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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1173页 > AM29F040-90JC
最终科幻
Am29F040
4兆位（ 524,288 ×8位） CMOS 5.0伏只，
扇区擦除闪存
特色鲜明
s
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 ％
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
兼容采用符合JEDEC标准
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
封装选项
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
- 32引脚PDIP
s
最少100,000次写/擦除周期保证
s
高性能
- 最大55 ns访问时间
s
扇区擦除架构
统一的每64千字节扇区
- 任何部门的结合可以被删除。
还支持整片擦除。
s
扇区保护
- 硬件方法禁用任意组合
自写或擦除操作部门
s
嵌入式擦除算法
- 自动preprograms和擦除芯片
或扇区的任意组合
s
嵌入式程序算法
- 自动在程序和VERI音响ES数据
特定网络版地址
s
数据轮询和切换位功能检测
的编程或擦除周期完成
s
擦除挂起/恢复
- 支持从一个部门不被读取的数据
删除
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
s
增强的电源管理，待机
模式
- <1
A
典型待机电流
- 从待机模式标准访问时间
概述
该AM29F040是4兆， 5.0伏，只有闪存
组织为512 KB的每个8位。该AM29F040
在一个32引脚封装提供。本设备被设计
要被编程在系统的标准系统
5.0 V V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不要求
写或擦除操作。该装置也可以是
重新编程的标准EPROM编程器。
该标准AM29F040提供的访问时间
55 ns到150 ns的高速运转让
微处理器无需等待。为了消除总线
争的设备都有单独的芯片使能（ CE ） ，
写使能（WE）和输出使能（OE ）控制。
该AM29F040完全是命令集兼容
与JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制该擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
12.0伏Flash或EPROM器件。
该AM29F040通过执行亲编程
克的命令序列。这将调用嵌入
DED程序算法是一个内部算法
自动时间程序的脉冲宽度和
VERI科幻ES适当的细胞保证金。典型地，每个扇区可以
可以在不到一秒钟的编程和VERI音响编辑。
删除被执行擦除实现的COM
命令序列。这将调用嵌入式擦除
算法，它是一个内部算法， automati-
美云preprograms数组，如果它不被亲
执行擦除操作之前编程。中
擦除，设备会自动倍擦除脉冲
宽度和VERI音响ES适当的细胞保证金。
出版＃
17113
启：
E
Amendment/0
发行日期：
1996年11月
个别部门通常擦除和VERI网络版
1.0秒（如果已经完全预编程） 。
该器件还具有一个扇区擦除架构。
该部门模式允许内存64K字节的块
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他模块。出厂时的AM29F040被删除
从工厂。
该器件具有一个5.0 V电源操作
重刑读写功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。低V
CC
探测器
自动抑制写操作上的损失
力。编程或擦除的结束是由数据检测
轮询DQ7或通过DQ6切换位功能。
一旦一个程序或擦除周期结束时一直
完成后，设备内部复位到读
模式。
AMD的闪存技术，结合多年的EPROM
与ê
2
PROM经验，生产的最高水平
的质量，可靠性和成本效益。该
AM29F040内存电擦除整个芯片
或者通过福勒同时一个扇区内的所有位
Nordheim隧穿。该字节编程1
在时刻字节使用EPROM编程
热电子注入的机制。
灵活的扇区擦除架构
s
8个64字节扇区
s
个别行业，多领域，或批量擦除
能力
s
单个或多个扇区保护用户
德网络nable
7FFFFh
6FFFFh
5FFFFh
每个部门64K字节
4FFFFh
3FFFFh
2FFFFh
1FFFFh
0FFFFh
00000h
17113E-1
2
Am29F040
产品选择指南
系列型号：
订货型号： V
CC
= 5.0 V
±
5%
V
CC
= 5.0 V
±
10%
最大访问时间（纳秒）
CE （ E）访问（ NS ）
OE （ G）访问（ NS ）
55
55
25
-55
-70
70
70
30
-90
90
90
35
-120
120
120
50
-150
150
150
55
Am29F040
框图
DQ0–DQ7
V
CC
V
SS
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
WE
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据锁存器
CE
OE
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A18
17113E-2
Am29F040
3
连接图
PDIP
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
V
SS
1
2
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11
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V
CC
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CC
A12
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A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
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DQ3
17113E-3
17113E-4
PLCC
4
A7
A6
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5
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2
1 32 31 30
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A14
A13
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OE
A10
CE
DQ7
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
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CE
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17113E-5
TSOP
A11
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1
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16
29F040标准引脚
OE
A10
CE
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29F040反向引脚
32
31
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4
Am29F040
V
SS
A17
WE
WE
引脚配置
A0–A18
=地址输入
DQ0 - DQ7 =数据输入/输出
CE
OE
WE
V
SS
V
CC
=芯片使能
=输出使能
=写使能
=设备接地
=设备电源
(5.0 V
±10%
or
±5%)
逻辑符号
19
A0–A18
DQ0–DQ7
CE （ E）
OE （ G）
WE （W）的
8
17113E-6
Am29F040
5
最终科幻
Am29F040
4兆位（ 524,288 ×8位） CMOS 5.0伏只，
扇区擦除闪存
特色鲜明
s
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 ％
