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Am29LV640D/Am29LV641D
数据表
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。虽然docis
标有最初开发的规范的公司的名称, Spansion将CON组
既往地这些产品的现有客户。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。未来将会发生日常的产品更新时, Appro公司和
更改将被记录在修订摘要。
订购零件编号的连续性
Spansion公司继续支持以“ AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购这些
产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
22366
调整
C
修订
6
发行日期
2007年1月22日
这页有意留为空白。
数据表
Am29LV640D/Am29LV641D
64兆位(4M ×16位) CMOS 3.0伏只
统一部门快闪记忆体与VersatileIO控制
特色鲜明
单电源工作
- 3.0到3.6伏读取,擦除和编程操作
VersatileIO控制
- 设备产生的输出电压和容忍数据
在DQ输入/输出输入电压为确定
通过对V的电压
IO
高性能
- 存取时间快90纳秒
在0.23微米制程技术制造的
CFI (通用闪存接口)兼容
- 提供特定于设备的信息提供给系统,
使主机软件轻松进行重新配置
不同的闪存器件
SecSi (安全硅)扇形区域
- 128字界永久的,安全标识
通过一个8字随机电子序列号
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
- 访问可以通过一个命令序列
超低功耗( 3.0 V典型值,
5兆赫)
- 9 mA典型有效的读电流
- 25 mA典型的擦除/编程电流
- 200 nA的典型待机模式电流
灵活的部门架构
- 一百28 32千字行业
扇区保护
- 硬件方法锁定一个部门,以防止
该部门内部编程或擦除操作
- 扇区可以被锁定在系统或通过编程
设备
- 临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动写
并验证在指定地址的数据
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
- 高级无意写保护
每个部门最少百万擦除周期保证
封装选项
- 48引脚TSOP ( Am29LV641DH / DL只)
- 56引脚SSOP ( Am29LV640DH / DL只)
- 63球精细间距BGA ( Am29LV640DU只)
- 64 - ball加固BGA ( Am29LV640DU只)
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,或
程序数据,一个sect27
- 或者说没有被擦除,然后恢复擦除
手术
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序的软件或方法
擦除操作完成
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
就绪/忙#引脚( RY / BY # ) ( Am29LV640DU的FBGA
包只)
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备读取阵列
数据
WP #引脚( Am29LV641DH / DL的TSOP ,
Am29LV640DH / DL采用SSOP只)
- 在V
IL
,保护第一或最后一个32千字部门,
无论部门保护/取消保护状态
- 在V
IH
允许拆除部门保护
- 一个内部上拉至V
CC
提供
ACC引脚
- 加速编程时间为更高的吞吐量
系统在生产过程中
编程和擦除性能(V
HH
没有施加到
在ACC输入引脚)
- 字编程时间: 11 μs的典型
- 扇区擦除时间: 0.9秒典型的为每32 K字
扇形
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
22366
启:
C
修订
6
发行日期:
2007年1月22日
D A T A
中文ê (E T)
概述
该Am29LV640DU / Am29LV641DU是64兆, 3.0
电压( 3.0 V至3.6 V)单电源闪存
设备组织为4,194,304字。数据显示
在DQ0 - DQ15 。该设备被设计为亲
编程在系统的标准系统3.0伏
V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不需要程序
或擦除操作。您也可以设定此设备
在标准EPROM编程器。
可用于应用程序的90和120纳秒访问时间
阳离子其中V
IO
V
CC
。访问时间为120 ns的是
可用于应用程序,其中V
IO
& LT ; V
CC
。该装置
提供48引脚TSOP , 56引脚SSOP封装, 63球
细间距BGA和64 - ball加固BGA封装。
为了消除总线争用,每个设备都有独立的
芯片使能(CE # ),写使能(WE # ) ,并输出烯
能( OE # )控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
( 3.0 V至3.6 V ),用于读取和写入功能
系统蒸发散。内部产生,调节电压
所规定的程序和擦除操作。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法 - 一个内部算法,该算法自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。解锁旁路模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法 - 内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除,
自动装置倍擦除脉冲宽度
并验证正确的电池余量。
VersatileIO
(V
IO
)控制允许主机系统
设置的电压电平,该装置产生和
容忍在CE #和DQ的I / O到相同的电压
这是断言在V电平
IO
. V
IO
有两种可用的
配置( 1.8-2.9 V和3.0-5.0 V)运行
在各种不同的系统环境中。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
针,通过阅读DQ7 (数据#查询) ,或DQ6 (瓶酒
GLE )
状态位。
经过编程或擦除周期的COM
pletes ,该设备已准备好读取阵列数据或接受
另一个命令。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器扇区的任意组合。
这是在系统内或通过编程来实现分析装备
换货。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据,或程序数据,即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
从Flash存储器中读取引导固件DE-
副。
该器件提供了一个
待机模式
作为节电
功能。一旦系统会将设备进
待机模式中,功耗大大降低。
SecSi (安全硅)行业
提供了一个
最小的128个字的区域代码或数据,可以是
永久保护。一旦这个行业是受保护的,
没有进一步的编程或部门内删除
可能发生。
写保护( WP # )
功能保护第一或
最后一个扇区通过产生一个逻辑低电平的WP #引脚。
受保护的部门仍然在AC-甚至保护
celerated编程。
加速计划( ACC )
功能允许
系统对器件编程以更快的速率。
当ACC被拉高至V
HH
,器件进入
解锁旁路模式,使得用户能够减少
必要的时候做的程序操作。此功能
意在系增加工厂产量
统的生产,但也可以使用在该领域如果DE-
sired 。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29LV640D/Am29LV641D
2007年22366C6 1月22日,
D A T A
中文ê (E T)
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊处理说明FBGA / FBGA封装......... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1.设备总线操作............................................ ......... 10
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 30
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 30
图6.切换位算法............................................ ............ 30
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 31
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 31
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 31
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 31
表11.写操作状态............................................ ....... 32
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
图7.最大负过冲波形..................... 33
图8.最大正过冲波形....................... 33
VersatileIO (V
IO
)控制................................................ ..... 10
对于读阵列数据要求................................... 10
写命令/命令序列............................ 11
加快程序运行............................................... ....... 11
