最终科幻
Am29F040
4兆位（ 524,288 ×8位） CMOS 5.0伏只，
扇区擦除闪存
特色鲜明
s
5.0 V
±
用于读取和写入操作10 ％
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
兼容采用符合JEDEC标准
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
封装选项
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
- 32引脚PDIP
s
最少100,000次写/擦除周期保证
s
高性能
- 最大55 ns访问时间
s
扇区擦除架构
统一的每64千字节扇区
- 任何部门的结合可以被删除。
还支持整片擦除。
s
扇区保护
- 硬件方法禁用任意组合
自写或擦除操作部门
s
嵌入式擦除算法
- 自动preprograms和擦除芯片
或扇区的任意组合
s
嵌入式程序算法
- 自动在程序和VERI音响ES数据
特定网络版地址
s
数据轮询和切换位功能检测
的编程或擦除周期完成
s
擦除挂起/恢复
- 支持从一个部门不被读取的数据
删除
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
s
增强的电源管理，待机
模式
- <1
A
典型待机电流
- 从待机模式标准访问时间
概述
该AM29F040是4兆， 5.0伏，只有闪存
组织为512 KB的每个8位。该AM29F040
在一个32引脚封装提供。本设备被设计
要被编程在系统的标准系统
5.0 V V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不要求
写或擦除操作。该装置也可以是
重新编程的标准EPROM编程器。
该标准AM29F040提供的访问时间
55 ns到150 ns的高速运转让
微处理器无需等待。为了消除总线
争的设备都有单独的芯片使能（ CE ） ，
写使能（WE）和输出使能（OE ）控制。
该AM29F040完全是命令集兼容
与JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制该擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
12.0伏Flash或EPROM器件。
该AM29F040通过执行亲编程
克的命令序列。这将调用嵌入
DED程序算法是一个内部算法
自动时间程序的脉冲宽度和
VERI科幻ES适当的细胞保证金。典型地，每个扇区可以
可以在不到一秒钟的编程和VERI音响编辑。
删除被执行擦除实现的COM
命令序列。这将调用嵌入式擦除
算法，它是一个内部算法， automati-
美云preprograms数组，如果它不被亲
执行擦除操作之前编程。中
擦除，设备会自动倍擦除脉冲
宽度和VERI音响ES适当的细胞保证金。
出版＃
17113
启：
E
Amendment/0
发行日期：
1996年11月
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