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Am29F032B
数据表
-XO \\ ????
7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG
0LFUR设备SNMP DQG ) XMLWVX ? $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ?
LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ? WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG
) XMLWVX ?
规格连续性
7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ? $ Q \\
FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH
GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ? ZKHUH VXSSRUWHG ? ) XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ?
DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ?
订购零件编号的连续性
0美元“ DQG ) XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P' DQG 0 % 0' ? 7R RUGHU
WKHVH SURGXFWV ? SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ?
欲了解更多信息
3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ) XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ
PHPRU \\ VROXWLRQV ?
公开号
21610
调整
D
修订
+1
发行日期
2000年12月5日
Am29F032B
32兆位( 4米×8位)
CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体
特色鲜明
s
5.0 V± 10 % ,单电源操作
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
在0.32微米制程技术制造的
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
低功耗
- 30毫安典型的读操作工作电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- <1 μA典型待机电流(标准访问
时间到活动模式)
s
灵活的部门架构
- 每64千字节64部门制服
- 任何部门的结合可以被删除。
- 支持整片擦除
- 集团部门保护:
- 锁业群体的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门组
- 临时机构集团撤消允许代码
改变先前锁定行业
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址验证字节
s
最低百万写入/擦除周期
保证
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 40针TSOP
- 44引脚SO
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除周期结束
s
就绪/忙输出( RY / BY # )
- 提供了硬件检测方法
编程或擦除周期完成
s
擦除挂起/恢复
- 挂起一个扇区擦除操作来读取数据
由,或程序数据,一个非擦除扇区,
然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 复位内部状态机读方式
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21610
启:
D
Amendment/+1
发行日期:
2000年12月5日
概述
该Am29F032B是32兆, 5.0伏,仅限于Flash
内存组织为4,194,304字节每8位。
的4字节的数据被分为64个64个扇区
每个字节进行灵活的擦除能力。的8位的
数据显示在DQ0 - DQ7 。该Am29F032B提供
采用40引脚TSOP和44引脚SO封装。该
Am29F032B采用AMD的0.32微米制造
工艺技术。此装置的设计是亲
编程在系统的标准系统5.0伏特
V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不需要程序
或擦除操作。该装置还可以亲
编程标准EPROM编程器。
该标准的设备提供的70 , 90的访问时间,
120和150纳秒,从而允许高速微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线CON-
张力,该设备已单独的芯片使能( CE # ) ,
写使能(WE # ) ,并且输出使能(OE # )控制。
该设备完全指令集兼容
在JEDEC单电源闪存标准。 COM的
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机, CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
同时在内部锁存器所需要的地址和数据
编程和擦除操作。读数据
从设备的类似于读数12.0伏
Flash或EPROM器件。
该设备是通过执行程序编程
命令序列。这将调用嵌入亲
革兰氏算法的内部算法, automati-
美云次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该设备是通过执行擦除
擦除命令序列。这将调用的EM
层状擦除算法的内部算法,
自动preprograms阵列(如果它已不
编程)执行擦除操作之前。
在擦除,擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
扇区擦除架构允许存储扇区
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。扇区通常是
擦除和在一秒钟内进行验证。该装置是
从工厂发货时被擦除。
硬件部门组保护功能禁用
两个方案和以任何组合的擦除操作
八大类别组的内存。一个扇区组
由四个相邻扇区。
擦除挂起功能,使系统能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或程序的数据,一个没有被擦除扇区。
真实背景擦除因此可以实现。
该设备只需要一个5.0伏电源
用于读取和写入功能。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压
和擦除操作。低V
CC
检测automati-
美云在电源转换禁止写操作。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除周期完成后使用RY / BY #引脚上,
DQ7 (数据#查询)或DQ6 (切换)状态位。后
一个程序或擦除周期已经完成,单片机
副自动返回到读模式。
硬件RESET #引脚终止在任何操作
进展情况。内部状态机复位到
阅读模式。在RESET #引脚可以连接到该系
统复位电路。因此,如果一个系统复位发生
无论是在嵌入式程序或嵌入式
擦除算法,该装置是自动复位到
阅读模式。这使得系统的微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
highestl前夕lsofquality ,可靠性, andcost
有效性。该装置电擦除所有位
通过福勒- Nordheim隧同时一个部门
隧道。该字节编程一个字节
用热的编程机制的时间
电子注入。
2
Am29F032B
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
对于读阵列数据要求.....................................