自选功能................................................ ....................... 11
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图9.我
CC1
电流与时间(显示
主动和自动休眠电流) ........................................... 35
图10.典型I
CC1
与频率............................................ 35
待机模式................................................ ........................ 11
自动休眠模式............................................... ............ 11
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 11
输出禁止模式............................................... ............... 12
表2扇区地址表............................................ ............ 12
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图11.测试设置............................................. ....................... 36
表12.测试规范............................................. ............ 36
自选模式................................................ ..................... 16
表3.自动选择码, (高压法) ....................... 16
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图12.输入波形和
测量级别................................................ ...................... 36
行业组保护和unprotection的............................. 17
表4.部门组保护/ unprotection的地址表..... 17
写保护( WP # ) ............................................ .................... 18
临时机构集团撤消....................................... 18
图1.临时机构集团撤消操作................ 18
图2.在系统集团部门保护/撤消算法... 19
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
只读操作.............................................. ............. 37
图13.读操作时序............................................ ... 37
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 38
图14.复位时序............................................. .................. 38
SecSi (安全硅)部门闪存区.......... 20
表5. SecSi行业目录............................................ .......... 20
擦除和编程操作.............................................. 39
图15.程序操作时序..........................................
图16.加速程序时序图..........................
图17.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图18.数据#投票计时
(在嵌入式算法) ............................................. .........
图19.触发位计时
(在嵌入式算法) ............................................. .........
图20. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
40
40
41
42
43
43
硬件数据保护............................................... ....... 20
低VCC写禁止.............................................. ....................... 20
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 21
逻辑禁止................................................ .................................. 21
上电写禁止............................................. ....................... 21
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 21
表6. CFI查询标识字符串.......................................... 21
系统接口字符串............................................... .................... 22
表8.设备几何定义............................................ .. 22
表9.主要供应商特定的扩展查询........................ 23
临时机构撤消............................................... ... 44
图21.临时机构集团撤消时序图... 44
图22.类别组保护和撤消时序图.. 45
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
读阵列数据............................................... ................. 23
复位命令................................................ ..................... 24
自选命令序列............................................ 24
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 24
Word程序命令序列..................................... 24
解锁绕道命令序列.............................................. 25
图3.程序操作............................................. ............. 25
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 46
图23.备用CE #控制的写
(擦除/编程)操作时序........................................... ... 47
芯片擦除命令序列........................................... 25
扇区擦除命令序列........................................ 26
擦除暂停/删除恢复命令........................... 26
图4.擦除操作............................................. .................. 27
命令定义................................................ ............. 28
命令定义................................................ ...................... 28
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 29
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 29
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 48
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
SSO056-56引脚紧缩小型封装( SSOP ) ...... 49
FBE063-63球细间距球栅阵列
( FBGA ) 12 ×11毫米封装.......................................... ....... 50
LAA064-64 - ball加固球栅阵列
( FBGA ) 13 ×11毫米封装.......................................... ....... 51
TS 048-48针标准TSOP .......................................... .. 52
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
2007年1月22日22366C6
Am29LV640D/Am29LV641D
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