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Am29F040B
数据表
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
21445
调整
E
修订
5
发行日期
2006年11月1日
这页有意留为空白。
数据表
Am29F040B
4兆位( 512K的×8位)
CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体
特色鲜明
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 %
- 最大程度降低系统级功耗要求
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米AM29F040设备
高性能
- 存取时间快55纳秒
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- 1 μA典型待机电流(标准访问
时间到活动模式)
灵活的部门架构
- 每64千字节8部门统一
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
- 行业保护:
锁定行业,以防止硬件方法
该部门内的任何程序或擦除操作
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址验证字节
每次最少百万编程/擦除周期
担保业
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
封装选项
- 32引脚PLCC , TSOP ,或PDIP
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
擦除暂停/删除恢复
- 挂起一个扇区擦除操作来读取数据
由,或程序数据,一个非擦除扇区,
然后恢复擦除操作
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21445
启:
E
修订:
5
发行日期:
2006年11月1日
D A T A
中文ê (E T)
概述
该AM29F040B是4兆, 5.0伏,只有闪存存储器
储器组织为524,288字节,每个字节8位。该
512字节的数据被分为64个8扇区
每个字节进行灵活的擦除能力。的8位的
数据显示在DQ0 - DQ7 。该AM29F040B提供
32引脚PLCC , TSOP和PDIP封装。该装置
被设计成在系统编程与标
达尔德系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
在用于写或擦除操作。该设备可以
同时在标准EPROM编程器进行编程。
该器件采用AMD的0.32微米制造亲
塞斯技术,并提供所有的功能和
该AM29F040 ,将其制造的好处
采用0.5微米工艺技术。也是出于中,
AM29F040B具有第二切换位, DQ2 ,并且还OF-
FERS在擦除编程挂起模式的能力。
标准AM29F040B提供的55存取时间,
70 , 90 ,和120纳秒,从而允许高速microproces-
理器,而无需等待状态运行。为了消除总线
争的设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,
写使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写赛扬
克莱斯内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过阅读DQ7 (数据#
轮询)和DQ6 (切换)
状态位。
一个程序后,
或擦除周期已经完成,该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29F040B
21445E5 2006年11月1日
D A T A
中文ê (E T)
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
对于读阵列数据要求.....................................
写命令/命令序列..............................
编程和擦除操作状态......................................
待机模式................................................ ..........................
输出禁止模式............................................... .................
4
4
5
5
5
6
7
7
7
7
7
8
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 15
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 16
图4.切换位算法............................................ ........... 16
表5.写操作状态............................................ .......... 17
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
图5.最大负过冲波形..................... 18
图6.最大正过冲波形....................... 18
表1. AM29F040B设备总线操作................................... 7
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
TTL / NMOS兼容.............................................. ............ 19
CMOS兼容................................................ .................. 19
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
图7.测试设置............................................. ........................ 20
表6.测试规范............................................. .............. 20
表2扇区地址表............................................ .......... 8
自选模式................................................ ....................... 9
表3. AM29F040B自选代码(高压法) ...... 9
扇区保护/ unprotection的.............................................. 9 ...
硬件数据保护............................................... ......... 9
低V
CC
写禁止................................................ ........................ 9
写脉冲“毛刺”保护............................................ .............. 9
逻辑禁止................................................ .................................... 9
上电写禁止............................................. ......................... 9
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
只读操作............................................... ............. 21
图8.读操作时序............................................ .... 21
擦除和编程操作.............................................. 22
图9.程序操作时序...........................................
图10.芯片/扇区擦除操作时序.........................
图11.数据#投票计时(在嵌入式算法)
图12.触发位计时(在嵌入式算法)......
图13. DQ2与DQ6 ........................................... .....................
23
23
24
24
25
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
读阵列数据............................................... ................. 10
复位命令................................................ ..................... 10
自选命令序列............................................ 10
字节编程命令序列....................................... 10
图1.程序运行............................................. ............ 11
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
擦除和编程操作.............................................. 26
备用CE #控制的写操作............................................. ....... 26
图14.备用CE #控制的写操作时序..... 27
芯片擦除命令序列........................................... 11
扇区擦除命令序列........................................ 11
擦除暂停/删除恢复命令........................... 12
图2.擦除操作............................................. ................. 12
命令定义................................................ ............. 13
表4. AM29F040B命令定义.................................... 13
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 14
图3.数据#投票算法........................................... ....... 14
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 15
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 15
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ 15 ..
