【最终科幻Am29F0404兆位（ 524,288 ×8位） CMOS 5.0伏只，扇区擦除闪存特色鲜】,IC型号AM29F040-70JI,AM29F040-70JI PDF资料,AM29F040-70JI经销商,ic,电子元器件-51电子网

最终科幻

Am29F040

4兆位（ 524,288 ×8位） CMOS 5.0伏只，

扇区擦除闪存

特色鲜明

5.0 V

用于读取和写入操作10 ％

- 最大程度降低系统级功耗要求

兼容采用符合JEDEC标准

- 引脚和软件兼容的单

电源闪存

- 高级无意写保护

封装选项

- 32引脚PLCC

- 32引脚TSOP

- 32引脚PDIP

最少100,000次写/擦除周期保证

高性能

- 最大55 ns访问时间

扇区擦除架构

统一的每64千字节扇区

- 任何部门的结合可以被删除。

还支持整片擦除。

扇区保护

- 硬件方法禁用任意组合

自写或擦除操作部门

嵌入式擦除算法

- 自动preprograms和擦除芯片

或扇区的任意组合

嵌入式程序算法

- 自动在程序和VERI音响ES数据

特定网络版地址

数据轮询和切换位功能检测

的编程或擦除周期完成

擦除挂起/恢复

- 支持从一个部门不被读取的数据

删除

低功耗

- 20毫安典型的读操作工作电流

- 30毫安典型的编程/擦除电流

增强的电源管理，待机

模式

- <1

典型待机电流

- 从待机模式标准访问时间

概述

该AM29F040是4兆， 5.0伏，只有闪存

组织为512 KB的每个8位。该AM29F040

在一个32引脚封装提供。本设备被设计

要被编程在系统的标准系统

5.0 V V

供应量。 12.0 V V

不要求

写或擦除操作。该装置也可以是

重新编程的标准EPROM编程器。

该标准AM29F040提供的访问时间

55 ns到150 ns的高速运转让

微处理器无需等待。为了消除总线

争的设备都有单独的芯片使能（ CE ），

写使能（WE）和输出使能（OE ）控制。

该AM29F040完全是命令集兼容

与JEDEC单电源闪存标准。

命令使用写入命令寄存器

标准的微处理器写时序。寄存器可

帐篷作为输入到一个内部状态机

控制该擦除和编程电路。

写周期内部也锁存地址和数据

所需的编程和擦除操作。

读出的数据的设备类似于阅读

12.0伏Flash或EPROM器件。

该AM29F040通过执行亲编程

克的命令序列。这将调用嵌入

DED程序算法是一个内部算法

自动时间程序的脉冲宽度和

VERI科幻ES适当的细胞保证金。典型地，每个扇区可以

可以在不到一秒钟的编程和VERI音响编辑。

删除被执行擦除实现的COM

命令序列。这将调用嵌入式擦除

算法，它是一个内部算法， automati-

美云preprograms数组，如果它不被亲

执行擦除操作之前编程。中

擦除，设备会自动倍擦除脉冲

宽度和VERI音响ES适当的细胞保证金。

出版＃

17113

启：

Amendment/0

发行日期：

1996年11月

个别部门通常擦除和VERI网络版

1.0秒（如果已经完全预编程）。

该器件还具有一个扇区擦除架构。

该部门模式允许内存64K字节的块

要被擦除和重新编程，而不会影响

其他模块。出厂时的AM29F040被删除

从工厂。

该器件具有一个5.0 V电源操作

重刑读写功能。内部gener-

被提供给ated和稳压电压

编程和擦除操作。低V

探测器

自动抑制写操作上的损失

力。编程或擦除的结束是由数据检测

轮询DQ7或通过DQ6切换位功能。

一旦一个程序或擦除周期结束时一直

完成后，设备内部复位到读

模式。

AMD的闪存技术，结合多年的EPROM

与ê

PROM经验，生产的最高水平

的质量，可靠性和成本效益。该

AM29F040内存电擦除整个芯片

或者通过福勒同时一个扇区内的所有位

Nordheim隧穿。该字节编程1

在时刻字节使用EPROM编程

热电子注入的机制。

灵活的扇区擦除架构

8个64字节扇区

个别行业，多领域，或批量擦除

能力

单个或多个扇区保护用户

德网络nable

7FFFFh

6FFFFh

5FFFFh

每个部门64K字节

4FFFFh

3FFFFh

2FFFFh

1FFFFh

0FFFFh

00000h

17113E-1

Am29F040

产品选择指南

系列型号：

订货型号： V

= 5.0 V

10%

最大访问时间（纳秒）

CE （ E）访问（ NS ）

OE （ G）访问（ NS ）

-55

-70

-90

-120

120

-150

150

Am29F040

框图

DQ0–DQ7

擦除电压

发电机

输入/输出

缓冲器

状态

控制

命令

PGM电压

发电机

芯片使能

OUTPUT ENABLE

逻辑

机顶盒

数据锁存器

机顶盒

探测器

定时器

地址锁存

y解码器

Y型GATING

X解码器

细胞矩阵

A0–A18

17113E-2

Am29F040

连接图

PDIP

A18

A16

A15

A12

DQ0

DQ1

DQ2

A12

A15

A16

A18

A17

A14

A13

A11

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

17113E-3

17113E-4

PLCC

DQ0

1 32 31 30

A14

A13

A11

A10

DQ7

14 15 16 17 18 19 20

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

DQ2

DQ1

DQ0

A11

A13

A14

A17

A18

A16

A15

A12

17113E-5

TSOP

A11

A13

A14

A17

A18

A16

A15

A12

29F040标准引脚

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

DQ2

DQ1

DQ0

29F040反向引脚

Am29F040

A17

引脚配置

A0–A18

=地址输入

DQ0 - DQ7 =数据输入/输出

=芯片使能

=输出使能

=写使能

=设备接地

=设备电源

(5.0 V

±10%

±5%)

