Am29LV640MT/B
数据表
RETIRED
产品
此产品已经退休，不适用于设计。对于新的和现有的设计，
S29GL064A取代Am29LV640MT / B ，是厂家推荐的迁移路径。请
参考S29GL064A数据表的规格和订购信息。可用性本资料的
输稿保留只供参考用途及历史的目的。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果，并且将记录在
文档修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
26190
调整
C
修订
8
发行日期
2007年2月1日
数据表
Am29LV640MT/B
64兆位（4M ×16位/ 8的M× 8位）的MirrorBit
3.0伏只引导扇区闪存
此产品已经退休，不适用于设计。对于新的和现有的设计， S29GL064A取代Am29LV640M T / B ，是工厂推荐的迁移路径。
请参阅S29GL064A数据表的规格和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考，历史的目的。
特色鲜明
架构优势
单电源工作
- 3 V读取，擦除和编程操作
在0.23微米的MirrorBit工艺制造
技术
安全硅行业区域
- 128字/ 256字节扇区永久的，安全的
通过一个8字/ 16字节的随机identi网络阳离子
电子序列号，通过一个可访问
命令序列
- 可以编程并锁定在工厂或通过
客户
灵活的部门架构
- 一百27 32 K字/ 64字节
扇区
- 八4千字/ 8 KB的引导扇区
与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存，以及优越的疏忽
写保护
每个扇区最低100,000次擦除周期保证
20年的数据保存在125°C
性能特点
高性能
- 90 ns访问时间
- 25 ns的页读取时间
- 0.5秒典型扇区擦除时间
- 22 μs的典型有效的写缓冲器字编程
时间： 16字/ 32字节的写缓冲整体减少
编程时间多字/字节更新
- 4字/ 8字节读取页面缓冲器
- 16字/ 32字节的写缓冲区
低功耗（ 3.0 V典型值， 5
兆赫）
- 30毫安典型的读操作工作电流
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 1 μA典型待机模式电流
封装选项
- 48引脚TSOP
- 63球精细间距BGA
- 64 - ball加固BGA
软件&硬件功能
软件特点
- 程序暂停&简历：读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起&简历：读/程序等
擦除操作之前，扇区结束
- 数据＃轮询&触发位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字编程时间
- CFI （通用闪存接口）兼容：允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
硬件特性
- 部门组保护：硬件级别的方法
防止内业组写操作
- 临时机构撤消： V
ID
的-level方法
在锁定行业不断变化的代码
- WP ＃ / ACC输入：
写保护输入端（ WP ＃ ）保护顶部或底部的两个
不管扇区保护设置部门
ACC （高电压）加速编程时间
系统在生产过程中更高的吞吐量
- 硬件复位输入（ RESET ＃ ）复位装置
- 就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）表示程序或
擦除周期结束
出版＃
26190
启：
C
Amendment/8
发行日期：
2007年2月1日
D A T A
中文ê （E T）
概述
该Am29LV640M是64兆， 3.0伏单电源
供应闪存设备组织为4,194,304
也就是说 8388 ， 6 08个字节。该装置具有一个
8位/ 16位总线并且可以编程，或者在
主机系统或标准EPROM编程器。
90 ，100， 110 ，或120纳秒的存取时间是可用的。
请注意，每个存取时间具有特定的操作
电压范围（Ⅴ
CC
）和一个I / O电压范围（Ⅴ
IO
），如
在指定的
产品选择指南第6页
和
或 -
第10页dering信息。
该器件采用
采用48引脚TSOP ， 63球精细间距BGA或64球Forti-
田间BGA封装。每台设备都有单独的芯片恩
能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能
（ OE ＃ ）控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。此外
A V
CC
输入，高电压
加速计划
（ ACC ）
功能提供了更短的编程时间
通过增加电流的WP ＃ / ACC输入。这
功能是为了便于工厂产能很好地协同
荷兰国际集团系统的生产，但也可以在使用
字段如果需要的话。
该设备完全指令集兼容
该
JEDEC单电源闪存标准。
命令写入设备使用标准的
微处理器写时序。写周期也互
应受锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。
该
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程，而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
器件编程和擦除通过启动
命令序列。一旦一个程序或擦除操作
ATION已经开始时，主机系统只需要轮询
DQ7 （数据＃查询）或DQ6 （切换）
状态位
or
监控
就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）
输出来确定
矿操作是否已完成。为了方便
节目中，
解锁绕道
模式减少的COM
通过要求只有两个写命令序列的开销
循环编程数据，而不是四个。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器扇区的任意组合。
这是在系统内或通过编程来实现分析装备
换货。
该
擦除暂停/删除恢复
功能允许
主机系统暂停在一个给定的擦除操作
扇区读取或写其他部门，然后
完成擦除操作。该
程序可持
挂起/恢复计划
功能可使主机系
统暂停在一个给定的扇区分配给一个程序的操作
阅读任何其他部门，然后完成程序
操作。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进度和复位器件，在这之后是再
准备好一个新的操作。在RESET ＃引脚可
绑在系统复位电路。系统复位会
因而也使器件复位，从而使主机系统
读取来自闪存设备引导固件。
该装置降低了功耗，在
待机模式
它检测到特定的电压电平，当
在CE ＃和RESET ＃ ，或者当地址已经
稳定为指定的时间周期。
该
写保护（ WP ＃ ）
功能保护的顶部或
底部的两个部门通过产生一个逻辑低电平上
WP ＃ / ACC引脚。受保护的行业仍然受到保护
即使在加速编程。
该
安全硅行业
提供
128个字/ 256字节的区域代码或数据，可以是
永久保护。一旦这个行业是受保护的，
该部门没有进一步的变化可能发生。
AMD的MirrorBit闪存技术结合多年的
快闪记忆体制造经验，生产
的质量，可靠性和成本effec-最高水平
那些收不到。该装置电擦除内所有的位
通过热孔辅助擦除扇区同时进行。该
数据是使用热电子注入编程。
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Am29LV640MT/B
26190C8 2007年2月1日
