Am29F200B
2兆位（ 256千×8位/ 128的K× 16位）
CMOS 5.0伏只，引导扇区闪存
特色鲜明
s
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 ％
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29F200A设备
s
高性能
- 存取时间快45纳秒
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流（字节模式）
- 27 mA典型有效的读电流
（字模式）
- 30毫安典型的编程/擦除电流
— 1
A
典型待机电流
s
扇区擦除架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
3个64字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并
3个32千字部门（字模式）
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
部门可以通过编程设备被锁定
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
提供顶部或底部启动块配置
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
最低百万写入/擦除周期保证
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
- 已知合格芯片（ KGD ）
（参见出版号21257 ）
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
s
数据＃投票和切换位
- 检测编程或擦除周期完成
s
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
- 硬件的检测方法，程序或
擦除周期结束
s
擦除暂停/删除恢复
- 从一个部门不支持读取数据
被擦除
s
硬件RESET ＃引脚
- 复位内部状态机来读取
数组数据
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版＃
21526
启：
B
Amendment/+2
发行日期：
1999年7月2日
概述
该Am29F200B是2兆， 5.0伏，仅限于Flash
内存组织为262,144字节或131,072字。
的8位数据上出现的DQ0 - DQ7 ;在16位上
DQ0 - DQ15 。该Am29F200B提供44引脚SO
和48引脚TSOP封装。该装置也可用
能够在已知合格芯片（ KGD ）的形式。欲了解更多
信息，请参阅出版物号21257.这
设备被设计成在系统编程用
标准系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏
V
PP
不需要用于编程或擦除操作。
该设备还可以在标准的重新编程
EPROM编程器。
该器件采用AMD的0.32微米制造
工艺技术，并提供所有的功能和
该Am29F200A ，将其制造的好处
采用0.5微米工艺技术。
该标准的设备提供的45 ，50， 55的访问时间，
70 ， 90 ，和120 ns的高速运转让
微处理器无需等待。为了消除总线
争的设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ） ，
写使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法automati-
美云preprograms阵列（如果它已不
编程）执行擦除操作之前。
在擦除，擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6 /
DQ2 （切换）
状态位。
编程或擦除后
周期已经完成，该装置已准备好读取
阵列中的数据或者接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器中的扇区的任意组合。
这可以通过编程设备来实现。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29F200B
连接图
该装置也是已知合格芯片（ KGD ）的形式提供。参见出版号为21257
更多的信息。
NC
RY / BY ＃
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
V
SS
OE ＃
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
SO
44
43
42
41
40
39
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33
32
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30
29
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25
24
23
RESET＃
WE＃
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTE ＃
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
21526B-2
4
Am29F200B
连接图
该装置也是已知合格芯片（ KGD ）的形式提供。参见出版号为21257
更多的信息。
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
RESET＃
NC
NC
RY / BY ＃
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
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17
18
19
20
21
22
23
24
标准TSOP
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
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30
29
28
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25
A16
BYTE ＃
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
21526B-3
A16
BYTE ＃
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
1
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17
18
19
20
21
22
23
24
反向TSOP
48
47
46
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44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
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33
32
31
30
29
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25
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
RESET＃
NC
NC
RY / BY ＃
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
21526B-4
Am29F200B
5
Am29F200B
2兆位（ 256千×8位/ 128的K× 16位）
CMOS 5.0伏只，引导扇区闪存
特色鲜明
s
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 ％
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29F200A设备
s
高性能
- 存取时间快45纳秒
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流（字节模式）
- 27 mA典型有效的读电流
（字模式）
- 30毫安典型的编程/擦除电流
— 1
A
典型待机电流
s
扇区擦除架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
3个64字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并
3个32千字部门（字模式）
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
部门可以通过编程设备被锁定
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
提供顶部或底部启动块配置
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
最低百万写入/擦除周期保证
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
- 已知合格芯片（ KGD ）
（参见出版号21257 ）
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
s
数据＃投票和切换位
- 检测编程或擦除周期完成
s
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
- 硬件的检测方法，程序或
擦除周期结束
s
擦除暂停/删除恢复
- 从一个部门不支持读取数据
被擦除
s
硬件RESET ＃引脚
- 复位内部状态机来读取
数组数据
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版＃
21526
启：
B
Amendment/+2
发行日期：
1999年7月2日
概述
该Am29F200B是2兆， 5.0伏，仅限于Flash
内存组织为262,144字节或131,072字。
的8位数据上出现的DQ0 - DQ7 ;在16位上
DQ0 - DQ15 。该Am29F200B提供44引脚SO
和48引脚TSOP封装。该装置也可用
能够在已知合格芯片（ KGD ）的形式。欲了解更多
信息，请参阅出版物号21257.这
设备被设计成在系统编程用
标准系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏
V
PP
不需要用于编程或擦除操作。
该设备还可以在标准的重新编程
EPROM编程器。
该器件采用AMD的0.32微米制造
工艺技术，并提供所有的功能和
该Am29F200A ，将其制造的好处
采用0.5微米工艺技术。
该标准的设备提供的45 ，50， 55的访问时间，
70 ， 90 ，和120 ns的高速运转让
微处理器无需等待。为了消除总线
争的设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ） ，
写使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法automati-
美云preprograms阵列（如果它已不
编程）执行擦除操作之前。
在擦除，擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6 /
DQ2 （切换）
状态位。
编程或擦除后
周期已经完成，该装置已准备好读取
阵列中的数据或者接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器中的扇区的任意组合。
这可以通过编程设备来实现。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29F200B
连接图
该装置也是已知合格芯片（ KGD ）的形式提供。参见出版号为21257
更多的信息。
NC
RY / BY ＃
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
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A0
CE＃
V
SS
OE ＃
DQ0
DQ8
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DQ9
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1
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SO
44
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RESET＃
WE＃
A8
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BYTE ＃
V
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DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
21526B-2
4
Am29F200B
连接图
该装置也是已知合格芯片（ KGD ）的形式提供。参见出版号为21257
更多的信息。
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
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NC
NC
WE＃
RESET＃
NC
NC
RY / BY ＃
NC
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1
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标准TSOP
48
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44
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38
37
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29
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A16
BYTE ＃
VSS
DQ15/A-1
DQ7
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VCC
DQ11
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DQ8
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CE＃
A0
21526B-3
A16
BYTE ＃
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
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DQ13
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DQ12
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VCC
DQ11
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DQ10
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1
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反向TSOP
48
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A15
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21526B-4
Am29F200B
5
QQ：2880707522 复制