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 28
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
PLCC和PDIP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
PD 032-32引脚塑料DIP .......................................... ......... 30
PL 032-32引脚塑料有引线芯片载体......................... 31
TS 032-32针标准薄型小尺寸封装...................... 32
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
2006年11月1日21445E5
Am29F040B
3
初步
Am29F040B
4兆位( 512K的×8位)
CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体
特色鲜明
s
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 %
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
在0.35微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米AM29F040设备
s
高性能
- 存取时间快55纳秒
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- 1 μA典型待机电流(标准访问
时间到活动模式)
s
灵活的部门架构
- 每64千字节8部门统一
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
- 行业保护:
锁定行业,以防止硬件方法
内的任何程序或擦除操作
扇形
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址验证字节
s
每次最少百万编程/擦除周期
担保业
s
封装选项
- 32引脚PLCC , TSOP ,或PDIP
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起一个扇区擦除操作来读取数据
由,或程序数据,一个非擦除扇区,
然后恢复擦除操作
出版#
21445
启:
B
Amendment/+2
发行日期:
1998年4月
P L I M I N A R
概述
该AM29F040B是4兆, 5.0伏,只有闪存存储器
储器组织为524,288字节,每个字节8位。该
512字节的数据被分为64个8扇区
每个字节进行灵活的擦除能力。的8位的
数据显示在DQ0 - DQ7 。该AM29F040B提供
32引脚PLCC , TSOP和PDIP封装。这DE-
副被设计成在系统编程用
标准体系5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
is
不需要用于写入或擦除操作。该装置
也可以在标准EPROM编程亲
程序员。
该器件采用AMD的0.35微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
在AM29F040 ,这是用制造的efits
0 。 5 μ M·P ,R 0权证S S小T E C H N 0 1 克年。我N A D D T I O 4 N和T H的ê
AM29F040B具有第二切换位, DQ2 ,并且还
提供的擦除编程能力挂起
模式。
标准AM29F040B提供的55存取时间,
70 , 90 ,120,和150纳秒,从而允许高速的微处理器的
处理机无需等待状态运行。为了消除总线
争的设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,
写使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过阅读DQ7 (数据#
轮询)和DQ6 (切换)
状态位。
一个程序后,
或擦除周期已经完成,该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功耗大大降低
此模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时通过部门福勒 - 诺德海姆隧道 -
ING 。的数据是使用热电子编程的注射
化。
2
Am29F040B
P L I M I N A R
产品选择指南
系列型号
速度选项
V
CC
= 5.0 V
±
5%
V
CC
= 5.0 V
±
10%
55
55
25
-55
-70
70
70
30
-90
90
90
35
-120
120
120
50
-150
150
150
55
Am29F040B
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
注意:
请参阅“ AC特性”一节以获取更多信息。
框图
DQ0–DQ7
V
CC
V
SS
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
WE#
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据锁存器
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A18
21445B-1
Am29F040B
3
P L I M I N A R
连接图
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
PDIP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
WE#
V
CC
A12
A15
A16
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
21445B-2
4
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
PLCC
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
V
SS
A17
WE#
21445B-3
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
V
CC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32引脚TSOP标准
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32引脚TSOP反转
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
V
CC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
21445B-4
4
Am29F040B
P L I M I N A R
引脚配置
A0–A18
=
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
接地装置
DQ0 - DQ7 =
CE#
WE#
OE #
V
SS
V
CC
=
=
=
=
逻辑符号
19
A0–A18
DQ0–DQ7
CE#
OE #
WE#
8
= + 5.0V单电源供电
(见产品选择指南
器件速度等级和电压
电源容限)
21445B-5
订购信息
标准产品
AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。的顺序号(有效组合)形成
通过下面的组合:
Am29F040B
-55
E
C
B
随机处理
空白=标准处理
B =老化测试
(联系AMD的代表,了解更多信息)
温度范围
C =
商用( 0
°
C至+70
°
C)
I
=
工业级(-40
°
C至+ 85
°
C)
E =
扩展( -55
°
C至+ 125
°
C)
套餐类型
P = 32引脚塑料DIP ( PD 032 )
J = 32引脚矩形塑料有引线芯片
载体( PL 032 )
E = 32引脚薄型小尺寸封装( TSOP )
标准引脚( TS 032 )
F = 32引脚薄型小尺寸封装( TSOP )
反向引脚( TSR032 )
速度选项
见产品选型指南和有效组合
设备号/说明
Am29F040B
4兆位( 512K的×8位) CMOS 5.0伏只扇区擦除闪存
5.0 V读取,编程和擦除
有效组合
有效组合列表CON连接gurations计划是支持
移植数量为这个设备。请咨询当地的AMD销售
网络连接CE的精读的特定网络有效组合连接RM可用性和
以检查新发布的组合。
有效组合
Am29F040B-55
JC , JI ,乙脑, EC, EI , EE , FC , FI , FE
Am29F040B-70
Am29F040B-90
Am29F040B-120
Am29F040B-150
PC , PI , PE ,
JC , JI ,乙脑,
EC , EI , EE ,
FC , FI , FE
Am29F040B
5
Am29F040B
4兆位( 512K的×8位)
CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体
特色鲜明
s
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 %
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米AM29F040设备
s
高性能
- 存取时间快55纳秒
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- 1 μA典型待机电流(标准访问
