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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1140页 > AM29LV641GL55RPCI
Am29LV641G
数据表
RETIRED
产品
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计,
S29GL064A取代Am29LV641G ,是厂家推荐的迁移路径。请参考
到S29GL064A数据表的规格和订购信息。可用性本文档中
换货保留仅供参考,历史的目的。
2005年6月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与该公司的名称
最初开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。 appro-时会产生未来的例行修订
priate ,并更改将记录在修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
25295
调整
A
修订
+3
发行日期
2005年6月14日
这页有意留为空白。
超前信息
Am29LV641G
64兆位(4M ×16位) CMOS 3.0伏只
统一部门快闪记忆体与VersatileI / O
控制
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计, S29GL064A取代Am29LV641G ,是厂家推荐的迁移路径。
请参阅S29GL064A数据表的规格和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
架构优势
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取,擦除和编程操作
SecSi
(安全硅)扇形区域
- 128字界永久的,安全标识
通过一个8字随机电子序列号
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
- 访问可以通过一个命令序列
VersatileI / O
控制
- 设备产生的数据的输出电压,并且能够忍耐
数据的输入电压由所述电压测定
在V
IO
在0.18微米制程技术制造的
灵活的部门架构
- 一百28 32千字行业
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪存标准
封装选项
- 48引脚TSOP和反向TSOP (仅LV641GH / L)
- 63球精细间距BGA ( LV640GU只)
- 64 - ball加固BGA ( LV640GU只)
每个部门最少百万擦除周期保证
20年的数据保存在125
°
C
超低功耗( 3.0 V典型值,
5兆赫)
- 9 mA典型有效的读电流
- 25 mA典型的擦除/编程电流
- 200 nA的典型待机模式电流
编程和擦除性能(V
HH
没有施加到
在ACC输入引脚)
- 字编程时间: 7 μs的典型
- 扇区擦除时间: 0.6秒典型的为每32 K字
扇形
软硬件特性
硬件特性
硬件复位输入( RESET # ) :
用于重置设备
新的操作
WP #输入:
保护第一个或最后一个32K字扇区
不管扇区保护设置
( LV641GH / L只)
ACC输入:
加快编程时间为高
系统在生产过程中产量
软件特点
程序挂起&简历:
阅读其他行业
编程操作完成之前
行业组保护:
V
CC
的-level方法
防止内部编程或擦除操作
扇形
临时机构集团撤消:
V
ID
-level方法
对改变先前锁定行业
CFI (通用闪存接口)兼容:
允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
擦除暂停/删除简历:
读/程序等
擦除操作完成之前行业
数据#投票
触发位
提供擦除和
程序运行状态
解锁绕道程序
命令总体降低
多字编程时间
性能退化特征
高性能
- 访问时段收视率快55纳秒
本文件包含有关正在开发的产品在高级微设备公司的信息。该信息是
为了帮助您评估该产品。在产品没有联系厂家不要设计。 AMD储备
有权对这个提议的产品更改或停止工作,恕不另行通知。
出版#
25295
启:
A
Amendment/+3
发行日期:
2005年6月14日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该Am29LV641G是64兆, 3.0伏( 3.0 V至3.6 V )
单电源闪存器件举办
为4,194,304字。数据显示在DQ15 - DQ0 。
这些设备设计中,系进行编程
TEM与标准体系3.0伏V
CC
供应量。一
12.0伏V
PP
不需要用于编程或擦除操作
ations 。该设备还可以在标编程
准EPROM编程器。
55管制volage和70 ns的完全访问时间
电压范围可为应用程序,其中V
IO
V
CC
。该Am29LV641GH / L提供48引脚
TSOP andreverse TSOP PA CK青睐。牛逼 ê
Am29LV640GU提供了63球精细间距BGA
包,并在64球加固BGA 。为了消除总线
争每台设备都有单独的芯片使能
( CE # ) ,写使能( WE# )和输出使能( OE # )
控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
( 2.7 V至3.6 V ),用于读取和写入功能
系统蒸发散。内部产生,调节电压
所规定的程序和擦除操作。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。解锁旁路模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未亲
编程)执行擦除操作之前。能很好地协同
次擦除自动荷兰国际集团的擦除,所述装置
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
VersatileI / O
(V
IO
)控制允许主机系
统设置的电压电平,该装置产生
在其数据输出端和电压耐受在其
数据输入到相同的电压电平被置位
在V
IO
引脚。这使得设备在运行1.8
或3V所需的系统环境。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过阅读DQ7
(数据#查询)或DQ6 (切换)
状态位。
程序或擦除周期已经完成,单片机
5
副准备读阵列数据或接受其它
命令。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器扇区的任意组合。
这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据,或程序数据,即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。该
计划暂停/程序
简历
功能使主机系统暂停
在一个给定扇区的程序操作,以读取的任何其他
扇区,然后完成该程序的操作。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可以连接到
系统复位电路。系统复位将因此
还重置设备,使系统微处理器的
处理器从Flash中读取引导固件的MEM
ORY设备。
该器件提供了一个
待机模式
作为节电
功能。一旦系统会将设备进
待机状态下的功耗大大降低。
SecSi
(安全硅)行业
提供了一个
最小的128个字的区域代码或数据,可以是
永久保护。一旦这个行业是受保护的,
没有进一步的编程或部门内删除
可能发生。
写保护( WP # )
功能保护第一或
最后一个扇区通过产生一个逻辑低电平的WP #引脚。
受保护的行业仍将即使在被保护
加快编程。 ( Am29LV641GH / L只)
加速计划( ACC )
功能允许
系统对器件编程以更快的速率。
当ACC被拉高至V
HH
,器件进入
解锁旁路模式,使得用户能够减少
必要的时候做的程序操作。此功能
意在系增加工厂产量
统的生产,但也可以使用在该领域如果DE-
sired 。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2005年6月14日
Am29LV641G
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊包装处理说明.................................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1.设备总线操作............................................ ......... 10
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 30
图6.数据#投票算法........................................... ....... 30
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 30
图7.切换位算法............................................ ............ 31
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 32
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 32
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 32
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 32
表11.写操作状态............................................ ....... 33
VersatileI / O
(V
IO
)控制................................................ .... 10
对于读阵列数据要求................................... 10
写命令/命令序列............................ 11
加快程序运行............................................... ....... 11
