补充
Am29F200A已知合格芯片
2兆位（ 256千×8位/ 128的K× 16位）
CMOS 5.0伏只，分扇区闪存裸片修订版1
特色鲜明
s
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 ％
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
高性能
- 90或120 ns访问时间
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流（字节模式）
- 27 mA典型有效的读电流
（字模式）
- 30毫安典型的编程/擦除电流
— 1
A
典型待机电流
s
扇区擦除架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
3个64字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并
3个32千字部门（字模式）
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
部门可以通过编程来锁定
设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
最少100,000次写/擦除周期保证
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
s
数据＃投票和切换位
- 检测编程或擦除周期完成
s
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
- 硬件的检测方法，程序或
擦除周期结束
s
擦除挂起/恢复
- 支持从一个部门不被读取的数据
删除
s
硬件RESET ＃引脚
- 复位内部状态机来读取
数组数据
s
经测试数据表规格的
温度
s
质量和可靠性水平相当于
标准封装组件
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出版＃
21257
启：
B
Amendment/0
发行日期：
1997年12月
的SuI P P L E M E N牛逼
概述
在已知合格芯片的Am29F200A （ KGD ）的形式是
2兆， 5.0伏只闪存。 AMD KGD的定义
作为标准产品裸片形式，测试功能
和速度。 AMD KGD产品具有相同的可靠性
能力素质作为AMD的产品包装形式。
Am29F200A特点
该Am29F200A组织为262,144字节8
每个位或每16位131,072字。 8位
数据显示在DQ0 - DQ7 ; 16位的数据出现在
DQ0 - DQ15 。本设备被设计为被编程
在系统与标准系统5.0伏V
CC
支持
层。 12.0伏V
PP
不需要程序或擦除
操作。
在KGD形式的标准Am29F200A提供一个应答
90或120 ns的塞斯时间，让高速微
处理器无需等待状态运行。为了消除
总线争用的设备都有单独的芯片使能
（ CE＃ ），写使能（WE ＃ ） ，并且输出使能（OE ＃ ）
控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未亲
编程）执行擦除操作之前。能很好地协同
次擦除自动荷兰国际集团的擦除，所述装置
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6 /
DQ2 （切换）
状态位。
编程或擦除后
周期已经完成，该装置已准备好读取
阵列中的数据或者接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术，结合多年闪存存储器的
储器制造经验，生产的最高列弗
ELS的质量，可靠性和成本效益。该装置
电擦除一个扇区内的所有位simulta-
通过neously福勒- Nordheim隧穿。该数据是
用热电子注入编程。
电气规格
请参考Am29F200A数据表，出版
号码20380 ，完整的电气规范上
Am29F200A.
产品选择指南
系列型号
速度选项（V
CC
= 5.0 V
±
10%)
最大访问时间， NS （T
加
)
最大CE＃访问时间， NS （T
CE
)
最大OE ＃访问时间， NS （T
OE
)
-90
90
90
35
Am29F200A KGD
-120
120
120
50
2
Am29F200A已知合格芯片
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的SuI P P L E M E N牛逼
DIE PHOTOGRAPH
相对定向
顶部的左上角
Gel-Pak的
相对定向
以前沿
磁带和卷轴
DIE焊盘位置
9
10
11
12
8
7
6
5
4
3
2
1 42 41 40 39 38 37 36 35 34
33
32
31
AMD标识的位置
13
14
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16 17 18
19 20
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PAD说明
PAD
1
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36
