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Am29LV033C
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
22268
调整
B
修订
+2
发行日期
2000年11月7日
Am29LV033C
32兆位( 4米×8位)
CMOS 3.0伏只统一部门快闪记忆体
特色鲜明
架构优势
软件特点
s
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
电源在非活动期间消耗几乎为零
s
支持通用闪存接口( CFI )
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,使编程
在同一家银行
s
封装选项
- 63球FBGA
- 40针TSOP
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测状态的软件的方法
编程或擦除周期
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
s
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
s
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
任何部门的结合可以被删除
s
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
s
灵活的部门架构
- 64个字节扇区
s
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读方式
s
在0.32微米制程技术制造的
性能特点
s
ACC输入引脚
- 加速度( ACC )功能提供加速
节目时间
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间: 7微秒/字节典型的利用加速
功能
s
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
s
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
s
至少1百万次写周期保证
每个扇区
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
命令序列的大容量存储优化
- 不需要解锁周期的具体地址
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
22268
启:
B
Amendment/+2
发行日期:
Novembe 7 , 2000
概述
该Am29LV033C是32兆, 3.0伏仅限于Flash
内存组织为4,194,304字节。该装置是
在63球FBGA封装和40引脚TSOP封装。
该字节宽的(x8 )数据显示在DQ7 - DQ0 。所有
读取,编程和擦除操作得以实现
仅使用一个单一的电源。该还可以装置
在标准EPROM编程器进行编程。
该标准的设备提供的70 , 90的访问时间,并
120纳秒,允许高速微处理器也能操作
吃无等待状态。为了消除总线争用的
设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除,
自动装置倍擦除脉冲宽度
并验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可以连接到
系统复位电路。系统复位将因此
还重置设备,使系统微处理器的
处理器读取Flash中的引导固件
内存。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29LV033C
目录
特色鲜明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
标准产品................................................ 8 ..
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29LV033C设备总线操作............ 9
图5.数据#轮询算法................................ 24
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... 25
DQ6 :切换位I ............................................. ..... 25
DQ2 :触发位II ............................................. .... 25
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................ 25
DQ5 :超出时序限制.............................. 26
DQ3 :扇区擦除定时器..................................... 26
图6.切换位算法..................................... 26
表10.写操作状态................................ 27
对于读阵列数据................... 9需求
写命令/命令序列............ 9
加快程序运行........................... 10
编程和擦除操作状态.................. 10
待机模式................................................ ...... 10
自动休眠模式......................................... 10
RESET # :硬件复位引脚............................. 10
输出禁止模式............................................ 11
表2. Am29LV033C扇区地址表............ 11
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
CMOS兼容............................................... 29
零功耗闪存............................................... 30 ..
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动
和自动休眠电流) ................................... 30
图10.典型I
CC1
与频率......................... 30
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
图11.测试设置............................................. ..... 31
表11.测试规范...................................... 31
自选模式................................................ ... 13
表3. Am29LV033C自选代码
(高压法) ............................................. ... 13
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
图12.输入波形和
测量级别................................................ ... 31
部门/部门块保护和13 unprotection的
表4.扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... 14
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
读操作................................................ .. 32
图13.读操作时序.......................... 32
临时机构/部门撤消座........... 14
图1.临时机构撤消操作....... 14
图2.在系统部门保护/
撤消算法................................................ ... 15
硬件复位( RESET # ) ................................. 33
图14. RESET #时序........................................ 33
擦除/编程操作................................... 34
图15.编程操作时序....................... 35
图16.加速程序时序图....... 35
图17.芯片/扇区擦除操作时序........ 36
图18.数据#投票计时(在
嵌入式算法) .............................. 37
图19.触发位计时(在
嵌入式算法) .............................. 37
图20. DQ2与DQ6 ........................................... ... 37
图21.临时机构/部门
块撤消时序图................................. 38
图22.部门保护/撤消
时序图................................................ ........... 39
图23.备用CE #控制的写
操作时序................................................ ....... 41
硬件数据保护.................................... 16
低V
CC
写禁止............................................ 16
写脉冲“毛刺”保护............................. 16
逻辑禁止................................................ ....... 16
上电时禁止写入......................................... 16
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 16
表5. CFI查询标识字符串...................... 16
表6.系统接口字符串................................. 17
表7.设备几何定义.......................... 17
表8.主要供应商特定的扩展查询.... 18
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
读阵列数据.............................................. 19
复位命令................................................ .. 19
自选命令序列.......................... 19
字节编程命令序列..................... 19
解锁绕道命令序列................... 20
加快项目运作......................... 20
图3.程序操作...................................... 20
芯片擦除命令序列......................... 20
扇区擦除命令序列...................... 21
擦除暂停/删除恢复命令......... 21
图4.擦除操作........................................... 22
表9. Am29LV033C命令定义........... 23
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
DQ7 :数据#投票............................................. 24 ..