自选功能................................................ ....................... 11
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图8.最大负过冲波形..................... 34
图9.最大正过冲波形....................... 34
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图10.我
CC1
电流与时间(显示
主动和自动休眠电流) ........................................... 36
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 36
待机模式................................................ ........................ 11
自动休眠模式............................................... ............ 11
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 11
输出禁止模式............................................... ............... 12
表2扇区地址表............................................ ............ 12
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
图12.测试设置............................................. ....................... 37
表12.测试规范............................................. ............ 37
自选模式................................................ ..................... 16
表3.自动选择码, (高压法) ...................... 16
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
图13.输入波形和
测量级别................................................ ...................... 37
行业组保护和unprotection的............................. 17
表4.部门组保护/ unprotection的地址表..... 17
写保护( WP # ) ............................................ .................... 18
临时机构集团撤消....................................... 18
图1.临时机构集团撤消操作................ 18
图2.在系统集团部门保护/撤消算法... 19
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
只读操作.............................................. ............. 38
图14.读操作时序............................................ ... 38
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 39
图15.复位时序............................................. .................. 39
SecSi
(安全硅)行业闪存地区....... 20
表5. SecSi行业目录............................................ .......... 20
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 21
擦除和编程操作.............................................. 40
图16.程序操作时序..........................................
图17.加速程序时序图..........................
图18.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图19.数据#投票计时
(在嵌入式算法) ............................................. .........
图20.触发位计时
(在嵌入式算法) ............................................. .........
图21. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
41
41
42
43
44
44
硬件数据保护............................................... ....... 21
低V
CC
写禁止................................................ ....................... 21
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 21
逻辑禁止................................................ .................................. 21
上电写禁止............................................. ....................... 21
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 21
表6. CFI查询标识字符串.......................................... 22
表7.系统接口字符串............................................ ......... 22
表8.设备几何定义............................................ .. 22
表9.主要供应商特定的扩展查询........................ 24
临时机构撤消............................................... ... 45
图22.临时机构集团撤消时序图... 45
图23.类别组保护和撤消时序图.. 46
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
读阵列数据............................................... ................. 24
复位命令................................................ ..................... 25
自选命令序列............................................ 25
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 25
Word程序命令序列..................................... 25
解锁绕道命令序列.............................................. 26
图4.程序运行............................................. ............. 26
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 47
图24.备用CE #控制的写
(擦除/编程)操作时序........................................... ... 48
芯片擦除命令序列........................................... 26
扇区擦除命令序列........................................ 27
擦除暂停/删除恢复命令........................... 27
图5.擦除操作............................................. .................. 28
命令定义................................................ ............. 29
表10.命令定义............................................. ......... 29
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 49
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
TSOP & FBGA引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
FBE063-63球细间距球栅阵列
( FBGA ) 11 ×12毫米封装.......................................... ....... 50
LAA064-64 - ball加固球栅阵列( BGA强化) 13 ×11
mm封装................................................ ........................... 51
TS 048-48针标准TSOP .......................................... .. 52
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
2005年6月14日
Am29LV641G
