补充
AM29LV400B已知合格芯片
4兆位（ 512K的×8位/ 256千×16位）
CMOS 3.0伏只，引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 2.7至3.6 V的读取，编程和擦除
操作
- 非常适合电池供电的应用
s
在0.32微米制程技术制造的
s
高性能
- 60R ， 70 ， 80 ， 90 ，或120 ns访问时间
s
低功率消耗（典型值
5兆赫）
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
7 64K字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并
7 32千字部门（字模式）
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门，以防止硬件方法
内的任何程序或擦除操作
扇形
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
最低百万写周期保证
每个扇区
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据＃查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
s
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，
或程序数据，一个扇区是不是
擦除，然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
s
20年的数据保存在125°C
s
经测试数据表规格的
温度
s
质量和可靠性水平相当于
标准封装组件
出版＃
23427
启：
B
Amendment/+1
发行日期：
2002年3月12日
的SuI P P L E M E N牛逼
概述
该AM29LV400B在已知合格芯片（ KGD ）的形式是
一个4兆， 3.0伏，只有闪存。 AMD定义
KGD作为标准产品裸片形式，测试功能 -
先进而精湛和速度。 AMD KGD产品具有相同的可靠性
能力素质作为AMD的产品包装形式。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
一个本身同时通过构造函数福勒- Nordheim隧调谐
neling 。的数据是使用热电子编程的注射
化。
AM29LV400B特点
该AM29LV400B是4兆， 3.0伏，仅限于Flash
内存组织为524,288字节或262,144字。
字级数据（ X16 ）出现在DQ15 - DQ0 ;该
字节宽的（x8 ）数据显示在DQ7 - DQ0 。为了消除
内特总线争用该设备具有单独的芯片
使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能
（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。无V
PP
需要
编程或擦除操作。该装置也可以是
在标准EPROM编程器编程。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据，而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法automati-
美云preprograms阵列（如果它尚未亲
编程）执行擦除操作之前。
在擦除，擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
编程或擦除周期后，
已经完成时，该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
2
电气规格
请参考AM29LV400B数据表，出版
号码21523 ，完整的电气规范上
AM29LV400B在KGD形式。
AM29LV400B已知合格芯片
的SuI P P L E M E N牛逼
产品选择指南
系列型号
速度选项&电压
工作范围，V
CC
最大访问时间，t
加
（纳秒）
最大CE＃访问，T
CE
（纳秒）
最大OE ＃访问，T
OE
（纳秒）
3.0 – 3.6 V
2.7 – 3.6 V
60
60
30
-60R
-70
70
70
30
-80
80
80
30
-90
90
90
35
-120
120
120
50
AM29LV400B KGD
注意：
请参阅
“测试条件”
对有关速度的选项的其他信息。
DIE PHOTOGRAPH
DIE焊盘位置
9
8
7
6
5
4
3
2
1 43 42 41 40 39 38 37 36 35
10
11
12
34
33
32
AMD标识的位置
22
13 14 15 16 17 18 19 20 21
23
24 25 26 27 28 29 30 31
AM29LV400B已知合格芯片
3
的SuI P P L E M E N牛逼
PAD说明
焊盘位置相对于死去中心。
PAD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
信号
V
CC
DQ4
DQ12
DQ5
DQ13
DQ6
DQ14
DQ7
DQ15/A–1
V
SS
BYTE ＃
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
WE＃
RESET＃
RY / BY ＃
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
V
SS
OE ＃
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
垫中心（密耳）
X
Y
–0.90
80.50
–13.00
80.50
–18.90
80.50
–24.80
80.50
–30.70
80.50
–36.50
80.50
–42.40
80.50
–48.30
80.50
–54.20
80.50
–63.60
78.90
–63.60
68.90
–63.60
–58.80
–63.30
–79.00
–55.90
–79.00
–50.50
–79.00
–44.70
–79.00
–39.30
–79.00
–33.40
–79.00
–28.00
–78.70
–22.10
–79.00
–16.60
–79.00
–7.10
–82.80
10.20
–82.80
22.20
–79.00
28.00
–79.00
33.40
–79.00
39.30
–79.00
44.70
–79.00
50.50
–79.00
55.90
–79.00
63.30
–79.00
63.60
58.60
63.60
68.70
63.60
78.70
54.20
81.40
46.60
80.50
40.70
80.50
34.90
80.50
28.90
80.50
23.10
80.50
17.20
80.50
11.40
80.50
5.40
80.50
垫中心（毫米）
X
Y
–0.02
2.04
–0.33
2.04
–0.48
2.04
–0.63
2.04
–0.78
2.04
–0.93
2.04
–1.08
2.04
–1.23
2.04
–1.38
2.04
–1.62
2.00
–1.62
1.75
–1.62
–1.49
–1.61
–2.01
–1.42
–2.01
–1.28
–2.01
–1.14
–2.01
–1.00
–2.01
–0.85
–2.01
–0.71
–2.00
–0.56
–2.01
–0.42
–2.01
–0.18
–2.10
0.26
–2.10
0.56
–2.01
0.71
–2.01
0.85
–2.01
1.00
–2.01
1.14
–2.01
1.28
–2.01
1.42
–2.01
1.61
–2.01
1.62
1.49
1.62
1.75
1.62
2.00
1.38
2.07
1.18
2.04
1.03
2.04
0.89
2.04
0.73
2.04
0.59
2.04
0.44
2.04
0.29
2.04
0.14
2.04
注意：
上面的坐标是相对于模具中心，并可以用来操作引线接合设备。
4
AM29LV400B已知合格芯片
的SuI P P L E M E N牛逼
PAD说明
相对于V焊盘位置
CC
.
