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Am29F200B
数据表
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
21526
调整
D
修订
4
发行日期
Nobember 1 , 2006年
这页有意留为空白。
数据表
Am29F200B
2兆位( 256千×8位/ 128的K× 16位)
CMOS 5.0伏只,引导扇区闪存
特色鲜明
5.0 V的读取和写入操作
- 最大程度降低系统级功耗要求
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29F200A设备
高性能
- 存取时间快45纳秒
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流(字节模式)
- 27 mA典型有效的读电流
(字模式)
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- 1 μA典型待机电流
扇区擦除架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
3个64字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
3个32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
部门可以通过编程设备被锁定
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
提供顶部或底部启动块配置
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
最低百万写入/擦除周期保证
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
- 已知合格芯片( KGD )
(参见出版号21257 )
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
数据#投票和切换位
- 检测编程或擦除周期完成
就绪/忙#输出( RY / BY # )
- 硬件的检测方法,程序或
擦除周期结束
擦除暂停/删除恢复
- 从一个部门不支持读取数据
被擦除
硬件RESET #引脚
- 复位内部状态机来读取
数组数据
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21526
启:
D
修订:
4
发行日期:
2006年11月1日
D A T A
中文ê (E T)
概述
该Am29F200B是2兆, 5.0伏,仅限于Flash
内存组织为262,144字节或131,072字。
的8位数据上出现的DQ0 - DQ7 ;在16位上
DQ0 - DQ15 。该Am29F200B提供44引脚SO
和48引脚TSOP封装。该装置也可用
能够在已知合格芯片( KGD )的形式。欲了解更多
信息,请参阅出版物号21257.这
设备被设计成在系统编程用
标准系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏
V
PP
不需要用于编程或擦除操作。
该设备还可以在标准的重新编程
EPROM编程器。
该器件采用AMD的0.32微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
该Am29F200A ,将其制造的efits
采用0.5微米工艺技术。
该标准的设备提供的45 ,50, 55的访问时间,
70 , 90 ,和120 ns的高速运转让
微处理器无需等待。为了消除总线
争的设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,
写使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法automati-
美云preprograms阵列(如果它已不
编程)执行擦除操作之前。
在擦除,擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (切换)
状态位。
某个程序后或
擦除周期已经完成,该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器中的扇区的任意组合。
这可以通过编程设备来实现。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29F200B
21526D4 2006年11月1日
D A T A
中文ê (E T)
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
4
4
5
6
6
7
8
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 18
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 18
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 19
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 19
图5.切换位算法............................................ ............ 19
表6.写操作状态............................................ ......... 20
表1. Am29F200B设备总线操作.................................. 8
字/字节配置.............................................. ............ 8
对于读阵列数据要求..................................... 8
写命令/命令序列.............................. 8
编程和擦除操作状态...................................... 9
待机模式................................................ .......................... 9
RESET # :硬件复位引脚............................................ ..... 9
输出禁止模式............................................... ................. 9
表2. Am29F200T热门引导块扇区地址表......... 10
表3. Am29F200B底部引导块,扇区地址表.... 10
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
TTL / NMOS兼容.............................................. ............ 22
CMOS兼容................................................ .................. 23
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
图8.测试设置............................................. .......................... 24
表7.测试规范............................................. .............. 24
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
读操作................................................ .................... 25
图9.读操作时序............................................ ... 25
自选模式................................................ ..................... 10
表4. Am29F200B自选代码(高压法) .... 11
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 26
图10. RESET #时序............................................ .............. 26
扇区保护/ unprotection的.............................................. 11
临时机构撤消............................................... ... 11
图1.临时机构撤消操作........................... 11
字/字节配置( BYTE # )
...................................... 27
硬件数据保护............................................... ....... 11
低V
CC
写禁止................................................ ...................... 12
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 12
逻辑禁止................................................ .................................. 12
上电写禁止............................................. ....................... 12
图11. BYTE #时序进行读操作............................ 27
图12. BYTE #时序写操作............................ 27
擦除/编程操作.............................................. ....... 28
图13.程序操作时序..........................................
图14.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图15.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图16.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图17. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
29
30
31
31
32
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
读阵列数据............................................... ................. 12
复位命令................................................ ..................... 12
自选命令序列............................................ 12
字/字节编程命令序列............................. 13
图2.程序运行............................................. ............. 13
临时机构撤消............................................... ... 32
图18.临时机构撤消时序图.............. 32
备用CE #控制的擦除/编程操作............ 33
图19.备用CE #控制的写操作时序...... 34
芯片擦除命令序列........................................... 13
扇区擦除命令序列........................................ 14
擦除暂停/删除恢复命令........................... 14
图3.擦除操作............................................. .................. 15
命令定义................................................ ............. 16
表5. Am29F200B命令定义................................... 16
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 17
图4.数据#轮询算法........................................... ........ 17
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 35
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
SO 044-44引脚小外形封装................................ 36
TS 048-48针标准薄型小尺寸封装......... 37
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 18
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 18
2006年11月1日21526D4
Am29F200B
3
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