6
Am29LV641G
数据表
RETIRED
产品
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计,
S29GL064A取代Am29LV641G ,是厂家推荐的迁移路径。请参考
到S29GL064A数据表的规格和订购信息。可用性本文档中
换货保留仅供参考,历史的目的。
2005年6月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与该公司的名称
最初开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。 appro-时会产生未来的例行修订
priate ,并更改将记录在修订摘要。
欲了解更多信息
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公开号
25295
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A
修订
+3
发行日期
2005年6月14日
这页有意留为空白。
超前信息
Am29LV641G
64兆位(4M ×16位) CMOS 3.0伏只
统一部门快闪记忆体与VersatileI / O
控制
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计, S29GL064A取代Am29LV641G ,是厂家推荐的迁移路径。
请参阅S29GL064A数据表的规格和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
架构优势
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取,擦除和编程操作
SecSi
(安全硅)扇形区域
- 128字界永久的,安全标识
通过一个8字随机电子序列号
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
- 访问可以通过一个命令序列
VersatileI / O
控制
- 设备产生的数据的输出电压,并且能够忍耐
数据的输入电压由所述电压测定
在V
IO
在0.18微米制程技术制造的
灵活的部门架构
- 一百28 32千字行业
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪存标准
封装选项
- 48引脚TSOP和反向TSOP (仅LV641GH / L)
- 63球精细间距BGA ( LV640GU只)
- 64 - ball加固BGA ( LV640GU只)
每个部门最少百万擦除周期保证
20年的数据保存在125
°
C
超低功耗( 3.0 V典型值,
5兆赫)
- 9 mA典型有效的读电流
- 25 mA典型的擦除/编程电流
- 200 nA的典型待机模式电流
编程和擦除性能(V
HH
没有施加到
在ACC输入引脚)
- 字编程时间: 7 μs的典型
- 扇区擦除时间: 0.6秒典型的为每32 K字
扇形
软硬件特性
硬件特性
硬件复位输入( RESET # ) :
用于重置设备
新的操作
WP #输入:
保护第一个或最后一个32K字扇区
不管扇区保护设置
( LV641GH / L只)
ACC输入:
加快编程时间为高
系统在生产过程中产量
软件特点
程序挂起&简历:
阅读其他行业
编程操作完成之前
行业组保护:
V
CC
的-level方法
防止内部编程或擦除操作
扇形
临时机构集团撤消:
V
ID
-level方法
对改变先前锁定行业
CFI (通用闪存接口)兼容:
允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
擦除暂停/删除简历:
读/程序等
擦除操作完成之前行业
数据#投票
触发位
提供擦除和
程序运行状态
解锁绕道程序
命令总体降低
多字编程时间
性能退化特征
高性能
- 访问时段收视率快55纳秒
本文件包含有关正在开发的产品在高级微设备公司的信息。该信息是
为了帮助您评估该产品。在产品没有联系厂家不要设计。 AMD储备
有权对这个提议的产品更改或停止工作,恕不另行通知。
出版#
25295
启:
A
Amendment/+3
发行日期:
2005年6月14日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该Am29LV641G是64兆, 3.0伏( 3.0 V至3.6 V )
单电源闪存器件举办
为4,194,304字。数据显示在DQ15 - DQ0 。
这些设备设计中,系进行编程
TEM与标准体系3.0伏V
CC
供应量。一
12.0伏V
PP
不需要用于编程或擦除操作
ations 。该设备还可以在标编程
准EPROM编程器。
55管制volage和70 ns的完全访问时间
电压范围可为应用程序,其中V
IO
V
CC
。该Am29LV641GH / L提供48引脚
TSOP andreverse TSOP PA CK青睐。牛逼 ê
Am29LV640GU提供了63球精细间距BGA
包,并在64球加固BGA 。为了消除总线
争每台设备都有单独的芯片使能
( CE # ) ,写使能( WE# )和输出使能( OE # )
控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
( 2.7 V至3.6 V ),用于读取和写入功能
系统蒸发散。内部产生,调节电压
所规定的程序和擦除操作。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。解锁旁路模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未亲
编程)执行擦除操作之前。能很好地协同
次擦除自动荷兰国际集团的擦除,所述装置
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
VersatileI / O
(V
IO
)控制允许主机系
统设置的电压电平,该装置产生
在其数据输出端和电压耐受在其
数据输入到相同的电压电平被置位
在V
IO
引脚。这使得设备在运行1.8
或3V所需的系统环境。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过阅读DQ7
(数据#查询)或DQ6 (切换)
状态位。
程序或擦除周期已经完成,单片机
5
副准备读阵列数据或接受其它
命令。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器扇区的任意组合。
这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据,或程序数据,即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。该
计划暂停/程序
简历
功能使主机系统暂停
在一个给定扇区的程序操作,以读取的任何其他
扇区,然后完成该程序的操作。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可以连接到
系统复位电路。系统复位将因此
还重置设备,使系统微处理器的
处理器从Flash中读取引导固件的MEM
ORY设备。
该器件提供了一个
待机模式
作为节电
功能。一旦系统会将设备进
待机状态下的功耗大大降低。
SecSi
(安全硅)行业
提供了一个
最小的128个字的区域代码或数据,可以是
永久保护。一旦这个行业是受保护的,
没有进一步的编程或部门内删除
可能发生。
写保护( WP # )
功能保护第一或
最后一个扇区通过产生一个逻辑低电平的WP #引脚。
受保护的行业仍将即使在被保护
加快编程。 ( Am29LV641GH / L只)
加速计划( ACC )
功能允许
系统对器件编程以更快的速率。
当ACC被拉高至V
HH
,器件进入
解锁旁路模式,使得用户能够减少
必要的时候做的程序操作。此功能
意在系增加工厂产量
统的生产,但也可以使用在该领域如果DE-
sired 。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2005年6月14日
Am29LV641G
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊包装处理说明.................................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1.设备总线操作............................................ ......... 10
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 30
图6.数据#投票算法........................................... ....... 30
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 30
图7.切换位算法............................................ ............ 31
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 32
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 32
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 32
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 32
表11.写操作状态............................................ ....... 33
VersatileI / O
(V
IO
)控制................................................ .... 10
对于读阵列数据要求................................... 10
写命令/命令序列............................ 11
加快程序运行............................................... ....... 11
自选功能................................................ ....................... 11