PAD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
信号
V
CC
DQ4
DQ12
DQ5
DQ13
DQ6
DQ14
DQ7
DQ15/A–1
V
SS
BYTE ＃
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
WE＃
RESET＃
RY / BY ＃
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
V
SS
OE ＃
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
垫中心（密耳）
X
Y
0.00
0.00
–12.10
0.00
–18.00
0.00
–23.90
0.00
–29.80
0.00
–35.60
0.00
–41.50
0.00
–47.40
0.00
–53.30
0.00
–62.70
–1.60
–62.70
–11.60
–62.70
–21.70
–62.40
–159.50
–55.00
–159.50
–49.60
–159.50
–43.80
–159.50
–38.40
–159.50
–32.50
–159.50
–27.10
–159.20
–21.20
–159.50
–15.70
–159.50
–6.20
–163.30
11.10
–163.30
23.10
–159.50
28.90
–159.50
34.30
–159.50
40.20
–159.50
45.60
–159.50
51.40
–159.50
56.80
–159.50
64.20
–159.50
64.50
–21.90
64.50
–11.80
64.50
–1.80
55.10
0.90
47.50
0.00
41.60
0.00
35.80
0.00
29.80
0.00
24.00
0.00
18.10
0.00
12.30
0.00
6.30
0.00
垫中心（毫米）
X
Y
0.00
0.00
–0.31
0.00
–0.46
0.00
–0.61
0.00
–0.76
0.00
–0.90
0.00
–1.05
0.00
–1.20
0.00
–1.35
0.00
–1.59
–0.04
–1.59
–0.29
–1.59
–0.55
–1.58
–4.05
–1.40
–4.05
–1.26
–4.05
–1.11
–4.05
–0.98
–4.05
–0.83
–4.05
–0.69
–4.04
–0.54
–4.05
–0.40
–4.05
–0.16
–4.15
0.28
–4.15
0.59
–4.05
0.73
–4.05
0.87
–4.05
1.02
–4.05
1.16
–4.05
1.31
–4.05
1.44
–4.05
1.63
–4.05
1.64
–0.56
1.64
–0.30
1.64
–0.05
1.40
0.02
1.21
0.00
1.06
0.00
0.91
0.00
0.76
0.00
0.61
0.00
0.46
0.00
0.31
0.00
0.16
0.00
注意：
上面的坐标是相对于模具中心，并可以用来操作引线接合设备。
AM29LV400B已知合格芯片
5
AM29LV400B KGD
数据表
2003年7月
下列文件规定，现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范，这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果，并且将记录在
文档修订概要，其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现，
和变化，都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
23427
调整
C
修订
0
发行日期
2003年10月15日
补充
AM29LV400B已知合格芯片
4兆位（ 512K的×8位/ 256千×16位）
CMOS 3.0伏只，引导扇区闪存
特色鲜明
■
单电源工作
- 2.7至3.6 V的读取，编程和擦除
操作
- 非常适合电池供电的应用
■
在0.32微米制程技术制造的
■
高性能
- 60R ， 70 ， 80 ， 90 ，或120 ns访问时间
■
低功率消耗（典型值
5兆赫）
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
■
灵活的部门架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
7 64K字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并
7 32千字部门（字模式）
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门，以防止硬件方法
内的任何程序或擦除操作
扇形
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
■
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
■
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
■
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
■
最低百万写周期保证
每个扇区
■
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
■
数据＃查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
■
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
■
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，
或程序数据，一个扇区是不是
擦除，然后恢复擦除操作
■
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
■
20年的数据保存在125°C
■
经测试数据表规格的
温度
■
质量和可靠性水平相当于
标准封装组件
出版＃
23427
启：
C
Amendment/0
发行日期：
2003年10月15日
的SuI P P L E M E N牛逼
概述
该AM29LV400B在已知合格芯片（ KGD ）的形式是
一个4兆， 3.0伏，只有闪存。 AMD定义
KGD作为标准产品裸片形式，测试功能 -
先进而精湛和速度。 AMD KGD产品具有相同的可靠性
能力素质作为AMD的产品包装形式。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃
终止在任何操作
进度和复位内部状态机
读阵列数据。在RESET ＃可以绑在
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时，通过一个部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程的注射
化。
AM29LV400B特点
该AM29LV400B是4兆， 3.0伏，仅限于Flash
内存组织为524,288字节或262,144字。
字级数据（ X16 ）出现在DQ15 - DQ0 ;该
字节宽的（x8 ）数据显示在DQ7 - DQ0 。为了消除
内特总线争用该设备具有单独的芯片
使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能
（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。无V
PP
需要
编程或擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据，而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法automati-
美云preprograms阵列（如果它尚未亲
编程）执行擦除操作之前。
在擦除，擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后，该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
电气规格
请参考AM29LV400B数据表，出版
号码21523 ，完整的电气规范上
AM29LV400B在KGD形式。
2
AM29LV400B已知合格芯片
的SuI P P L E M E N牛逼
产品选择指南
系列型号
速度选项&电压
工作范围，V
CC
最大访问时间，t
加
（纳秒）
最大CE＃访问，T
CE
（纳秒）
最大OE ＃访问，T
OE
（纳秒）
3.0 – 3.6 V
2.7 – 3.6 V
60
60
30
-60R
-70
70
70
30
-80
80
80
30
-90
90
90
35
-120
120
120
50
AM29LV400B KGD
注意：
请参阅
“测试条件”
对有关速度的选项的其他信息。
DIE PHOTOGRAPH
DIE焊盘位置
9
8
7
6
5
4
3
2
1 43 42 41 40 39 38 37 36 35
10
11
12
34
33
32
AMD标识的位置
22
13 14 15 16 17 18 19 20 21
23
24 25 26 27 28 29 30 31
AM29LV400B已知合格芯片
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