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Am29F800B
数据表
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
21504
调整
E
修订
5
发行日期
2006年11月2日
这页有意留为空白。
数据表
Am29F800B
8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位)
CMOS 5.0伏只,引导扇区闪存
特色鲜明
单电源工作
- 5.0伏只用于读操作,擦除和
方案业务
- 最小化的系统级要求
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29F800设备
高性能
- 存取时间快55纳秒
低功率消耗(典型值
5兆赫)
- 1微安的待机模式下的电流
- 20毫安读取电流(字节模式)
- 28毫安读取电流(字模式)
- 30毫安编程/擦除电流
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
科幻fteen 64字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
科幻fteen 32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
- 部门可以通过编程来锁定
设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
每次最少百万编程/擦除周期
担保业
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
封装选项
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
- 48球FBGA
- 已知合格芯片( KGD )
(参见出版号21631 )
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21504
启:
E
修订:
5
发行日期:
2006年11月2日
数据表
概述
该Am29F800B是8兆, 5.0伏,仅限于Flash
内存组织为1,048,576字节或524,288
话。该器件采用44引脚SO , 48针
TSOP和48球FBGA封装。该装置还
提供已知合格芯片( KGD )的形式。欲了解更多
信息,请参阅出版物号21631.该
字宽的数据( X16 )出现在DQ15 - DQ0 ;该
字节宽的(x8 )数据显示在DQ7 - DQ0 。该装置
被设计成在系统编程与标
达尔德系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
在用于写或擦除操作。该设备可以
同时在标准EPROM编程编程
聚体。
该器件采用AMD的0.32微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
在Am29F800 ,这是用制造的efits
0.5微米工艺技术。
该标准的设备提供的55 ,70, 90的访问时间,
和120纳秒,使高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线争
该设备有独立的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功耗大大降低
此模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29F800B
21504E5 2006年11月2日
数据表
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊处理的说明FBGA封装.................... 6
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29F800B设备总线操作.................................. 9
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
TTL / NMOS兼容.............................................. ............ 24
CMOS兼容................................................ .................. 25
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
图8.测试设置............................................. .......................... 26
表7.测试规范............................................. .............. 26
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
读操作................................................ .................... 27
图9.读操作时序............................................ ... 27
字/字节配置.............................................. ............ 9
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列.............................. 9
编程和擦除操作状态.................................... 10
待机模式................................................ ........................ 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 10
输出禁止模式............................................... ............... 10
表2. Am29F800BT热门引导块扇区地址表....... 11
表3. Am29F800BB底部引导块,扇区地址表..12
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 28
图10. RESET #时序............................................ .............. 28
字/字节配置( BYTE # ) ........................................ 29
图11. BYTE #时序进行读操作............................ 29
图12. BYTE #时序写操作............................ 29
擦除/编程操作.............................................. ....... 30
图13.程序操作时序..........................................
