Am29LV065MU
数据表
RETIRED
产品
此产品已经退休，不适用于设计。对于新的和现有的设计，
S29GL064A取代Am29LV065MU ，是厂家推荐的迁移路径。请
参考S29GL064A数据表的规格和订购信息。可用性这
文档保留仅供参考，历史的目的。
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果，并且将记录在
文档修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
25262
调整
C
修订
4
发行日期
2006年9月12日
数据表
Am29LV065MU
64兆位（8M ×8位）的MirrorBit 3.0伏只
统一部门快闪记忆体与VersatileI / O控制
此产品已经退休，不适用于设计。对于新的和现有的设计， S29GL064A取代Am29LV065MU ，是工厂recom-
谁料迁移路径。请参阅S29GL064A数据表的规格和订购信息。可用性此文件被保留，以供参考
历史仅供参考。
特色鲜明
架构优势
单电源工作
- 3伏读取，擦除和编程操作
VersatileI / O 控制
- 设备产生和耐受电压数据在CE ＃
和DQ的输入/输出由所述电压测定
在V
IO
销;工作在1.65至3.6 V
在0.23微米的MirrorBit工艺制造
技术
SecSi （安全硅）扇形区域
- 256字节的扇区为永久的，安全标识
通过一个16字节的随机电子序列号，
通过一个命令序列访问
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
灵活的部门架构
- 一百28 64 KB的行业
与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存，以及优越的疏忽
写保护
每个扇区最低100,000次擦除周期保证
20年的数据保存在125°C
性能特点
高性能
- 90 ns访问时间
- 25 ns的页读取时间
- 0.5秒典型扇区擦除时间
- 11 μs的典型有效的写缓冲器字节编程
时间： 32字节的写缓冲整体减少
编程时间为多字节更新
- 8字节读出页缓冲器
32字节的写缓冲区
低功耗（ 3.0 V典型值，
5兆赫）
- 30毫安典型的读操作工作电流
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 1 μA典型待机模式电流
封装选项
- 48引脚TSOP
- 63球FBGA
软件&硬件功能
软件特点
- 程序暂停&简历：读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起&简历：读/程序等
擦除操作之前，扇区结束
- 数据＃轮询&触发位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字节编程时间
- CFI （通用闪存接口）兼容：允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
硬件特性
- 部门组保护：硬件方法
防止内业组写操作
- 临时机构撤消： V
ID
的-level方法
在锁定行业不断变化的代码
- ACC （高电压）引脚编程加速
时间系统在生产过程中更高的吞吐量
- 硬件复位引脚（ RESET ＃ ）复位装置
- 就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）检测编程或擦除
周期结束
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版＃
25262
启：
C
Amendment/4
发行日期：
2006年9月12日
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
D A T A
中文ê （E T）
概述
该Am29LV065MU是64兆， 3.0伏单电源
供应闪存设备组织为8,388,608
字节。该装置具有一个8位宽的数据总线，并且可以
可以或者在主机系统或标编程
准EPROM编程器。
90 ，100， 110 ，或120纳秒的存取时间是可用的。
注意，每个设备具有一个特定的工作电压
范围（V
CC
）和一个I / O电压范围（Ⅴ
IO
） ，作为试样
田间的“产品选择指南”第5页和“命令中─上
第9页上的荷兰国际集团的信息“该设备提供的
48引脚TSOP或者63球FBGA封装。每个器件
拥有独立的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）
和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。此外
A V
CC
输入，高电压
加速计划
（ ACC ）
输入提供了更短的编程时间
通过增加电流。该功能的目的是
系统在生产过程中有利于工厂的吞吐量，
但也可在该领域需要时可以使用。
该设备完全指令集兼容
该
JEDEC单电源闪存标准。
命令写入设备使用标准的
微处理器写时序。写周期也互
应受锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。
该
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程，而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
器件编程和擦除通过启动
命令序列。一旦一个程序或擦除操作
ATION已经开始时，主机系统只需要轮询
DQ7 （数据＃查询）或DQ6 （切换）
状态位
or
监控
就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）
输出来确定
矿操作是否已完成。为了方便
节目中，
解锁绕道
模式减少的COM
通过要求只有两个写命令序列的开销
循环编程数据，而不是四个。
该
VersatileI / O
(V
IO
）控制允许主机系
统设置的电压电平，该装置产生
和容忍的CE＃控制输入和DQ I / O来
被断言在V相同的电压电平
IO
引脚。
请参见“订购信息”的有效V第9页
IO
OP-
系统蒸发散。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器扇区的任意组合。
这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
该
擦除暂停/删除恢复
功能允许
主机系统暂停在一个给定的擦除操作
扇区读取或写其他部门，然后
完成擦除操作。该
程序可持
挂起/恢复计划
功能可使主机系
统暂停在一个给定的扇区分配给一个程序的操作
阅读任何其他部门，然后完成程序
操作。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进度和复位器件，在这之后是再
准备好一个新的操作。在RESET ＃引脚可
绑在系统复位电路。系统复位会
因而也使器件复位，从而使主机系统
读取来自闪存设备引导固件。
该装置降低了功耗，在
待机模式
它检测到特定的电压电平，当
在CE ＃和RESET ＃ ，或者当地址已经
稳定为指定的时间周期。
该
SecSi （安全硅）行业