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
兼容采用符合JEDEC标准
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
封装选项
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
- 32引脚PDIP
s
最少100,000次写/擦除周期保证
s
高性能
- 最大55 ns访问时间
s
扇区擦除架构
统一的每64千字节扇区
- 任何部门的结合可以被删除。
还支持整片擦除。
s
扇区保护
- 硬件方法禁用任意组合
自写或擦除操作部门
s
嵌入式擦除算法
- 自动preprograms和擦除芯片
或扇区的任意组合
s
嵌入式程序算法
- 自动在程序和VERI音响ES数据
特定网络版地址
s
数据轮询和切换位功能检测
的编程或擦除周期完成
s
擦除挂起/恢复
- 支持从一个部门不被读取的数据
删除
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
s
增强的电源管理，待机
模式
- <1
A
典型待机电流
- 从待机模式标准访问时间
概述
该AM29F040是4兆， 5.0伏，只有闪存
组织为512 KB的每个8位。该AM29F040
在一个32引脚封装提供。本设备被设计
要被编程在系统的标准系统
5.0 V V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不要求
写或擦除操作。该装置也可以是
重新编程的标准EPROM编程器。
该标准AM29F040提供的访问时间
55 ns到150 ns的高速运转让
微处理器无需等待。为了消除总线
争的设备都有单独的芯片使能（ CE ） ，
写使能（WE）和输出使能（OE ）控制。
该AM29F040完全是命令集兼容
与JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制该擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
12.0伏Flash或EPROM器件。
该AM29F040通过执行亲编程
克的命令序列。这将调用嵌入
DED程序算法是一个内部算法
自动时间程序的脉冲宽度和
VERI科幻ES适当的细胞保证金。典型地，每个扇区可以
可以在不到一秒钟的编程和VERI音响编辑。
删除被执行擦除实现的COM
命令序列。这将调用嵌入式擦除
算法，它是一个内部算法， automati-
美云preprograms数组，如果它不被亲
执行擦除操作之前编程。中
擦除，设备会自动倍擦除脉冲
宽度和VERI音响ES适当的细胞保证金。
出版＃
17113
启：
E
Amendment/0
发行日期：
1996年11月
个别部门通常擦除和VERI网络版
1.0秒（如果已经完全预编程） 。
该器件还具有一个扇区擦除架构。
该部门模式允许内存64K字节的块
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他模块。出厂时的AM29F040被删除
从工厂。
该器件具有一个5.0 V电源操作
重刑读写功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。低V
CC
探测器
自动抑制写操作上的损失
力。编程或擦除的结束是由数据检测
轮询DQ7或通过DQ6切换位功能。
一旦一个程序或擦除周期结束时一直
完成后，设备内部复位到读
模式。
AMD的闪存技术，结合多年的EPROM
与ê
2
PROM经验，生产的最高水平
的质量，可靠性和成本效益。该
AM29F040内存电擦除整个芯片
或者通过福勒同时一个扇区内的所有位
Nordheim隧穿。该字节编程1
在时刻字节使用EPROM编程
热电子注入的机制。
灵活的扇区擦除架构
s
8个64字节扇区
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个别行业，多领域，或批量擦除
能力
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单个或多个扇区保护用户
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每个部门64K字节
4FFFFh
3FFFFh
2FFFFh
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17113E-1
2
Am29F040
产品选择指南
系列型号：
订货型号： V
CC
= 5.0 V
±
5%
V
CC
= 5.0 V
±
10%
最大访问时间（纳秒）
CE （ E）访问（ NS ）
OE （ G）访问（ NS ）
55
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Am29F040
框图
DQ0–DQ7
V
CC
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擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
WE
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据锁存器
CE
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探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
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细胞矩阵
A0–A18
17113E-2
Am29F040
3
连接图
PDIP
A18
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TSOP
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OE
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Am29F040
V
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A17
WE
WE
引脚配置
A0–A18
=地址输入
DQ0 - DQ7 =数据输入/输出
CE
OE
WE
V
SS
V
CC
=芯片使能
=输出使能
=写使能
=设备接地
=设备电源
(5.0 V
±10%
or
±5%)
逻辑符号
19
A0–A18
DQ0–DQ7
CE （ E）
OE （ G）
WE （W）的
8
17113E-6
Am29F040
5
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A42MX09-1TQ100
ADM709RAR
AVEZ106M50D16T-F
AME8500AEFVAA16
AME8833AEEV320Z
AMS4155
AM3T-4809DH35
AN5095K
A54SX32A-CQ208
A15QS450-4
AM29DL800BT70FCB
AD8368ACPZ-WP
ALD20M48N-6
ATTINY48-AUR
AT28HC64-12PI
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    AM29F040-90JC
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人：何小姐
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联系人：米小姐，黄小姐
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上海齐创科技有限公司（上海青岛北京）
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联系人：李小姐/郭先生/钱先生-本公司可开具13%增值税发票
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上海齐创科技有限公司（上海青岛北京）
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联系人：李小姐/郭先生/钱先生-本公司可开具13%增值税发票
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联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
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