时间到活动模式)
s
灵活的部门架构
- 每64千字节8部门统一
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
- 行业保护:
锁定行业,以防止硬件方法
该部门内的任何程序或擦除操作
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址验证字节
s
每次最少百万编程/擦除周期
担保业
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 32引脚PLCC , TSOP ,或PDIP
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起一个扇区擦除操作来读取数据
由,或程序数据,一个非擦除扇区,
然后恢复擦除操作
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21445
启:
E
Amendment/0
发行日期:
2000年11月29日
概述
该AM29F040B是4兆, 5.0伏,只有闪存存储器
储器组织为524,288字节,每个字节8位。该
512字节的数据被分为64个8扇区
每个字节进行灵活的擦除能力。的8位的
数据显示在DQ0 - DQ7 。该AM29F040B提供
32引脚PLCC , TSOP和PDIP封装。该装置
被设计成在系统编程与标
达尔德系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
在用于写或擦除操作。该设备可以
同时在标准EPROM编程器进行编程。
该器件采用AMD的0.32微米制造亲
塞斯技术,并提供所有的功能和
该AM29F040 ,将其制造的好处
采用0.5微米工艺技术。也是出于中,
AM29F040B具有第二切换位, DQ2 ,并且还OF-
FERS在擦除编程挂起模式的能力。
标准AM29F040B提供的55存取时间,
70 , 90 ,120,和150纳秒,从而允许高速的微处理器的
处理机无需等待状态运行。为了消除总线
争的设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,
写使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写赛扬
克莱斯内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过阅读DQ7 (数据#
轮询)和DQ6 (切换)
状态位。
一个程序后,
或擦除周期已经完成,该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29F040B
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
对于读阵列数据要求.....................................
写命令/命令序列..............................
编程和擦除操作状态......................................
待机模式................................................ ..........................
输出禁止模式............................................... .................
4
4
5
6
6
7
8
8
8
8
8
9
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
图5.最大负过冲波形..................... 19
图6.最大正过冲波形....................... 19
表1. AM29F040B设备总线操作................................... 8
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
TTL / NMOS兼容.............................................. ............ 20
CMOS兼容................................................ .................. 20
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
图7.测试设置............................................. ........................ 21
表6.测试规范............................................. .............. 21
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
只读操作............................................... ............. 22
图8.读操作时序............................................ .... 22
表2扇区地址表............................................ .......... 9
自选模式................................................ ..................... 10
表3. AM29F040B自选代码(高压法) ..... 10
擦除和编程操作.............................................. 23
图9.程序操作时序...........................................
图10.芯片/扇区擦除操作时序.........................
图11.数据#投票计时(在嵌入式算法)
图12.触发位计时(在嵌入式算法)......
图13. DQ2与DQ6 ........................................... .....................
24
24
25
25
26
扇区保护/ unprotection的.............................................. 10
硬件数据保护............................................... ....... 10
低V
CC
写禁止................................................ ...................... 10
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 10
逻辑禁止................................................ .................................. 10
上电写禁止............................................. ....................... 10
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
擦除和编程操作.............................................. 27
备用CE #控制的写操作............................................. ....... 27
图14.备用CE #控制的写操作时序..... 28
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
读阵列数据............................................... ................. 11
复位命令................................................ ..................... 11
自选命令序列............................................ 11
字节编程命令序列....................................... 11
图1.程序运行............................................. ............ 12
芯片擦除命令序列........................................... 12
扇区擦除命令序列........................................ 12
擦除暂停/删除恢复命令........................... 13
图2.擦除操作............................................. ................. 13
命令定义................................................ ............. 14
表4. AM29F040B命令定义.................................... 14
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 15
图3.数据#投票算法........................................... ....... 15
DQ6 :切换位I ............................................. .......................