37
38
39
40
41
42
信号
V
CC
DQ4
DQ12
DQ5
DQ13
DQ6
DQ14
DQ7
DQ15/A-1
V
SS
BYTE ＃
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
WE＃
RESET＃
RY / BY ＃
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
V
SS
OE ＃
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
垫中心（密耳）
X
0.0
8.5
–17.3
–26.1
–34.9
–43.6
–52.4
–61.2
–69.9
–80.2
–82.3
–82.3
–82.3
–82.3
–82.3
–68.2
–57.9
–47.6
–36.7
–26.4
–16.1
–5.2
26.1
50.2
60.5
70.8
81.1
91.4
91.5
91.5
91.5
91.5
91.1
79.8
70.0
61.3
52.5
43.7
34.9
26.2
17.4
8.6
Y
0.0
–1.2
–1.2
–1.2
–1.2
–1.2
–1.2
–1.2
–1.2
2.7
–13.5
–24.1
–128.4
–138.7
–150.0
–150.0
–150.0
–150.0
–150.0
–150.0
–150.0
–150.0
–150.0
–150.0
–150.0
–150.0
–150.0
–150.0
–138.7
–128.4
–24.1
–13.6
1.8
–0.7
–1.2
–1.2
–1.2
–1.2
–1.2
–1.2
–1.2
–1.2
垫中心（毫米）
X
Y
0.0000
0.0000
–0.2159
–0.0305
–0.4394
–0.0305
–0.6629
–0.0305
–0.8865
–0.0305
–1.1074
–0.0305
–1.3310
–0.0305
–1.5545
–0.0305
–1.7755
–0.0305
–2.0371
0.0686
–2.0904
–0.3429
–2.0904
–0.6121
–2.0904
–3.2614
–2.0904
–3.5230
–2.0904
–3.8100
–1.7323
–3.8100
–1.4707
–3.8100
–1.2090
–3.8100
–0.9322
–3.8100
–0.6706
–3.8100
–0.4089
–3.8100
–0.1321
–3.8100
0.6629
–3.8100
1.2751
–3.8100
1.5367
–3.8100
1.7983
–3.8100
2.0599
–3.8100
2.3216
–3.8100
2.3241
–3.5230
2.3241
–3.2614
2.3241
–0.6121
2.3241
–0.3454
2.3139
0.0457
2.0269
–0.0178
1.7780
–0.0305
1.5570
–0.0305
1.3335
–0.0305
1.1100
–0.0305
0.8865
–0.0305
0.6655
–0.0305
0.4420
–0.0305
0.2184
–0.0305
注意：
上面的坐标是相对于垫1的中心，并且可以被用来操作引线接合设备。
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订购信息
标准产品
AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。订单号（有效组合）
通过下面的组合形成：
Am29F200A
T
-90
DP
C
1
裸片修订
这个数字是指在特定的AMD制造
工艺和产品技术体现在这
文档。它被输入的AMD的修订字段
标准产品命名。
温度范围
C =商用（ 0 ° C至+ 70 ° C）
I =工业级（ -40 ° C至+ 85°C ）
E =扩展（ -55 ° C至+ 125°C ）
包装类型和
最小起订量
DP =华夫格包
每5托盘堆叠裸片245
DG =
DT =
DW =
Gel-Pak的
托盘模具
每6托盘堆叠裸片486
Surftape （卷带式）
2500元7寸盘
Gel-Pak的
晶片托盘（上框锯片）
呼叫AMD销售办事处最小订单
QUANTITY
速度选项
见有效组合
引导代码部门架构
T =热门行业
B =底界
设备号/说明
Am29F200A已知合格芯片
2兆位（ 256千×8位/ 128的K× 16位） CMOS闪存裸片修订版1
5.0伏只读取，编程和擦除
有效组合
Am29F200AT-90,
Am29F200AB-90
Am29F200AT-120,
Am29F200AB-120
DPC 1 ， DPI 1 ， DPE 1 ，
DGC 1 ， DGI 1 ， DGE 1 ，
DTC 1 ， DTI 1 ， DTE 1 ，
DWC 1 ， DWI 1 ， DWE 1
有效组合
有效组合列表CON连接gurations计划是支持
移植数量为这个设备。请咨询当地的AMD销售
网络连接CE的精读的特定网络有效组合连接RM可用性和
以检查新发布的组合。
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