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 42
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
TS 040-40引脚TSOP标准......................... 43
TSR040-40引脚的反向TSOP ........................ 44
FBD063-63球细间距球栅阵列
( FBGA ) 8× 14毫米........................................... .... 45
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46
版本B( 2000年1月3日) ............................... 46
版本B + 1 ( 2000年2月21日) ....................... 46
版本B + 2 ( 2000年11月7日) ....................... 46
Am29LV033C
3
产品选择指南
系列型号
速度选项
最大访问时间(纳秒)
CE#访问( NS )
OE #访问( NS )
全电压范围: V
CC
= 2.7–3.6 V
-70
70
70
30
Am29LV033C
-90
90
90
40
-120
120
120
50
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ7
WE#
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A21
4
Am29LV033C
Am29LV033C
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
22268
调整
B
修订
+2
发行日期
2000年11月7日
Am29LV033C
32兆位( 4米×8位)
CMOS 3.0伏只统一部门快闪记忆体
特色鲜明
架构优势
软件特点
s
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
电源在非活动期间消耗几乎为零
s
支持通用闪存接口( CFI )
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,使编程
在同一家银行
s
封装选项
- 63球FBGA
- 40针TSOP
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测状态的软件的方法
编程或擦除周期
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
s
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
s
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
任何部门的结合可以被删除
s
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
s
灵活的部门架构
- 64个字节扇区
s
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读方式
s
在0.32微米制程技术制造的
性能特点
s
ACC输入引脚
- 加速度( ACC )功能提供加速
节目时间
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间: 7微秒/字节典型的利用加速
功能
s
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
s
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
s
至少1百万次写周期保证
每个扇区
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
命令序列的大容量存储优化
- 不需要解锁周期的具体地址
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
22268
启:
B
Amendment/+2
发行日期:
Novembe 7 , 2000
概述
该Am29LV033C是32兆, 3.0伏仅限于Flash
内存组织为4,194,304字节。该装置是
在63球FBGA封装和40引脚TSOP封装。
该字节宽的(x8 )数据显示在DQ7 - DQ0 。所有
读取,编程和擦除操作得以实现
仅使用一个单一的电源。该还可以装置
在标准EPROM编程器进行编程。
该标准的设备提供的70 , 90的访问时间,并
120纳秒,允许高速微处理器也能操作
吃无等待状态。为了消除总线争用的
设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除,
自动装置倍擦除脉冲宽度
并验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可以连接到
系统复位电路。系统复位将因此
还重置设备,使系统微处理器的
处理器读取Flash中的引导固件
内存。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29LV033C
目录
特色鲜明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
标准产品................................................ 8 ..
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29LV033C设备总线操作............ 9
图5.数据#轮询算法................................ 24
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... 25
DQ6 :切换位I ............................................. ..... 25
DQ2 :触发位II ............................................. .... 25
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................ 25
DQ5 :超出时序限制.............................. 26
DQ3 :扇区擦除定时器..................................... 26
图6.切换位算法..................................... 26
表10.写操作状态................................ 27
对于读阵列数据................... 9需求
写命令/命令序列............ 9
加快程序运行........................... 10
编程和擦除操作状态.................. 10
待机模式................................................ ...... 10
自动休眠模式......................................... 10
RESET # :硬件复位引脚............................. 10
输出禁止模式............................................ 11
表2. Am29LV033C扇区地址表............ 11
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
CMOS兼容............................................... 29
零功耗闪存............................................... 30 ..
