封装选项
- 48球FBGA
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容
单电源闪存
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
Am29LV800D_00
修改:
A
修订:
7
发行日期:
2006年12月4日
D A T A
中文ê (E T)
概述
该Am29LV800D是8兆, 3.0伏,仅限于Flash
内存组织为1,048,576字节或524,288
话。该器件采用48球FBGA封装, 44引脚
SO和48引脚TSOP封装。欲了解更多信息
化,是指发行数量21536.该
字宽的数据( X16 )出现在DQ15 - DQ0 ;该
字节宽的(x8 )数据显示在DQ7 - DQ0 。这DE-
副只需要一个单一的, 3.0伏V
CC
供应为按照
形成读取,编程和擦除操作。标准
EPROM编程器也可用于编程和
擦除设备。
该器件采用AMD的0.23微米制造亲
塞斯技术,并提供所有的功能和创造收益
适合的AM29LV800B ,将其制造的
采用0.32微米制程技术。
该标准的设备提供的70 , 90的访问时间,并
120纳秒,允许高速微处理器也能操作
吃无等待状态。为了消除总线争用的
设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除,
自动装置倍擦除脉冲宽度
并验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可以连接到
系统复位电路。系统复位将因此
还重置设备,使系统微处理器的
处理器读取Flash中的引导固件
内存。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时,通过一个部门福勒 - 诺德海姆隧道 -
ING 。的数据是使用热电子编程的注射
化。
2
Am29LV800D
Am29LV800D_00_A7 2006年12月4日
D A T A
中文ê (E T)
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊处理的说明FBGA封装。6
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
标准产品................................................ 8 ..
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29LV800D设备总线操作............ 9
图6.切换位算法..................................... 22
表6.写操作状态.................................. 23
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
商业( C)设备...................................... 24
工业级(I )设备............................................. 24
V
CC
电源电压............................................ 24
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
CMOS兼容............................................... 25
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .......................................... 26
图10.典型I
CC1
与频率......................... 26
字/字节配置........................................ 9
对于读阵列数据................... 9需求
写命令/命令序列.......... 10
编程和擦除操作状态.................. 10
待机模式................................................ ...... 10
自动休眠模式......................................... 10
RESET # :硬件复位引脚............................. 10
输出禁止模式............................................ 11
表2. Am29LV800DT热门引导块
扇区地址................................................ ........ 11
表3. Am29LV800DB底部引导块,
扇区地址................................................ ........ 12
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
图11.测试设置............................................. ..... 27
表7.测试规范........................................ 27
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
图12.输入波形和
测量级别................................................ ... 27
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
读操作................................................ .. 28
图13.读操作时序.......................... 28
硬件复位( RESET # ) ................................. 29
图14. RESET #时序........................................ 29
自选模式................................................ ... 12
表4. Am29LV800D自选代码
(高压法) ............................................. ... 13
字/字节配置( BYTE # )
..................... 30
扇区保护/ unprotection的............................ 13
临时机构撤消................................ 13
图1.临时机构撤消操作....... 13
图2.在系统部门保护/
部门撤消算法....................................... 14
图15. BYTE #时序进行读操作......... 30
图16. BYTE #时序写操作......... 30
擦除/编程操作................................... 31
图17.编程操作时序....................... 32
图18.芯片/扇区擦除操作时序........ 33
图19.数据#投票计时(在
嵌入式算法) .............................. 34
图20.触发位计时(在
嵌入式算法) .............................. 34
图21. DQ2与DQ6 ........................................... ... 35
硬件数据保护.................................... 15
低V
CC
写禁止............................................ 15
写脉冲“毛刺”保护............................. 15
逻辑禁止................................................ ....... 15
上电时禁止写入......................................... 15
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
读阵列数据.............................................. 15
复位命令................................................ 15 ..
自选命令序列.......................... 15
字/字节编程命令序列........... 16
解锁绕道命令序列................... 16
图3.程序操作...................................... 17
临时机构撤消................................ 35
图22.临时机构撤消
时序图................................................ ........... 35
图23.部门保护/撤消
时序图................................................ ........... 36
备用CE#控制
擦除/编程操作................................... 37
图24.备用CE #控制的写
操作时序................................................ ....... 38
芯片擦除命令序列......................... 17
扇区擦除命令序列...................... 17
擦除暂停/删除恢复命令......... 18
图4.擦除操作........................................... 18
表5. Am29LV800D命令定义............ 19
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
DQ7 :数据#投票............................................. .. 20
图5.数据#轮询算法............................... 20
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... 21
DQ6 :切换位I ............................................. ..... 21
DQ2 :触发位II ............................................. .... 21
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................ 21
DQ5 :超出时序限制.............................. 22
DQ3 :扇区擦除定时器..................................... 22
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 39
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
物理尺寸* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
TS 048-48针标准TSOP ........................ 40
FBB 048-48球细间距球栅阵列
( FBGA ) 6 ×9mm的........................................... ..... 41
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
VBK 048 - 48球细间距球栅阵列( FBGA )
6.15 X 8.15毫米.............................................. ....... 42
SO 044-44引脚小外形封装............. 43
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
Am29LV800D_00_A7 2006年12月4日
Am29LV800D
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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