DQ2 :触发位II ............................................. ......................
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ..
DQ5 :超过时序限制............................................. ...
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ..........
16
16
16
16
17
图4.切换位算法............................................ ............ 17
表5.写操作状态............................................ ........... 18
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 29
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
PLCC和PDIP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
PD 032-32引脚塑料DIP .......................................... ......... 31
PL 032-32引脚塑料有引线芯片载体......................... 32
TS 032-32针标准薄型小尺寸封装...................... 33
TSR032-32引脚反转薄型小尺寸封装....... 34
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
版本A( 1997年5月) ............................................ ............... 35
版本B( 1998年1月) ............................................ ......... 35
版本B + 1 ( 1998年1月) .......................................... ....... 35
版本B + 2 ( 1998年4月) .......................................... ............. 35
版本C( 1999年1月) ............................................ ......... 35
版本C + 1 ( 1999年2月) .......................................... ..... 35
版本C + 2 ( 1999年5月17日) ........................................ ......... 35
版本D ( 1999年11月15日) .......................................... 35
版本E ( 2000年11月29日) .......................................... 35 ..
Am29F040B
3
产品选择指南
系列型号
速度选项
V
CC
= 5.0 V
±
5%
V
CC
= 5.0 V
±
10%
55
55
25
-55
-70
70
70
30
-90
90
90
35
-120
120
120
50
-150
150
150
55
Am29F040B
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
注意:
请参阅“ AC特性”一节以获取更多信息。
框图
DQ0–DQ7
V
CC
V
SS
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
WE#
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据锁存器
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A18
4
Am29F040B
连接图
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
PDIP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
WE#
V
CC
A12
A15
A16
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
4
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
PLCC
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
V
CC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
V
SS
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
V
CC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32引脚TSOP标准
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32引脚TSOP反转
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
Am29F040B
A17
WE#
5
Am29F040B
4兆位( 512K的×8位)
CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体
特色鲜明
s
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 %
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米AM29F040设备
s
高性能
- 存取时间快55纳秒
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- 1 μA典型待机电流(标准访问
时间到活动模式)
s
灵活的部门架构
- 每64千字节8部门统一
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
- 行业保护:
锁定行业,以防止硬件方法
该部门内的任何程序或擦除操作
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址验证字节
s
每次最少百万编程/擦除周期
担保业
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 32引脚PLCC , TSOP ,或PDIP
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起一个扇区擦除操作来读取数据
由,或程序数据,一个非擦除扇区,
然后恢复擦除操作
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21445
启:
E
Amendment/0
发行日期:
2000年11月29日
概述
该AM29F040B是4兆, 5.0伏,只有闪存存储器
储器组织为524,288字节,每个字节8位。该
512字节的数据被分为64个8扇区
每个字节进行灵活的擦除能力。的8位的
数据显示在DQ0 - DQ7 。该AM29F040B提供
32引脚PLCC , TSOP和PDIP封装。该装置
被设计成在系统编程与标
达尔德系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
在用于写或擦除操作。该设备可以
同时在标准EPROM编程器进行编程。
该器件采用AMD的0.32微米制造亲
塞斯技术,并提供所有的功能和
该AM29F040 ,将其制造的好处
采用0.5微米工艺技术。也是出于中,
AM29F040B具有第二切换位, DQ2 ,并且还OF-
FERS在擦除编程挂起模式的能力。
标准AM29F040B提供的55存取时间,
70 , 90 ,120,和150纳秒,从而允许高速的微处理器的
处理机无需等待状态运行。为了消除总线
争的设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,
写使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写赛扬
克莱斯内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过阅读DQ7 (数据#
轮询)和DQ6 (切换)
状态位。
一个程序后,
或擦除周期已经完成,该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29F040B
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
对于读阵列数据要求.....................................
写命令/命令序列..............................
编程和擦除操作状态......................................
待机模式................................................ ..........................
输出禁止模式............................................... .................