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动
和自动休眠电流) ................................... 30
图10.典型I
CC1
与频率......................... 30
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
图11.测试设置............................................. ..... 31
表11.测试规范...................................... 31
自选模式................................................ ... 13
表3. Am29LV033C自选代码
(高压法) ............................................. ... 13
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
图12.输入波形和
测量级别................................................ ... 31
部门/部门块保护和13 unprotection的
表4.扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... 14
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
读操作................................................ .. 32
图13.读操作时序.......................... 32
临时机构/部门撤消座........... 14
图1.临时机构撤消操作....... 14
图2.在系统部门保护/
撤消算法................................................ ... 15
硬件复位( RESET # ) ................................. 33
图14. RESET #时序........................................ 33
擦除/编程操作................................... 34
图15.编程操作时序....................... 35
图16.加速程序时序图....... 35
图17.芯片/扇区擦除操作时序........ 36
图18.数据#投票计时(在
嵌入式算法) .............................. 37
图19.触发位计时(在
嵌入式算法) .............................. 37
图20. DQ2与DQ6 ........................................... ... 37
图21.临时机构/部门
块撤消时序图................................. 38
图22.部门保护/撤消
时序图................................................ ........... 39
图23.备用CE #控制的写
操作时序................................................ ....... 41
硬件数据保护.................................... 16
低V
CC
写禁止............................................ 16
写脉冲“毛刺”保护............................. 16
逻辑禁止................................................ ....... 16
上电时禁止写入......................................... 16
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 16
表5. CFI查询标识字符串...................... 16
表6.系统接口字符串................................. 17
表7.设备几何定义.......................... 17
表8.主要供应商特定的扩展查询.... 18
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
读阵列数据.............................................. 19
复位命令................................................ .. 19
自选命令序列.......................... 19
字节编程命令序列..................... 19
解锁绕道命令序列................... 20
加快项目运作......................... 20
图3.程序操作...................................... 20
芯片擦除命令序列......................... 20
扇区擦除命令序列...................... 21
擦除暂停/删除恢复命令......... 21
图4.擦除操作........................................... 22
表9. Am29LV033C命令定义........... 23
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
DQ7 :数据#投票............................................. 24 ..
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 42
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
TS 040-40引脚TSOP标准......................... 43
TSR040-40引脚的反向TSOP ........................ 44
FBD063-63球细间距球栅阵列
( FBGA ) 8× 14毫米........................................... .... 45
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46
版本B( 2000年1月3日) ............................... 46
版本B + 1 ( 2000年2月21日) ....................... 46
版本B + 2 ( 2000年11月7日) ....................... 46
Am29LV033C
3
产品选择指南
系列型号
速度选项
最大访问时间(纳秒)
CE#访问( NS )
OE #访问( NS )
全电压范围: V
CC
= 2.7–3.6 V
-70
70
70
30
Am29LV033C
-90
90
90
40
-120
120
120
50
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ7
WE#
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A21
4
Am29LV033C
Am29LV033C
数据表
RETIRED
产品
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计,
S29AL032D取代Am29LV033C ,是厂家推荐的迁移路径。请参考
到S29AL032D数据表的规格和订购信息。可用性本文档中
换货保留仅供参考,历史的目的。
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
22268
调整
B
修订
+5
发行日期
2006年9月12日
这页有意留为空白。
数据表
Am29LV033C
32兆位( 4米×8位)
CMOS 3.0伏只统一部门快闪记忆体
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计, S29AL032D取代Am29LV033C ,是厂家推荐的迁移路径。
请参阅S29AL032D数据表的规格和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
架构优势
软件特点
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
封装选项
- 63球FBGA
- 40针TSOP
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
灵活的部门架构
- 64个字节扇区
在0.32微米制程技术制造的
性能特点
支持通用闪存接口( CFI )
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,使编程
在同一家银行
数据#查询和翻转位
- 提供检测状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读方式
ACC输入引脚
- 加速度( ACC )功能提供加速
节目时间
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
命令序列的大容量存储优化
- 不需要解锁周期的具体地址
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间: 7微秒/字节典型的利用加速
功能
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
至少1百万次写周期保证
每个扇区
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
22268
启:
B
Amendment/5
发行日期:
2006年9月12日
D A T A
中文ê (E T)
概述
该Am29LV033C是32兆, 3.0伏仅限于Flash
内存组织为4,194,304字节。该装置是
在63球FBGA封装和40引脚TSOP封装。
该字节宽的(x8 )数据显示在DQ7 - DQ0 。所有