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图8.最大负过冲波形..................... 34
图9.最大正过冲波形....................... 34
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图10.我
CC1
电流与时间(显示
主动和自动休眠电流) ........................................... 36
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 36
待机模式................................................ ........................ 11
自动休眠模式............................................... ............ 11
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 11
输出禁止模式............................................... ............... 12
表2扇区地址表............................................ ............ 12
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
图12.测试设置............................................. ....................... 37
表12.测试规范............................................. ............ 37
自选模式................................................ ..................... 16
表3.自动选择码, (高压法) ...................... 16
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
图13.输入波形和
测量级别................................................ ...................... 37
行业组保护和unprotection的............................. 17
表4.部门组保护/ unprotection的地址表..... 17
写保护( WP # ) ............................................ .................... 18
临时机构集团撤消....................................... 18
图1.临时机构集团撤消操作................ 18
图2.在系统集团部门保护/撤消算法... 19
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
只读操作.............................................. ............. 38
图14.读操作时序............................................ ... 38
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 39
图15.复位时序............................................. .................. 39
SecSi
(安全硅)行业闪存地区....... 20
表5. SecSi行业目录............................................ .......... 20
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 21
擦除和编程操作.............................................. 40
图16.程序操作时序..........................................
图17.加速程序时序图..........................
图18.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图19.数据#投票计时
(在嵌入式算法) ............................................. .........
图20.触发位计时
(在嵌入式算法) ............................................. .........
图21. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
41
41
42
43
44
44
硬件数据保护............................................... ....... 21
低V
CC
写禁止................................................ ....................... 21
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 21
逻辑禁止................................................ .................................. 21
上电写禁止............................................. ....................... 21
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 21
表6. CFI查询标识字符串.......................................... 22
表7.系统接口字符串............................................ ......... 22
表8.设备几何定义............................................ .. 22
表9.主要供应商特定的扩展查询........................ 24
临时机构撤消............................................... ... 45
图22.临时机构集团撤消时序图... 45
图23.类别组保护和撤消时序图.. 46
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
读阵列数据............................................... ................. 24
复位命令................................................ ..................... 25
自选命令序列............................................ 25
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 25
Word程序命令序列..................................... 25
解锁绕道命令序列.............................................. 26
图4.程序运行............................................. ............. 26
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 47
图24.备用CE #控制的写
(擦除/编程)操作时序........................................... ... 48
芯片擦除命令序列........................................... 26
扇区擦除命令序列........................................ 27
擦除暂停/删除恢复命令........................... 27
图5.擦除操作............................................. .................. 28
命令定义................................................ ............. 29
表10.命令定义............................................. ......... 29
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 49
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
TSOP & FBGA引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
FBE063-63球细间距球栅阵列
( FBGA ) 11 ×12毫米封装.......................................... ....... 50
LAA064-64 - ball加固球栅阵列( BGA强化) 13 ×11
mm封装................................................ ........................... 51
TS 048-48针标准TSOP .......................................... .. 52
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
2005年6月14日
Am29LV641G
6
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