4
4
5
6
6
7
8
8
8
8
8
9
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
图5.最大负过冲波形..................... 19
图6.最大正过冲波形....................... 19
表1. AM29F040B设备总线操作................................... 8
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
TTL / NMOS兼容.............................................. ............ 20
CMOS兼容................................................ .................. 20
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
图7.测试设置............................................. ........................ 21
表6.测试规范............................................. .............. 21
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
只读操作............................................... ............. 22
图8.读操作时序............................................ .... 22
表2扇区地址表............................................ .......... 9
自选模式................................................ ..................... 10
表3. AM29F040B自选代码(高压法) ..... 10
擦除和编程操作.............................................. 23
图9.程序操作时序...........................................
图10.芯片/扇区擦除操作时序.........................
图11.数据#投票计时(在嵌入式算法)
图12.触发位计时(在嵌入式算法)......
图13. DQ2与DQ6 ........................................... .....................
24
24
25
25
26
扇区保护/ unprotection的.............................................. 10
硬件数据保护............................................... ....... 10
低V
CC
写禁止................................................ ...................... 10
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 10
逻辑禁止................................................ .................................. 10
上电写禁止............................................. ....................... 10
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
擦除和编程操作.............................................. 27
备用CE #控制的写操作............................................. ....... 27
图14.备用CE #控制的写操作时序..... 28
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
读阵列数据............................................... ................. 11
复位命令................................................ ..................... 11
自选命令序列............................................ 11
字节编程命令序列....................................... 11
图1.程序运行............................................. ............ 12
芯片擦除命令序列........................................... 12
扇区擦除命令序列........................................ 12
擦除暂停/删除恢复命令........................... 13
图2.擦除操作............................................. ................. 13
命令定义................................................ ............. 14
表4. AM29F040B命令定义.................................... 14
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 15
图3.数据#投票算法........................................... ....... 15
DQ6 :切换位I ............................................. .......................
DQ2 :触发位II ............................................. ......................
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ..
DQ5 :超过时序限制............................................. ...
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ..........
16
16
16
16
17
图4.切换位算法............................................ ............ 17
表5.写操作状态............................................ ........... 18
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 29
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
PLCC和PDIP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
PD 032-32引脚塑料DIP .......................................... ......... 31
PL 032-32引脚塑料有引线芯片载体......................... 32
TS 032-32针标准薄型小尺寸封装...................... 33
TSR032-32引脚反转薄型小尺寸封装....... 34
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
版本A( 1997年5月) ............................................ ............... 35
版本B( 1998年1月) ............................................ ......... 35
版本B + 1 ( 1998年1月) .......................................... ....... 35
版本B + 2 ( 1998年4月) .......................................... ............. 35
版本C( 1999年1月) ............................................ ......... 35
版本C + 1 ( 1999年2月) .......................................... ..... 35
版本C + 2 ( 1999年5月17日) ........................................ ......... 35
版本D ( 1999年11月15日) .......................................... 35
版本E ( 2000年11月29日) .......................................... 35 ..
Am29F040B
3
产品选择指南
系列型号
速度选项
V
CC
= 5.0 V
±
5%
V
CC
= 5.0 V
±
10%
55
55
25
-55
-70
70
70
30
-90
90
90
35
-120
120
120
50
-150
150
150
55
Am29F040B
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
注意:
请参阅“ AC特性”一节以获取更多信息。
框图
DQ0–DQ7
V
CC
V
SS
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
WE#
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据锁存器
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A18