读取,编程和擦除操作得以实现
仅使用一个单一的电源。该还可以装置
在标准EPROM编程器进行编程。
该标准的设备提供的70 , 90的访问时间,并
120纳秒,允许高速微处理器也能操作
吃无等待状态。为了消除总线争用的
设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除,
自动装置倍擦除脉冲宽度
并验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期
完成后,该装置已准备好读取阵列数据或
接受另一个命令。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这是在系统内或通过编程来实现
设备。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可以连接到
系统复位电路。系统复位将因此
还重置设备,使系统微处理器的
处理器读取Flash中的引导固件
内存。
该器件提供两种省电功能。当
地址是稳定在指定的时间量,
该器件进入
自动休眠模式。
系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29LV033C
2006年22268B5 9月12日,
D A T A
中文ê (E T)
目录
连续性规格.................................... 1
欲了解更多信息.............................................. 1
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
标准产品................................................ 10
表1. Am29LV033C设备总线操作.......... 11
DQ7 :数据#投票............................................. .. 26
图5.数据#轮询算法................................ 26
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... 27
DQ6 :切换位I ............................................. ..... 27
DQ2 :触发位II ............................................. .... 27
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................ 27
DQ5 :超出时序限制.............................. 28
DQ3 :扇区擦除定时器..................................... 28
图6.切换位算法..................................... 28
表10.写操作状态................................ 29
对于读阵列数据要求................. 11
写命令/命令序列.......... 11
加快程序运行........................... 12
编程和擦除操作状态.................. 12
待机模式................................................ ...... 12
自动休眠模式......................................... 12
RESET # :硬件复位引脚............................. 12
输出禁止模式............................................ 13
表2. Am29LV033C扇区地址表............ 13
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
CMOS兼容............................................... 31
零功耗闪存............................................... .. 32
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动
和自动休眠电流) ................................... 32
图10.典型I
CC1
与频率......................... 32
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
图11.测试设置............................................. ..... 33
表11.测试规范...................................... 33
图12.输入波形和
测量级别................................................ ... 33
自选模式................................................ ... 15
表3. Am29LV033C自选代码
(高压法) ............................................. ... 15
部门/部门块保护和15 unprotection的
表4.扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... 16
图1.临时机构撤消操作....... 16
图2.在系统部门保护/
撤消算法................................................ ... 17
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
读操作................................................ .. 34
图13.读操作时序.......................... 34
硬件复位( RESET # ) ................................. 35
图14. RESET #时序........................................ 35
擦除/编程操作................................... 36
图15.编程操作时序....................... 37
图16.加速程序时序图....... 37
图17.芯片/扇区擦除操作时序........ 38
图18.数据#投票计时(在
嵌入式算法) .............................. 39
图19.触发位计时(在
嵌入式算法) .............................. 39
图20. DQ2与DQ6 ........................................... ... 39
图21.临时机构/部门
块撤消时序图................................. 40
图22.部门保护/撤消
时序图................................................ ........... 41
图23.备用CE #控制的写
操作时序................................................ ....... 43
硬件数据保护.................................... 18
低V
CC
写禁止............................................ 18
写脉冲“毛刺”保护............................. 18
逻辑禁止................................................ ....... 18
上电时禁止写入......................................... 18
表5. CFI查询标识字符串...................... 18
表6.系统接口字符串................................. 19
表7.设备几何定义.......................... 19
表8.主要供应商特定的扩展查询.... 20
读阵列数据.............................................. 21
复位命令................................................ .. 21
自选命令序列.......................... 21
字节编程命令序列..................... 21
解锁绕道命令序列................... 22
加快项目运作......................... 22
图3.程序操作...................................... 22
芯片擦除命令序列......................... 22
扇区擦除命令序列...................... 23
擦除暂停/删除恢复命令......... 23
图4.擦除操作........................................... 24
表9. Am29LV033C命令定义........... 25
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 44
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
TS 040-40引脚TSOP标准......................... 45
TSR040-40引脚的反向TSOP ........................ 46
FBD063-63球细间距球栅阵列
( FBGA ) 8× 14毫米........................................... .... 47
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
2006年22268B5 9月12日,
Am29LV033C
3
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