提供了256
字节的区域代码或数据，可以是永久
受保护的。一旦这个行业是受保护的，没有进一步
行业内的变化可能发生。
AMD的MirrorBit闪存技术结合多年的
快闪记忆体制造经验，生产
的质量，可靠性和成本effec-最高水平
那些收不到。该装置电擦除内所有的位
通过热孔辅助擦除扇区同时进行。该
数据是使用热电子注入编程。
2
Am29LV065MU
2006年9月12日
超前信息
Am29LV065M
64兆位（8M ×8位）的MirrorBit 3.0伏只
统一部门快闪记忆体与VersatileI / O控制
特色鲜明
架构优势
s
单电源工作
- 3伏读取，擦除和编程操作
s
增强VersatileI / O 控制
- 设备产生的数据的输出电压，并且能够忍耐
数据的输入电压由所述电压测定
在V
IO
销;工作在1.65至3.6 V
s
在0.23微米的MirrorBit工艺制造
技术
s
SecSi （安全硅）扇形区域
- 256字节的扇区为永久的，安全标识
通过一个16字节的随机电子序列号，
通过一个命令序列访问
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
s
灵活的部门架构
- 一百28 64 KB的行业
s
与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存，以及优越的疏忽
写保护
s
每个扇区最低100,000次擦除周期保证
s
20年的数据保存在125°C
性能特点
s
高性能
- 90 ns访问时间
- 25 ns的页读取时间
- 0.4秒典型扇区擦除时间
- 3.0 μs的典型写入缓冲区的字节编程时间：
32字节的写缓冲降低了总体规划
时间多字节更新
- 8字节读出页缓冲器
32字节的写缓冲区
s
低功耗（ 3.0 V典型值，
5兆赫）
- 30毫安典型的读操作工作电流
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 1 μA典型待机模式电流
s
封装选项
- 48引脚TSOP
- 63球FBGA
软件&硬件功能
s
软件特点
- 程序暂停&简历：读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起&简历：读/程序等
擦除操作之前，扇区结束
- 数据＃轮询&触发位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字节编程时间
- CFI （通用闪存接口）兼容：允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
s
硬件特性
- 部门组保护：硬件方法
防止内业组写操作
- 临时机构撤消： V
ID
的-level方法
在锁定行业不断变化的代码
- ACC （高电压）引脚编程加速
时间系统在生产过程中更高的吞吐量
- 硬件复位引脚（ RESET ＃ ）复位装置
- 就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）检测编程或擦除
周期结束
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版＃
25262
启：
A
Amendment/+1
发行日期：
2001年10月3日
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该Am29LV065M是64兆， 3.0伏单电源
供应闪存设备组织为8,388,608
字节。该装置具有一个8位宽的数据总线，并且可以
可以或者在主机系统或标编程
准EPROM编程器。
90 ，100， 110 ，或120纳秒的存取时间是可用的。
注意，每个设备具有一个特定的工作电压
范围（V
CC
）和一个I / O电压范围（Ⅴ
IO
） ，作为试样
在网络版
产品选择指南
和
订货在 -
编队
部分。该器件采用48引脚
TSOP或者63球FBGA封装。每个设备具有
独立的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和
输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。此外
A V
CC
输入，高电压
加速计划
（ ACC ）
输入提供了更短的编程时间
通过增加电流。该功能的目的是
系统在生产过程中有利于工厂的吞吐量，
但也可在该领域需要时可以使用。
该设备完全指令集兼容
该
JEDEC单电源闪存标准。
命令写入设备使用标准的
微处理器写时序。写周期也互
应受锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。
该
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程，而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
器件编程和擦除通过启动
命令序列。一旦一个程序或擦除操作
ATION已经开始时，主机系统只需要轮询
DQ7 （数据＃查询）或DQ6 （切换）
状态位
or
监控
就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）
输出来确定
矿操作是否已完成。为了方便
节目中，
解锁绕道
模式减少的COM
通过要求只有两个写命令序列的开销
循环编程数据，而不是四个。
该
VersatileI / O
(V
IO
）控制允许主机系
统设置的电压电平，该装置产生
在其数据输出端和电压耐受在其
数据输入到相同的电压电平被置位
在V
IO
引脚。这允许在一个操作设备
根据需要1.8或3V系统的环境。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器扇区的任意组合。
这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
该
擦除暂停/删除恢复
功能允许
主机系统暂停在一擦除操作
定扇区读或写其他部门和
然后完成擦除操作。该
节目
挂起/恢复计划
功能可使主机
系统暂停在一个给定扇区的程序操作
阅读任何其他部门，然后完成亲
克操作。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进度和复位器件，在这之后是再
准备好一个新的操作。在RESET ＃引脚可
绑在系统复位电路。系统复位会
因而也使器件复位，从而使主机系统
读取来自闪存设备引导固件。
该装置降低了功耗，在
待机模式
它检测到特定的电压电平，当
在CE ＃和RESET ＃ ，或者当地址已经
稳定为指定的时间周期。
该
SecSi （安全硅）行业
提供
256字节的区域代码或数据，可以是perma-
nently保护。一旦这个行业是受保护的，没有进一
该扇区内的疗法的改变可以发生。
AMD的MirrorBit闪存技术结合多年的
快闪记忆体制造经验，生产
的质量，可靠性和成本effec-最高水平
那些收不到。该装置电擦除内所有的位
通过热孔辅助擦除扇区同时进行。该
数据是使用热电子注入编程。
2
Am29LV065M
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