4
Am29F040B
连接图
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
PDIP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
WE#
V
CC
A12
A15
A16
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
4
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
PLCC
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
V
CC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
V
SS
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
V
CC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32引脚TSOP标准
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32引脚TSOP反转
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
Am29F040B
A17
WE#
5
初步
Am29F040B
4兆位( 512K的×8位)
CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体
特色鲜明
s
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 %
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
在0.35微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米AM29F040设备
s
高性能
- 存取时间快55纳秒
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- 1 μA典型待机电流(标准访问
时间到活动模式)
s
灵活的部门架构
- 每64千字节8部门统一
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
- 行业保护:
锁定行业,以防止硬件方法
内的任何程序或擦除操作
扇形
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址验证字节
s
每次最少百万编程/擦除周期
担保业
s
封装选项
- 32引脚PLCC , TSOP ,或PDIP
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起一个扇区擦除操作来读取数据
由,或程序数据,一个非擦除扇区,
然后恢复擦除操作
出版#
21445
启:
B
Amendment/+2
发行日期:
1998年4月
P L I M I N A R
概述
该AM29F040B是4兆, 5.0伏,只有闪存存储器
储器组织为524,288字节,每个字节8位。该
512字节的数据被分为64个8扇区
每个字节进行灵活的擦除能力。的8位的
数据显示在DQ0 - DQ7 。该AM29F040B提供
32引脚PLCC , TSOP和PDIP封装。这DE-
副被设计成在系统编程用
标准体系5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
is
不需要用于写入或擦除操作。该装置
也可以在标准EPROM编程亲
程序员。
该器件采用AMD的0.35微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
在AM29F040 ,这是用制造的efits
0 。 5 μ M·P ,R 0权证S S小T E C H N 0 1 克年。我N A D D T I O 4 N和T H的ê
AM29F040B具有第二切换位, DQ2 ,并且还
提供的擦除编程能力挂起
模式。
标准AM29F040B提供的55存取时间,
70 , 90 ,120,和150纳秒,从而允许高速的微处理器的
处理机无需等待状态运行。为了消除总线
争的设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,
写使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过阅读DQ7 (数据#
轮询)和DQ6 (切换)
状态位。
一个程序后,
或擦除周期已经完成,该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功耗大大降低
此模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时通过部门福勒 - 诺德海姆隧道 -
ING 。的数据是使用热电子编程的注射
化。
2
Am29F040B
P L I M I N A R
产品选择指南
系列型号
速度选项
V
CC
= 5.0 V
±
5%
V
CC
= 5.0 V
±
10%
55
55
25
-55
-70
70
70
30
-90
90
90
35
-120
120
120
50
-150
150
150
55
Am29F040B
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
注意:
请参阅“ AC特性”一节以获取更多信息。
框图
DQ0–DQ7
V
CC
V
SS
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
WE#
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据锁存器
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A18
21445B-1
Am29F040B
3
P L I M I N A R
连接图
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
PDIP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
WE#
V
CC
A12
A15
A16
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
21445B-2
4
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
PLCC
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
V
SS
A17
WE#
21445B-3
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
V
CC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32引脚TSOP标准
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32引脚TSOP反转
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
V
CC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
21445B-4
4
Am29F040B
P L I M I N A R
引脚配置
A0–A18
=
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
接地装置
DQ0 - DQ7 =
CE#
WE#
OE #
V
SS
V
CC
=
=
=
=
逻辑符号
19
A0–A18
DQ0–DQ7
CE#
OE #
WE#
8
= + 5.0V单电源供电
(见产品选择指南
器件速度等级和电压
电源容限)
21445B-5
订购信息
标准产品
AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。的顺序号(有效组合)形成
通过下面的组合:
Am29F040B
-55
E
C
B
随机处理
空白=标准处理
B =老化测试
(联系AMD的代表,了解更多信息)
温度范围
C =
商用( 0
°
C至+70
°
C)
I
=
工业级(-40
°
C至+ 85
°
C)
E =
扩展( -55
°
C至+ 125
°
C)
套餐类型
P = 32引脚塑料DIP ( PD 032 )
J = 32引脚矩形塑料有引线芯片
载体( PL 032 )
E = 32引脚薄型小尺寸封装( TSOP )
标准引脚( TS 032 )
F = 32引脚薄型小尺寸封装( TSOP )
反向引脚( TSR032 )
速度选项
见产品选型指南和有效组合
设备号/说明
Am29F040B
4兆位( 512K的×8位) CMOS 5.0伏只扇区擦除闪存
5.0 V读取,编程和擦除
有效组合
有效组合列表CON连接gurations计划是支持
移植数量为这个设备。请咨询当地的AMD销售
网络连接CE的精读的特定网络有效组合连接RM可用性和
以检查新发布的组合。
有效组合
Am29F040B-55
JC , JI ,乙脑, EC, EI , EE , FC , FI , FE
Am29F040B-70
Am29F040B-90
Am29F040B-120
Am29F040B-150
PC , PI , PE ,
JC , JI ,乙脑,
EC , EI , EE ,
FC , FI , FE
Am29F040B
5
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AM29F040B-90PC
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-15913992480
联系人:林
地址:深圳市福田区东方时代A2705
AM29F040B-90PC
MURATA
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15600
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联系人:Sante Zhang/Mollie
地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
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