初步
Am29F200A
2兆位（ 256千×8位/ 128的K× 16位）
CMOS 5.0伏只，引导扇区闪存
特色鲜明
s
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 ％
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
高性能
- 存取时间快55纳秒
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流（字节模式）
- 27 mA典型有效的读电流
（字模式）
- 30毫安典型的编程/擦除电流
— 1
A
典型待机电流
s
扇区擦除架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
3个64字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并
3个32千字部门（字模式）
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
部门可以通过编程来锁定
设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
最少100,000次写/擦除周期保证
s
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
s
数据＃投票和切换位
- 检测编程或擦除周期完成
s
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
- 硬件的检测方法，程序或
擦除周期结束
s
擦除暂停/删除恢复
- 支持从一个部门不被读取的数据
删除
s
硬件RESET ＃引脚
- 复位内部状态机来读取
数组数据
出版＃
20637
启：
B
Amendment/+3
发行日期：
1998年3月
P L I M I N A R
概述
该Am29F200A是2兆， 5.0伏，只有闪存存储器
储器组织为262,144字节或131,072字。该
8位数据上出现的DQ0 - DQ7 ;在16位上DQ0-
DQ15 。该Am29F200A提供44引脚SO和
48引脚TSOP封装。此装置被设计成
在系统编程与标准系统5.0
伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不要求
编程或擦除操作。该装置也可以是
重新编程的标准EPROM编程器。
该标准的设备提供的55 ， 70的访问时间，
9 0 ， 12 0 ，一个D 15- 0纳秒， allowin克运时代TIO N
高速微处理器无需等待。对
消除总线争用的设备有不同的
芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出
启用（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未亲
编程）执行擦除操作之前。能很好地协同
次擦除自动荷兰国际集团的擦除，所述装置
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6 /
DQ2 （切换）
状态位。
编程或擦除后
周期已经完成，该装置已准备好读取
阵列中的数据或者接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术，结合多年闪存存储器的
储器制造经验，生产的最高列弗
ELS的质量，可靠性和成本效益。该装置
电擦除一个扇区内的所有位simulta-
通过neously福勒- Nordheim隧穿。该数据是
用热电子注入编程。
2
Am29F200A
QQ：2881677436 复制
