初步
Am29F400AT/Am29F400AB
4兆位（ 524,288 ×8位/ 262,144 x 16位） CMOS 5.0伏只，
扇区擦除闪存
特色鲜明
s
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 ％
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
兼容采用符合JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
s
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
s
最少100,000次写/擦除周期保证
s
高性能
- 最大60 ns访问时间
s
扇区擦除架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
7 64字节
任何部门的结合可以被删除。还
支持整片擦除。
s
扇区保护
- 硬件方法禁用任意组合
自写或擦除操作部门。
使用标准的PROM实现
编程设备。
s
嵌入式擦除
算法
- 自动preprograms和擦除芯片
或任何部门
s
嵌入式程序
算法
- 自动在程序和VERI音响ES数据
特定网络版地址
s
数据轮询和切换位功能检测
的编程或擦除周期完成
s
就绪/忙输出（ RY / BY ）
- 硬件的检测方法，程序或
擦除周期结束
s
擦除挂起/恢复
- 支持从一个部门不被读取的数据
删除
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流为字节模式
- 27 mA典型有效的读电流模式字
- 30毫安典型的编程/擦除电流
s
增强的电源管理，待机
模式
— 1
典型待机电流
s
引导代码部门架构
- T =热门行业
- B =底部部门
s
硬件复位引脚
- 复位内部状态机读方式
5.0 V-仅限于Flash
概述
该Am29F400A是4兆， 5.0伏，只有闪存
组织为512字节的8位或每256 K字
的每个16比特。在4兆比特的数据被划分成11个
一个16字节的扇区，两个8字节， 1个32字节，
七64千字节，用于灵活的擦除能力。该
8位数据将出现在DQ0 - DQ7或16位上
DQ0 - DQ15 。该Am29F400A提供44引脚SO
和48引脚TSOP封装。本设备被设计
要被编程在系统的标准系统
5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不要求
编程或擦除操作。该设备还可以重新
在标准EPROM编程器编程。
该标准Am29F400A提供了访问时间
60纳秒， 70纳秒， 90 NS ， NS 120和150纳秒，使高
高速微处理器无需等待状态运行。
为了消除总线争用的设备有另行
利率芯片使能（ CE ） ，写使能（ WE）和输出
启用（ OE ）控制。
该Am29F400A完全是命令集兼容
与JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制该擦除和编程电路。
出版＃
20380
启：
B
Amendment/0
发行日期：
1997年4月
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。
P L I M I N A R
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
12.0伏Flash或EPROM器件。
该Am29F400A通过执行亲编程
克的命令序列。这将调用嵌入
DED程序算法是一个内部算法
自动时间程序的脉冲宽度和
VERI科幻ES适当的细胞保证金。擦除由完成
执行擦除命令序列。这
将调用嵌入式擦除算法是一种
内部算法自动preprograms的
数组，如果尚未执行前编
擦除操作。在擦除时，设备automat-
ically次擦除脉冲宽度和VERI音响ES正确
电池余量。
该器件还具有一个扇区擦除架构。
这允许对存储器扇区被擦除并重新
不影响的数据内容的目的
其他行业。一个扇区通常擦除和VERI网络版
在1.5秒。该Am29F400A被删除时，
从工厂运出。
该Am29F400A器件还具有硬件部门
保护。此功能将禁用这两个方案，并
在11扇区的任意组合擦除操作
的存储器。
AMD已经实现了一个擦除挂起功能，
使用户将擦除搁置任何时期
时间来读取一个扇区为没有被数据
删除。因此，真正的背景擦除就可以实现。
该器件具有一个5.0伏的电源能操作
ATION的读写功能。内部gen-
erated并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。低V
CC
非盟探测器
功率管在tomatically抑制写操作
位数。程序或擦除操作的结束是由所检测到的
RY / BY引脚。 DQ7数据查询，或通过触发位
（ DQ6 ） 。一旦一个程序或擦除周期的端部具有
完成后，设备会自动重置为
阅读模式。
该Am29F400A也有一个硬件复位引脚。
当该引脚驱动任何嵌入低，执行
DED程序算法或嵌入式擦除算法
将被终止。内部状态机，然后将