图14.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图15.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图16.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图17. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
31
32
33
33
34
自选模式................................................ ..................... 12
表4. Am29F800B自选代码(高压法) .... 13
扇区保护/ unprotection的.............................................. 13
临时机构撤消............................................... ... 13
图1.临时机构撤消操作........................... 13
临时机构撤消............................................... ... 34
图18.临时机构撤消时序图.............. 34
图19.备用CE #控制的写操作时序...... 36
硬件数据保护............................................... ....... 14
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
读阵列数据............................................... ................. 14
复位命令................................................ ..................... 14
自选命令序列............................................ 15
字/字节编程命令序列............................. 15
图2.程序运行............................................. ............. 15
芯片擦除命令序列........................................... 15
扇区擦除命令序列........................................ 16
擦除暂停/删除恢复命令........................... 16
图3.擦除操作............................................. .................. 17
命令定义................................................ ............. 18
表5. Am29F800B命令定义................................... 18
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 19
图4.数据#轮询算法........................................... ........ 19
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 20
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 20
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 20
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ .. 20
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 21
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 21
图5.切换位算法............................................ ............. 21
表6.写操作状态............................................ .......... 22
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
图6.最大负过冲波形....................... 23
图7.最大正过冲波形......................... 23
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 37
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
SO 044-44引脚小外形封装................................ 38
TS 048-48引脚标准引脚薄型小
外形封装( TSOP ) ............................................. ........... 39
FBB048-48球细间距球栅阵列( FBGA ) 6 ×9mm的
包................................................. ................................. 40
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
版本A( 1997年8月) ............................................ ........... 41
版本B( 1997年10月) ............................................ ......... 41
版本C( 1998年1月) ............................................ ......... 41
版本C + 1 ( 1998年4月) .......................................... ............. 41
版本C + 2 ( 1998年4月) .......................................... ............. 41
版本D ( 1999年1月) ............................................ ......... 42
版本D + 1 ( 1999年3月23日) ........................................ ...... 42
版本D + 2 ( 1999年7月2日) ........................................ ........... 42
版本E ( 1999年11月16日) .......................................... .. 42
版本E + 1 ( 2000年8月4日) ........................................ ....... 42
版本E + 2 ( 2004年6月4日) ........................................ .......... 42
修订E3 ( 2005年12月22日) .......................................... 42
修订E4 ( 2006年5月19日) .......................................... ......... 42
修订E5 ( 2006年11月2日) .......................................... .. 42
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
2006年11月2日21504E5
Am29F800B
3
初步
Am29F800B
8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位)
CMOS 5.0伏只,引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 5.0伏只用于读操作,擦除和
方案业务
- 最小化的系统级要求
s
在0.35微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29F800设备
s
高性能
- 存取时间快55纳秒
s
低功耗( 5典型值
兆赫)
- 1微安的待机模式下的电流
- 20毫安读取电流(字节模式)
- 28毫安读取电流(字模式)
- 30毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
科幻fteen 64字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
科幻fteen 32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
部门可以通过编程来锁定
设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
每次最少百万编程/擦除周期
担保业
s
封装选项
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
出版#
21504
启:
C
Amendment/+1
发行日期:
1998年4月
P L I M I N A R
概述
该Am29F800B是8兆, 5.0伏,仅限于Flash
内存组织为1,048,576字节或524,288
话。该器件采用44引脚SO和48引脚
TSOP封装。所述字宽的数据( x16的)出现在
DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据出现在DQ7-
DQ0 。本设备被设计为被编程IN-
系统与标准系统5.0伏V
CC
供应量。
12.0 V V
PP
不需要用于写入或擦除操作
系统蒸发散。该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