逻辑符号

A0–A18

DQ0–DQ7

CE （ E）

OE （ G）

WE （W）的

17113E-6

Am29F040

最终科幻

Am29F040

4兆位（ 524,288 ×8位） CMOS 5.0伏只，

扇区擦除闪存

特色鲜明

5.0 V

用于读取和写入操作10 ％

- 最大程度降低系统级功耗要求

兼容采用符合JEDEC标准

- 引脚和软件兼容的单

电源闪存

- 高级无意写保护

封装选项

- 32引脚PLCC

- 32引脚TSOP

- 32引脚PDIP

最少100,000次写/擦除周期保证

高性能

- 最大55 ns访问时间

扇区擦除架构

统一的每64千字节扇区

- 任何部门的结合可以被删除。

还支持整片擦除。

扇区保护

- 硬件方法禁用任意组合

自写或擦除操作部门

嵌入式擦除算法

- 自动preprograms和擦除芯片

或扇区的任意组合

嵌入式程序算法

- 自动在程序和VERI音响ES数据

特定网络版地址

数据轮询和切换位功能检测

的编程或擦除周期完成

擦除挂起/恢复

- 支持从一个部门不被读取的数据

删除

低功耗

- 20毫安典型的读操作工作电流

- 30毫安典型的编程/擦除电流

增强的电源管理，待机

模式

- <1

典型待机电流

- 从待机模式标准访问时间

概述

该AM29F040是4兆， 5.0伏，只有闪存

组织为512 KB的每个8位。该AM29F040

在一个32引脚封装提供。本设备被设计

要被编程在系统的标准系统

5.0 V V

供应量。 12.0 V V

不要求

写或擦除操作。该装置也可以是

重新编程的标准EPROM编程器。

该标准AM29F040提供的访问时间

55 ns到150 ns的高速运转让

微处理器无需等待。为了消除总线

争的设备都有单独的芯片使能（ CE ），

写使能（WE）和输出使能（OE ）控制。

该AM29F040完全是命令集兼容

与JEDEC单电源闪存标准。

命令使用写入命令寄存器

标准的微处理器写时序。寄存器可

帐篷作为输入到一个内部状态机

控制该擦除和编程电路。

写周期内部也锁存地址和数据

所需的编程和擦除操作。

读出的数据的设备类似于阅读

12.0伏Flash或EPROM器件。

该AM29F040通过执行亲编程

克的命令序列。这将调用嵌入

DED程序算法是一个内部算法

自动时间程序的脉冲宽度和

VERI科幻ES适当的细胞保证金。典型地，每个扇区可以

可以在不到一秒钟的编程和VERI音响编辑。

删除被执行擦除实现的COM

命令序列。这将调用嵌入式擦除

算法，它是一个内部算法， automati-

美云preprograms数组，如果它不被亲

执行擦除操作之前编程。中

擦除，设备会自动倍擦除脉冲

宽度和VERI音响ES适当的细胞保证金。

出版＃

17113

启：

Amendment/0

发行日期：

1996年11月

个别部门通常擦除和VERI网络版

1.0秒（如果已经完全预编程）。

该器件还具有一个扇区擦除架构。

该部门模式允许内存64K字节的块

要被擦除和重新编程，而不会影响

其他模块。出厂时的AM29F040被删除

从工厂。

该器件具有一个5.0 V电源操作