写命令/命令序列..............................
编程和擦除操作状态......................................
待机模式................................................ ..........................
RESET # :硬件复位引脚............................................ .....
输出禁止模式............................................... .................
4
4
5
6
6
7
8
8
8
9
9
9
9
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 20
图5.切换位算法............................................ ............ 20
表6.写操作状态............................................ ......... 21
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
图6.最大负过冲波形...................... 22
图7.最大正过冲波形........................ 22
表1. Am29F032B设备总线操作.................................. 8
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
TTL / NMOS兼容.............................................. ............ 23
CMOS兼容................................................ .................. 23
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
图8.测试设置............................................. ......................... 24
表7.测试规范............................................. .............. 24
表2. Am29F032B扇区地址表................................... 10
自选模式................................................ ..................... 11
表3. Am29F032B自选代码......................................... 11
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
只读操作.............................................. ............... 25
图9.读操作时序............................................ ..... 25
行业组保护/ unprotection的.................................... 12
表4.部门组地址............................................ ....... 12
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 26
图10. RESET #时序............................................ .............. 26
临时机构集团撤消....................................... 12
图1.临时机构集团撤消操作................ 12
写(擦除/编程)操作......................................... 27
图11.程序操作时序..........................................
图12.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图13.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图14.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图15. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
28
29
30
30
31
硬件数据保护............................................... ....... 13
低VCC写禁止.............................................. ....................... 13
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 13
逻辑禁止................................................ .................................. 13
上电写禁止............................................. ....................... 13
临时机构撤消............................................... ... 31
图16.临时机构集团撤消时序................ 31
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
读阵列数据............................................... ................. 13
复位命令................................................ ..................... 13
自选命令序列............................................ 14
字节编程命令序列....................................... 14
芯片擦除命令序列........................................... 14
图2.程序运行............................................. ............. 15
写(擦除/编程)操作,备用CE #
控制的写操作................................................ .................... 32
图17.备用CE #控制的写操作时序...... 33
扇区擦除命令序列........................................ 15
擦除暂停/删除恢复命令........................... 15
图3.擦除操作............................................. .................. 16
命令定义................................................ ............. 17
表5. Am29F032B命令定义................................... 17
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 18
图4.数据#轮询算法........................................... ........ 18
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ..................
DQ6 :切换位I ............................................. .......................
DQ2 :触发位II ............................................. ......................
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ..
DQ5 :超过时序限制............................................. ...
19
19
19
19
20
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 34