被复位到读模式。 RESET引脚可
绑在系统复位电路。因此，如果一个系统
嵌入式程序算法的过程中发生复位
或嵌入式擦除算法，该设备将自动
matically重置为读模式，将有errone-
存储在地址位置是OU的数据
操作上。这些位置都需要重写后
复位。重置设备将使系
TEM的微处理器读取开机连接固件
从FLASH存储器。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该Am29F400A内存电擦除所有
bitswithinasectorsi亩ltaneouslyvia
福勒 - Nordhiem隧道。字节/字是亲
编程一个字节/字在一个时间使用的EPROM
热电子注入编程机制。
灵活的扇区擦除架构
s
一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
7 64 KB的行业
s
个别部门或多扇区擦除功能
s
部门保护是用户去连接nable
(x8)
SA10
SA9
SA8
SA7
SA6
SA5
SA4
SA3
SA2
SA1
SA0
16字节
8字节
8字节
32千字节
64字节
64字节
64字节
64字节
64字节
64字节
64字节
6FFFFh 37FFFh
5FFFFh 2FFFFh
4FFFFh 27FFFh
3FFFFH 1FFFFH
2FFFFh 17FFFh
1FFFFH地址0FFFFh
地址0FFFFh 07FFFh
00000h
00000h
20380B-1
(x16)
7FFFFH 3FFFFH
7BFFFh 3DFFFh
79FFFh 3CFFFh
77FFFh 3BFFFh
Am29F400AT部门架构
(x8)
SA10
SA9
SA8
SA7
SA6
SA5
SA4
SA3
SA2
SA1
SA0
64字节
64字节
64字节
64字节
64字节
64字节
64字节
32千字节
8字节
8字节
16字节
05FFFh 02FFFh
03FFFh 01FFFH
00000h
00000h
20380B-2
(x16)
7FFFFH 3FFFFH
6BFFFh 37FFFh
5FFFFh 2FFFFh
4FFFFh 27FFFh
3FFFFH 1FFFFH
2FFFFh 17FFFh
1FFFFH地址0FFFFh
地址0FFFFh 07FFFh
07FFFh 03FFFh
Am29F400AB部门架构
2
Am29F400AT/Am29F400AB
初步
Am29F400AT/Am29F400AB
4兆位（ 524,288 ×8位/ 262,144 x 16位） CMOS 5.0伏只，
扇区擦除闪存
特色鲜明
s
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 ％
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
兼容采用符合JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
s
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
s
最少100,000次写/擦除周期保证
s
高性能
- 最大60 ns访问时间
s
扇区擦除架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
7 64字节
任何部门的结合可以被删除。还
支持整片擦除。
s
扇区保护
- 硬件方法禁用任意组合
自写或擦除操作部门。
使用标准的PROM实现
编程设备。
s
嵌入式擦除
算法
- 自动preprograms和擦除芯片
或任何部门
s
嵌入式程序
算法
- 自动在程序和VERI音响ES数据
特定网络版地址
s
数据轮询和切换位功能检测
的编程或擦除周期完成
s
就绪/忙输出（ RY / BY ）
- 硬件的检测方法，程序或
擦除周期结束
s
擦除挂起/恢复
- 支持从一个部门不被读取的数据
删除
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流为字节模式
- 27 mA典型有效的读电流模式字
- 30毫安典型的编程/擦除电流
s
增强的电源管理，待机
模式
— 1
典型待机电流
s
引导代码部门架构
- T =热门行业
- B =底部部门
s
硬件复位引脚
- 复位内部状态机读方式
5.0 V-仅限于Flash
概述
该Am29F400A是4兆， 5.0伏，只有闪存
组织为512字节的8位或每256 K字
的每个16比特。在4兆比特的数据被划分成11个
一个16字节的扇区，两个8字节， 1个32字节，
七64千字节，用于灵活的擦除能力。该
8位数据将出现在DQ0 - DQ7或16位上
DQ0 - DQ15 。该Am29F400A提供44引脚SO
和48引脚TSOP封装。本设备被设计
要被编程在系统的标准系统
5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不要求
编程或擦除操作。该设备还可以重新
在标准EPROM编程器编程。
该标准Am29F400A提供了访问时间
