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初步
Am29LV001B
1兆位( 128千×8位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
在0.35微米制程技术制造的
s
高性能
- 全电压范围:存取时间快55纳秒
为快速存取时间:稳压电压范围 -
为45纳秒
s
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个8字节, 2字节4 ,七16千字节
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门,以防止硬件方法
内的任何程序或擦除操作
扇形
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
解锁旁路模式程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
每次最少百万写周期保证
扇形
s
封装选项
- 32引脚TSOP
- 32引脚PLCC
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 支持自编程或读取数据
一个没有被擦除的数据,以扇区
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件方法,该装置复位到
读阵列数据
出版#
21557
启:
C
Amendment/0
发行日期:
1998年4月
初步
概述
该Am29LV001B是1兆位, 3.0伏仅限于Flash
存储设备组织为131,072字节。该
Am29LV001B有一个引导扇区结构。
该器件采用32引脚PLCC和32引脚TSOP
包。该字节宽的(x8 )数据出现在DQ7-
DQ0 。所有的读取,擦除和编程操作
仅使用一个电源来实现。该
装置还可以在标准EPROM编程
程序员。
标准Am29LV001B提供的45存取时间,
55 ,70,和90纳秒,从而允许高速microproces-
理器,而无需等待状态运行。为了消除总线
争,该设备已单独的芯片使能( CE # ) ,
写使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单电源供电
(2.7
V- 3.6V ),用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该Am29LV001B ,完全是命令集兼容
瓦特是H T ^ h ê
JEDEC S IN克乐 - P嗷嗷é RS UPP LY F拉SH
标准。
命令被写入命令稳压
存器采用标准的微处理器写时序。稳压
存器的内容作为输入到内部语句
机,它控制了擦除和编程税务局局长
cuitry 。写周期内部也锁存地址和
所需的编程数据和擦除操作
系统蒸发散。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过阅读DQ7 (数据#
轮询)和DQ6 (切换)
状态位。
一个程序后,
或擦除周期已经完成,该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定为指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时通过部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程
注入。
Am29LV001B
2
初步
产品选择指南
系列型号
速度选项
稳压电压范围: V
CC
=3.0–3.6 V
全电压范围: V
CC
= 2.7–3.6 V
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
45
45
25
-45R
-55
55
55
30
-70
70
70
30
-90
90
90
35
Am29LV001B
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
DQ0
DQ7
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
WE#
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A16
21557C-1
3
Am29LV001B
初步
连接图
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE#
V
CC
RESET#
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32引脚TSOP标准
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32引脚TSOP反转
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE#
V
CC
RESET#
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
RESET#
4 3 2 1 32 31 30
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 15 16 17 18 19 20
V
SS
DQ3
DQ1
DQ2
DQ4
DQ5
DQ6
PLCC
Am29LV001
V
CC
A12
A15
WE#
NC
A16
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
21557C-2
Am29LV001B
4
初步
引脚配置
A0–A16
= 17地址
DQ0 - DQ7 = 8的数据输入/输出
CE#
OE #
WE#
RESET#
V
CC
=芯片使能
=输出使能
=写使能
=硬件复位引脚,低电平有效
= 3.0伏,只有单电源供电
(见产品选择指南速度
选项和电源电压公差)
=设备接地
=引脚内部没有连接
逻辑符号
17
A0–A16
DQ0–DQ7
8
CE#
OE #
WE#
RESET#
V
SS
NC
21557C-3
5
Am29LV001B
Am29LV001B
数据表
RETIRED
产品
此产品已退休,不建议设计。请联系您的Spansion公司
代表候补。可用性此文件被保留,以供参考和历史
仅供参考。
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
21553
调整
F
修订
4
发行日期
2006年5月5日
这页有意留为空白。
数据表
Am29LV001B
1兆位( 128千×8位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
此产品已退休,不建议设计。请联系您的Spansion代表候补。可用性此文件被保留,以供参考和
只是历史的目的。
特色鲜明
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
在0.32微米制程技术制造的
高性能
- 全电压范围:存取时间快55纳秒
- 稳压电压范围:存取时间快
45纳秒
超低功耗(在5个典型值
兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
灵活的部门架构
- 一个8字节, 2字节4 ,七16千字节
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门,以防止任何的硬件方法
该部门内部编程或擦除操作
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
解锁旁路模式程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
提供顶部或底部启动块配置
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
每个部门最少百万擦除周期保证
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
封装选项
- 32引脚TSOP
- 32引脚PLCC
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
擦除暂停/删除恢复
- 支持自编程或读取的数据数据
到一个没有被擦除的扇区
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件方法,该装置复位到
读阵列数据
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21557
启:
F
修订:
4
发行日期:
2006年5月5日
数据表
概述
该Am29LV001B是1兆位, 3.0伏仅限于Flash
存储设备组织为131,072字节。该
Am29LV001B有一个引导扇区结构。
该器件采用32引脚PLCC和32引脚TSOP
包。该字节宽的(x8 )数据显示在DQ7 - DQ0 。
所有的读取,擦除和编程操作都完成
仅使用一个单一的电源。该装置也可以是
在标准EPROM编程器编程。
标准Am29LV001B提供的45存取时间,
55 ,70,和90纳秒,从而允许高速的微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线争用,
该设备有独立的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
该器件仅需要单电源供电( 2.7 V - 3.6V )
用于读取和写入功能。内部生成的,
提供了用于在程序稳压电压和
擦除操作。
该Am29LV001B ,完全是命令集兼容
与JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动嵌入式
程序算法,内部算法自动
次编程脉冲宽度和验证适当的细胞
利润率。解锁旁路模式有利于更快地亲
通过要求只有两个写周期编程时代
程序数据,而不是四个。
设备擦除时通过执行擦除命令
序列。这将启动嵌入式擦除算法 -
内部算法,可以自动preprograms的
数组(如果它尚未编程)在执行前
擦除操作。在擦除,设备会自动
次擦除脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过阅读DQ7 (数据#
轮询)和DQ6 (切换)状态位。一个程序后,
或擦除周期已经完成,该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护措施,包括低VCC
探测器可以自动抑制在写操作
电源转换。硬件扇区保护功能
禁用这两个方案,并在任何的COM擦除操作
bination的内存部门。这可以实现
在系统或通过编程设备。
