初步
Am29F800B
8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位)
CMOS 5.0伏只,引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 5.0伏只用于读操作,擦除和
方案业务
- 最小化的系统级要求
s
在0.35微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29F800设备
s
高性能
- 存取时间快55纳秒
s
低功耗( 5典型值
兆赫)
- 1微安的待机模式下的电流
- 20毫安读取电流(字节模式)
- 28毫安读取电流(字模式)
- 30毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
科幻fteen 64字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
科幻fteen 32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
部门可以通过编程来锁定
设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
每次最少百万编程/擦除周期
担保业
s
封装选项
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
出版#
21504
启:
C
Amendment/+1
发行日期:
1998年4月
P L I M I N A R
概述
该Am29F800B是8兆, 5.0伏,仅限于Flash
内存组织为1,048,576字节或524,288
话。该器件采用44引脚SO和48引脚
TSOP封装。所述字宽的数据( x16的)出现在
DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据出现在DQ7-
DQ0 。本设备被设计为被编程IN-
系统与标准系统5.0伏V
CC
供应量。
12.0 V V
PP
不需要用于写入或擦除操作
系统蒸发散。该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
该器件采用AMD的0.35微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
在Am29F800 ,这是用制造的efits
0.5微米工艺技术。
该标准的设备提供的55 ,70, 90的访问时间,
120和150纳秒,从而允许高速的微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功耗大大降低
此模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
highestl前夕lsofquality , reliabilityandcost
有效性。该装置电擦除所有
同时通过行业内的位
F O w制备L E -N 深高专口米吨加利否E L I N G - 。牛逼 E D一T A I S
用热电子注入编程。
2
Am29F800B
初步
Am29F800B
8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位)
CMOS 5.0伏只,引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 5.0伏只用于读操作,擦除和
方案业务
- 最小化的系统级要求
s
在0.35微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29F800设备
s
高性能
- 存取时间快55纳秒
s
低功耗( 5典型值
兆赫)
- 1微安的待机模式下的电流
- 20毫安读取电流(字节模式)
- 28毫安读取电流(字模式)
- 30毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
科幻fteen 64字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
科幻fteen 32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
部门可以通过编程来锁定
设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
每次最少百万编程/擦除周期
担保业
s
封装选项
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
出版#
21504
启:
C
Amendment/+1
发行日期:
1998年4月
P L I M I N A R
概述
该Am29F800B是8兆, 5.0伏,仅限于Flash
内存组织为1,048,576字节或524,288
话。该器件采用44引脚SO和48引脚
TSOP封装。所述字宽的数据( x16的)出现在
DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据出现在DQ7-
DQ0 。本设备被设计为被编程IN-
系统与标准系统5.0伏V
CC
供应量。
12.0 V V
PP
不需要用于写入或擦除操作
系统蒸发散。该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
该器件采用AMD的0.35微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
在Am29F800 ,这是用制造的efits
0.5微米工艺技术。
该标准的设备提供的55 ,70, 90的访问时间,
120和150纳秒,从而允许高速的微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功耗大大降低
此模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
highestl前夕lsofquality , reliabilityandcost
有效性。该装置电擦除所有
同时通过行业内的位
F O w制备L E -N 深高专口米吨加利否E L I N G - 。牛逼 E D一T A I S
用热电子注入编程。
2
Am29F800B