60纳秒， 70纳秒， 90 NS ， NS 120和150纳秒，使高
高速微处理器无需等待状态运行。
为了消除总线争用的设备有另行
利率芯片使能（ CE ） ，写使能（ WE）和输出
启用（ OE ）控制。
该Am29F400A完全是命令集兼容
与JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制该擦除和编程电路。
出版＃
20380
启：
B
Amendment/0
发行日期：
1997年4月
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。
P L I M I N A R
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
12.0伏Flash或EPROM器件。
该Am29F400A通过执行亲编程
克的命令序列。这将调用嵌入
DED程序算法是一个内部算法
自动时间程序的脉冲宽度和
VERI科幻ES适当的细胞保证金。擦除由完成
执行擦除命令序列。这
将调用嵌入式擦除算法是一种
内部算法自动preprograms的
数组，如果尚未执行前编
擦除操作。在擦除时，设备automat-
ically次擦除脉冲宽度和VERI音响ES正确
电池余量。
该器件还具有一个扇区擦除架构。
这允许对存储器扇区被擦除并重新
不影响的数据内容的目的
其他行业。一个扇区通常擦除和VERI网络版
在1.5秒。该Am29F400A被删除时，
从工厂运出。
该Am29F400A器件还具有硬件部门
保护。此功能将禁用这两个方案，并
在11扇区的任意组合擦除操作
的存储器。
AMD已经实现了一个擦除挂起功能，
使用户将擦除搁置任何时期
时间来读取一个扇区为没有被数据
删除。因此，真正的背景擦除就可以实现。
该器件具有一个5.0伏的电源能操作
ATION的读写功能。内部gen-
erated并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。低V
CC
非盟探测器
功率管在tomatically抑制写操作
位数。程序或擦除操作的结束是由所检测到的
RY / BY引脚。 DQ7数据查询，或通过触发位
（ DQ6 ） 。一旦一个程序或擦除周期的端部具有
完成后，设备会自动重置为
阅读模式。
该Am29F400A也有一个硬件复位引脚。
当该引脚驱动任何嵌入低，执行
DED程序算法或嵌入式擦除算法
将被终止。内部状态机，然后将
被复位到读模式。 RESET引脚可
绑在系统复位电路。因此，如果一个系统
嵌入式程序算法的过程中发生复位
或嵌入式擦除算法，该设备将自动
matically重置为读模式，将有errone-
存储在地址位置是OU的数据
操作上。这些位置都需要重写后
复位。重置设备将使系
TEM的微处理器读取开机连接固件
从FLASH存储器。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该Am29F400A内存电擦除所有
bitswithinasectorsi亩ltaneouslyvia
福勒 - Nordhiem隧道。字节/字是亲
编程一个字节/字在一个时间使用的EPROM
热电子注入编程机制。
灵活的扇区擦除架构
s
一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
7 64 KB的行业
s
个别部门或多扇区擦除功能
s
部门保护是用户去连接nable
(x8)
SA10
SA9
SA8
SA7
SA6
SA5
SA4
SA3
SA2
SA1
SA0
16字节
8字节
8字节
32千字节
64字节
64字节
64字节
64字节
64字节
64字节
64字节
6FFFFh 37FFFh
5FFFFh 2FFFFh
4FFFFh 27FFFh
3FFFFH 1FFFFH
2FFFFh 17FFFh
1FFFFH地址0FFFFh
地址0FFFFh 07FFFh
00000h
00000h
20380B-1
(x16)
7FFFFH 3FFFFH
7BFFFh 3DFFFh
79FFFh 3CFFFh
77FFFh 3BFFFh
Am29F400AT部门架构
(x8)
SA10
SA9
SA8
SA7
SA6
SA5
SA4
SA3
SA2
SA1
SA0
64字节
64字节
64字节
64字节
64字节
64字节
64字节
32千字节
8字节
8字节
16字节
05FFFh 02FFFh
03FFFh 01FFFH
00000h
00000h
20380B-2
(x16)
7FFFFH 3FFFFH
6BFFFh 37FFFh
5FFFFh 2FFFFh
4FFFFh 27FFFh
3FFFFH 1FFFFH
2FFFFh 17FFFh
1FFFFH地址0FFFFh
地址0FFFFh 07FFFh
07FFFh 03FFFh
Am29F400AB部门架构
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Am29F400AT/Am29F400AB
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