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Am29LV116D
数据表
RETIRED
产品
此产品已退休,不建议设计。对于新的设计, S29AL016D
取代Am29LV116D 。请参考S29AL016D数据手册规范和订货
信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
21359
调整
E
修订
5
发行日期
九月12,2006
这页有意留为空白。
数据表
Am29LV116D
16兆位(2M ×8位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
此产品已退休,不建议设计。对于新的设计, S29AL016D取代Am29LV116D 。请参考S29AL016D数据手册规范
和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取和写入操作
电池供电应用
在0.23微米制程技术制造的
- 兼容并替代Am29LV116B
设备
高性能
- 存取时间快70纳秒
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 9毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
31 64 KB的行业
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门,以防止硬件方法
该部门内的任何程序或擦除操作
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
顶部或底部启动块配置
可用的
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
最低百万写周期保证
每个扇区
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
封装选项
- 40针TSOP
CFI (通用闪存接口)兼容
- 提供特定于设备的信息发送给
系统,允许主机软件来容易
重新配置不同的闪存器件
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21359
启:
E
修订:
5
发行日期:
九月12,2006
数据表
概述
该Am29LV116D是16兆, 3.0伏仅限于Flash
内存组织为2,097,152字节。该装置是
在一个40引脚TSOP封装。该字节宽的(x8 )
数据显示在DQ7 - DQ0 。所有读取,编程,和
擦除操作仅使用一个单一的实现
电源。该设备也可以在编程
标准EPROM编程器。
该标准的设备提供的70 , 90的访问时间,并
120纳秒,允许高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线争
该设备有独立的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定为指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时,通过一个部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程的注射
化。
2
Am29LV116D
21359E5月12,2006
数据表
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
标准产品................................................ .................... 6
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
表1. Am29LV116D设备总线操作................................ 7
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 22
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 22
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 22
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 23
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 23
图6.切换位算法............................................ ............ 23
表10.写操作状态............................................ ....... 24
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
图7.最大负过冲波形...................... 25
图8.最大正过冲波形........................ 25
对于读阵列数据要求..................................... 7
写命令/命令序列.............................. 7
编程和擦除操作状态...................................... 8
待机模式................................................ .......................... 8
自动休眠模式............................................... .............. 8
RESET # :硬件复位引脚............................................ 8 .....
输出禁止模式............................................... ................. 8
表2. Am29LV116DT热门引导扇区地址表................ 9
表3. Am29LV116DB底部引导扇区地址表......... 10
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
CMOS兼容................................................ .................. 26
零功耗闪存............................................... .................... 27
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ............... 27
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 27
自选模式................................................ ..................... 11
表4. Am29LV116D自动选择代码(高压法) ..11
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
图11.测试设置............................................. ........................ 28
表11.测试规范............................................. ............ 28
扇区保护/ unprotection的.............................................. 11
临时机构撤消............................................... ... 11
图1.在系统部门保护/撤消算法.............. 12
图2.临时机构撤消操作........................... 13
关键开关波形.............................................. .... 28
图12.输入波形和测量水平................. 28
硬件数据保护............................................... ....... 13
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 13
表5. CFI查询标识字符串.......................................... 14
表6.系统接口字符串............................................ ......... 14
表7.设备几何定义............................................ ..15
表8.主要供应商特定的扩展查询........................ 15
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
读操作................................................ .................... 29
图13.读操作时序............................................ 29
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 30
图14. RESET #时序............................................ .............. 30
擦除/编程操作.............................................. ....... 31
图15.程序操作时序..........................................
图16.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图17.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图18.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图19. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
32
32
33
33
34
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
读阵列数据............................................... ................. 16
复位命令................................................ ..................... 16
自选命令序列............................................ 16
字节编程命令序列....................................... 16
图3.程序操作............................................. ............. 17
临时机构撤消............................................... ... 34
图20.临时机构撤消时序图.............. 34
图21.部门保护/撤消时序图.................... 35
图22.备用CE #控制的写操作时序...... 37
芯片擦除命令序列........................................... 17
扇区擦除命令序列........................................ 18
擦除暂停/删除恢复命令........................... 18
图4.擦除操作............................................. .................. 19
命令定义................................................ ............. 20
表9. Am29LV116D命令定义............................... 20
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 21
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 21
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 38
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
TS 040-40针标准TSOP .......................................... .. 39
修订总结40
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 22
九月12,2006 21359E5
Am29LV116D
3
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