该器件采用AMD的0.35微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
在Am29F800 ,这是用制造的efits
0.5微米工艺技术。
该标准的设备提供的55 ,70, 90的访问时间,
120和150纳秒,从而允许高速的微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功耗大大降低
此模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
highestl前夕lsofquality , reliabilityandcost
有效性。该装置电擦除所有
同时通过行业内的位
F O w制备L E -N 深高专口米吨加利否E L I N G - 。牛逼 E D一T A I S
用热电子注入编程。
2
Am29F800B
P L I M I N A R
产品选择指南
系列型号
速度选项
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
V
CC
= 5.0 V ± 5%
V
CC
= 5.0 V ± 10%
55
55
30
-55
-70
70
70
30
-90
90
90
35
-120
120
120
50
-150
150
150
55
Am29F800B
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ15 ( A- 1 )
WE#
BYTE #
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A18
21504C-1
Am29F800B
3
P L I M I N A R
连接图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE#
RESET#
NC
NC
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48引脚TSOP-标准引脚
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
A16
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48引脚TSOP-反向引脚
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE#
RESET#
NC
NC
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
21504C-2
4
Am29F800B
P L I M I N A R
连接图
SO
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE#
V
SS
OE #
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET#
WE#
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
21504C-3
引脚配置
A0–A18
= 19地址
DQ0 - DQ14 = 15的数据输入/输出
DQ15/A-1
BYTE #
CE#
OE #
WE#
RESET#
RY / BY #
V
CC
= DQ15 (数据输入/输出,文字模式) ,
A- 1 ( LSB地址输入,字节模式)
=选择8位或16位模式
=芯片使能
=输出使能
=写使能
=硬件复位引脚,低电平有效
=就绪/忙输出#
= + 5.0V单电源供电
(见产品选择指南
器件速度等级和电压
电源容限)
=设备接地
=引脚内部没有连接
逻辑符号
19
A0–A18
DQ0–DQ15
(A-1)
CE#
OE #
WE#
RESET#
BYTE #
RY / BY #
16或8
21504C-4
V
SS
NC
Am29F800B
5
初步
Am29F800B
8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位)
CMOS 5.0伏只,引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 5.0伏只用于读操作,擦除和
方案业务
- 最小化的系统级要求
s
在0.35微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29F800设备
s
高性能
- 存取时间快55纳秒
s
低功耗( 5典型值
兆赫)
- 1微安的待机模式下的电流
- 20毫安读取电流(字节模式)
- 28毫安读取电流(字模式)
- 30毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
科幻fteen 64字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
科幻fteen 32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
部门可以通过编程来锁定
设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
每次最少百万编程/擦除周期
担保业
s
封装选项
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
出版#
21504
启:
C
Amendment/+1
发行日期:
1998年4月
P L I M I N A R
概述
该Am29F800B是8兆, 5.0伏,仅限于Flash
内存组织为1,048,576字节或524,288
话。该器件采用44引脚SO和48引脚
TSOP封装。所述字宽的数据( x16的)出现在
DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据出现在DQ7-
DQ0 。本设备被设计为被编程IN-
系统与标准系统5.0伏V
CC
供应量。
12.0 V V
PP
不需要用于写入或擦除操作
系统蒸发散。该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
该器件采用AMD的0.35微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
在Am29F800 ,这是用制造的efits
0.5微米工艺技术。
该标准的设备提供的55 ,70, 90的访问时间,
120和150纳秒,从而允许高速的微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功耗大大降低
此模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
highestl前夕lsofquality , reliabilityandcost
有效性。该装置电擦除所有
同时通过行业内的位
F O w制备L E -N 深高专口米吨加利否E L I N G - 。牛逼 E D一T A I S
用热电子注入编程。
2
Am29F800B
P L I M I N A R
产品选择指南
系列型号
速度选项
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
V
CC
= 5.0 V ± 5%
V
CC
= 5.0 V ± 10%
55
55
30
-55
-70
70
70
30
-90
90
90
35
-120
120
120
50
-150
150
150
55
Am29F800B
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ15 ( A- 1 )
WE#
BYTE #
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A18
21504C-1
Am29F800B
3
P L I M I N A R
连接图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE#
RESET#
NC
NC
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48引脚TSOP-标准引脚
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
A16
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48引脚TSOP-反向引脚
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE#
RESET#
NC
NC
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
21504C-2
4
Am29F800B
P L I M I N A R
连接图
SO
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE#
V
SS
OE #
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET#
WE#
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
21504C-3
引脚配置
A0–A18
= 19地址
DQ0 - DQ14 = 15的数据输入/输出
DQ15/A-1
BYTE #
CE#
OE #
WE#
RESET#
RY / BY #
V
CC
= DQ15 (数据输入/输出,文字模式) ,
A- 1 ( LSB地址输入,字节模式)
=选择8位或16位模式
=芯片使能
=输出使能
=写使能
=硬件复位引脚,低电平有效
=就绪/忙输出#
= + 5.0V单电源供电
(见产品选择指南
器件速度等级和电压
电源容限)
=设备接地
=引脚内部没有连接
逻辑符号
19
A0–A18
DQ0–DQ15
(A-1)
CE#
OE #
WE#
RESET#
BYTE #
RY / BY #
16或8
21504C-4
V
SS
NC
Am29F800B
5
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地址:新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
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