重刑读写功能。内部gener-

被提供给ated和稳压电压

编程和擦除操作。低V

探测器

自动抑制写操作上的损失

力。编程或擦除的结束是由数据检测

轮询DQ7或通过DQ6切换位功能。

一旦一个程序或擦除周期结束时一直

完成后，设备内部复位到读

模式。

AMD的闪存技术，结合多年的EPROM

与ê

PROM经验，生产的最高水平

的质量，可靠性和成本效益。该

AM29F040内存电擦除整个芯片

或者通过福勒同时一个扇区内的所有位

Nordheim隧穿。该字节编程1

在时刻字节使用EPROM编程

热电子注入的机制。

灵活的扇区擦除架构

8个64字节扇区

个别行业，多领域，或批量擦除

能力

单个或多个扇区保护用户

德网络nable

7FFFFh

6FFFFh

5FFFFh

每个部门64K字节

4FFFFh

3FFFFh

2FFFFh

1FFFFh

0FFFFh

00000h

17113E-1

Am29F040

产品选择指南

系列型号：

订货型号： V

= 5.0 V

10%

最大访问时间（纳秒）

CE （ E）访问（ NS ）

OE （ G）访问（ NS ）

-55

-70

-90

-120

120

-150

150

Am29F040

框图

DQ0–DQ7

擦除电压

发电机

输入/输出

缓冲器

状态

控制

命令

PGM电压

发电机

芯片使能

OUTPUT ENABLE

逻辑

机顶盒

数据锁存器

机顶盒

探测器

定时器

地址锁存

y解码器

Y型GATING

X解码器

细胞矩阵

A0–A18

17113E-2

Am29F040

连接图

PDIP

A18

A16

A15

A12

DQ0

DQ1

DQ2

A12

A15

A16

A18

A17

A14

A13

A11

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

17113E-3

17113E-4

PLCC

DQ0

1 32 31 30

A14

A13

A11

A10

DQ7

14 15 16 17 18 19 20

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

DQ2

DQ1

DQ0

A11

A13

A14

A17

A18

A16

A15

A12

17113E-5

TSOP

A11

A13

A14

A17

A18

A16

A15

A12

29F040标准引脚

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

DQ2

DQ1

DQ0

29F040反向引脚

Am29F040

A17

引脚配置

A0–A18

=地址输入

DQ0 - DQ7 =数据输入/输出

=芯片使能

=输出使能

=写使能

=设备接地

=设备电源

(5.0 V

±10%

±5%)

逻辑符号

A0–A18

DQ0–DQ7

CE （ E）

OE （ G）

WE （W）的

17113E-6

Am29F040