擦除挂起功能允许用户把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚终止在任何操作
进度和复位内部状态机
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址是稳定在指定的时间量,则
器件进入自动休眠模式。该系统可
同时将设备进入待机模式。功率变
消耗是在这两个模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的最高
的质量,可靠性和成本效益的水平。该
装置电擦除一个扇区内的所有位simulta-
通过neously福勒- Nordheim隧穿。该数据是
用热电子注入编程。
2
Am29LV001B
21557F4 2006年5月5日
数据表
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
表1. Am29LV001B设备总线操作................................ 7
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 18
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 19
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 19
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 19
图6.切换位算法............................................ ............ 20
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 20
表6.写操作状态............................................ ......... 21
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
图7.最大负过冲波形...................... 22
图8.最大正过冲波形........................ 22
对于读阵列数据要求..................................... 7
写命令/命令序列.............................. 7
编程和擦除操作状态...................................... 8
待机模式................................................ .......................... 8
自动休眠模式............................................... .............. 8
RESET # :硬件复位引脚............................................ 8 .....
输出禁止模式............................................... ................. 8
表2. Am29LV001B热门引导扇区结构...................... 9
表3. Am29LV001B底部引导扇区结构.................. 9
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动
休眠电流) .............................. ............................... 24
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 24
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
图11.测试设置............................................. ........................ 25
表7.测试规范............................................. .............. 25
自选模式................................................ ....................... 9
表4. Am29LV001B自选代码....................................... 10
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
图12.输入波形和测量水平................. 25
扇区保护/ unprotection的.............................................. 10
临时机构撤消............................................... ... 10
图1.在系统部门保护/撤消算法............... 11
图2.临时机构撤消操作........................... 12
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
图13.读操作时序............................................ 26
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 27
图14. RESET #时序............................................ .............. 27
硬件数据保护............................................... ....... 12
低V
CC
写禁止................................................ .............. 12
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 12
逻辑禁止................................................ .......................... 12
上电写禁止............................................. ............... 12
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
读阵列数据............................................... ................. 13
复位命令................................................ ..................... 13
自选命令序列............................................ 13
字节编程命令序列....................................... 13
解锁绕道命令序列..................................... 14
图3.程序操作............................................. ............. 14
擦除/编程操作.............................................. ....... 28
图15.编程操作时序.......................................... 29
图16.芯片/扇区擦除操作时序.......................... 30
图17.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。 31
图18.触发位计时(在嵌入式算法) ...... 31
图19. DQ2与DQ6 ........................................... ...................... 32
临时机构撤消............................................... ... 32
图20.临时机构撤消时序图.............. 32
图21.在系统部门保护/撤消时序图... 33
备用CE #控制的擦除/编程操作............ 34
图22.备用CE #控制的写操作时序...... 35
芯片擦除命令序列........................................... 14
扇区擦除命令序列........................................ 15
擦除暂停/删除恢复命令........................... 15
图4.擦除操作............................................. .................. 16
命令定义................................................ ............. 17
表5. Am29LV001B命令定义................................ 17
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 18
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 18
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 36
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
PLCC引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
PL 032-32引脚塑料有引线芯片载体......................... 38
TS 032-32针标准薄型小尺寸封装......... 39
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
2006年5月5日21557F4
Am29LV001B
3
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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