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最终科幻
Am29F100
1兆位( 128千×8位/ 64千×16位)
CMOS 5.0伏只,引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
— 5.0 V
±
读取,擦除和程序10 %
操作
- 简化系统级电源要求
s
高性能
- 最大70 ns访问时间
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流为字节模式
- 27 mA典型有效的读电流模式字
- 30毫安典型的编程/擦除电流
— 25
A
典型待机电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
1 64字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
1个32 K字部门(字模式)
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
扇区保护
- 基于硬件的功能,禁用/重
使程序在任何擦除操作
行业组合
- 部门保护/解除保护可
使用标准的PROM实现
编程设备
- 临时机构撤消功能允许IN-
在受保护的行业系统代码的变化
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
预先计划和擦除芯片或任何
指定的部门组合
- 嵌入式程序算法自动
在指定地址的程序和数据验证
s
最低100,000编程/擦除周期
保证
s
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
s
就绪/忙脚( RY / BY # )
- 提供了硬件检测方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
硬件RESET #引脚
- 硬件设备重置为方法
读阵列数据
出版#
18926
启:
C
Amendment/+2
发行日期:
1998年3月
概述
该Am29F100是1兆位, 5.0伏,只有闪存
组织为131,072字节或65,536字。该
Am29F100提供44引脚SO和48引脚TSOP
包。字宽的数据出现在DQ0 - DQ15 ;
在DQ0 - DQ7字节宽的数据。该设备被设计为
被编程在系统的标准系统
5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不要求
编程或擦除操作。该装置也可以是
编程或擦除标准EPROM编程
聚体。
该标准的设备提供的70 , 90的访问时间,
120和150纳秒,从而允许高速microproces-
理器,而无需等待状态运行。为了消除总线
争的设备都有单独的芯片使能
( CE # ) ,写使能( WE# )和输出使能( OE # )
控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机,它控制
擦除和编程电路。写周期也
内部锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。读出数据的
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将调用
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将调用
嵌入式擦除
算法的内部算法,自动预
方案的阵列(如果它尚未被编程) BE-
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
擦除挂起
特征使得该系统能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或程序的数据,一个没有被擦除扇区。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该设备被擦除
出厂的时候。
硬件数据保护
措施包括:
低V
CC
探测器会自动禁止写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门的亲
tection
功能禁用这两个方案,并擦除操作
在内存领域的任何组合ations ,
并使用标准的EPROM编程器来实现
聚体。该
临时机构撤消
功能允许
在系统更改受保护的行业。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
解释第1条圣乐已经lsofquali TY ,重新牌照上诉委员会IL我TY , andcost
有效性。该装置电擦除所有位
通过福勒- Nordheim隧同时一个部门
隧道。该字节编程一个字节
用的EPROM编程机制的时间
热电子注入。
2
Am29F100
产品选择指南
系列型号
速度选项(V
CC
= 5.0 V
±
10%)
最大访问时间(纳秒)
CE#访问( NS )
OE #访问( NS )
-70
70
70
30
-90
90
90
35
Am29F100
-120
120
120
50
-150
150
150
55
注意:
见全规格的交流特性部分。
框图
DQ0
DQ15
RY / BY #
卜FF器
V
CC
V
SS
RY / BY #
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
WE#
BYTE #
RESET#
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A15
A-1
18926C-1
Am29F100
3
连接图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE#
RESET#
NC
NC
RY / BY #
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
NC
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
标准TSOP
18926C-2
NC
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
反向TSOP
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE#
RESET#
NC
NC
RY / BY #
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
18926C-3
4
Am29F100
连接图
NC
RY / BY #
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE#
V
SS
OE #
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET#
WE#
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
SO
18926C-4
引脚配置
A0–A15
= 16个地址
DQ0 - DQ14 = 15的数据输入/输出
逻辑符号
16
DQ15 / A - 1 = DQ15 (数据输入/输出,文字模式) ,
A- 1 ( LSB地址输入,字节模式)
CE#
OE #
WE#
BYTE #
RESET#
RY / BY #
V
CC
=芯片使能
=输出使能
=写使能
=选择8位或16位模式
=硬件复位引脚,低电平有效
=就绪/忙输出
= 5.0伏单电源
(见产品选择指南速度
选项和电源电压公差)
=设备接地
=引脚内部没有连接
A0–A15
DQ0–DQ15
(A-1)
16或8
CE#
OE #
WE#
RESET#
BYTE #
RY / BY #
18926C-5
V
SS
NC
Am29F100
5
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