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
SO 044-44引脚小外形封装.................................. 35
TS 040-40针标准薄型小尺寸封装........... 36
TSR040-40引脚反转薄型小尺寸封装........ 37
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
版本A( 1998年6月) ............................................ .............. 38
版本B( 1998年7月) ............................................ ................ 38
版本C( 1999年1月) ............................................ ......... 38
版本C + 1 ( 1999年4月14日) ........................................ ......... 38
版本D ( 1999年11月17日) .......................................... 38
版本D + 1 ( 2000年12月5日) ........................................ 38
Am29F032B
3
产品选择指南
系列型号
速度选项
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
V
CC
= 5.0 V
±
5%
V
CC
= 5.0 V
±
10%
70
70
40
-75
-90
90
90
40
-120
120
120
50
-150
150
150
75
Am29F032B
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
DQ0
DQ7
V
CC
V
SS
RY / BY #
RESET#
状态
控制
命令
注册
行业SWITCHES
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
WE#
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A21
4
Am29F032B
Am29F032B
数据表
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
21610
调整
D
修订
5
发行日期
2006年11月2日
这页有意留为空白。
数据表
Am29F032B
32兆位( 4米×8位)
CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体
特色鲜明
5.0 V± 10 % ,单电源操作
- 最大程度降低系统级功耗要求
在0.32微米制程技术制造的
高性能
- 存取时间快70纳秒
低功耗
- 30毫安典型的读操作工作电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- <1 μA典型待机电流(标准访问
时间到活动模式)
灵活的部门架构
- 每64千字节64部门制服
- 任何部门的结合可以被删除。
- 支持整片擦除
- 集团部门保护:
- 锁业群体的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门组
- 临时机构集团撤消允许代码
改变先前锁定行业
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址验证字节
最低百万写入/擦除周期
保证
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
封装选项
- 40针TSOP
- 44引脚SO
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
就绪/忙输出( RY / BY # )
- 提供了硬件检测方法
编程或擦除周期完成
擦除挂起/恢复
- 挂起一个扇区擦除操作来读取数据
由,或程序数据,一个非擦除扇区,
然后恢复擦除操作
硬件复位引脚( RESET # )
- 复位内部状态机读方式
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21610
启:
D
修订:
5
发行日期:
2006年11月2日
D A T A
中文ê (E T)
概述
该Am29F032B是32兆, 5.0伏,仅限于Flash
内存组织为4,194,304字节每8位。
的4字节的数据被分为64个64个扇区
每个字节进行灵活的擦除能力。的8位的
数据显示在DQ0 - DQ7 。该Am29F032B提供
采用40引脚TSOP和44引脚SO封装。该
Am29F032B采用AMD的0.32微米制造
工艺技术。此装置的设计是亲
编程在系统的标准系统5.0伏特
V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不需要程序
或擦除操作。该装置还可以亲
编程标准EPROM编程器。
该标准的设备提供的70和90的存取时间
纳秒,从而允许高速微处理器操作
无需等待。为了消除总线冲突,
设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# ) ,并且输出使能(OE # )控制。
该设备完全指令集兼容
在JEDEC单电源闪存标准。 COM的
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机, CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
同时在内部锁存器所需要的地址和数据
编程和擦除操作。读数据
从设备的类似于读数12.0伏
Flash或EPROM器件。
该设备是通过执行程序编程
命令序列。这将调用嵌入亲
革兰氏算法的内部算法, automati-
美云次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该设备是通过执行擦除
擦除命令序列。这将调用的EM
层状擦除算法的内部算法,
自动preprograms阵列(如果它已不
编程)执行擦除操作之前。
在擦除,擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
扇区擦除架构允许存储扇区
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。扇区通常是
擦除和在一秒钟内进行验证。该装置是
从工厂发货时被擦除。
硬件部门组保护功能禁用
两个方案和以任何组合的擦除操作
八大类别组的内存。一个扇区组
由四个相邻扇区。
擦除挂起功能,使系统能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或程序的数据,一个没有被擦除扇区。
真实背景擦除因此可以实现。
该设备只需要一个5.0伏电源
用于读取和写入功能。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压
和擦除操作。低V
CC
检测automati-
美云在电源转换禁止写操作。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除周期完成后使用RY / BY #引脚上,
DQ7 (数据#查询)或DQ6 (切换)状态位。后
一个程序或擦除周期已经完成,单片机
副自动返回到读模式。
硬件RESET #引脚终止在任何操作
进展情况。内部状态机复位到
阅读模式。在RESET #引脚可以连接到该系
统复位电路。因此,如果一个系统复位发生
无论是在嵌入式程序或嵌入式
擦除算法,该装置是自动复位到
阅读模式。这使得系统的微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
highestl前夕lsofquality ,可靠性, andcost
有效性。该装置电擦除所有位
通过福勒- Nordheim隧同时一个部门
隧道。该字节编程一个字节
用热的编程机制的时间
电子注入。
2
Am29F032B
21610D5 2006年11月2日
D A T A
中文ê (E T)
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
对于读阵列数据要求.....................................
写命令/命令序列..............................
编程和擦除操作状态......................................
待机模式................................................ ..........................
RESET # :硬件复位引脚............................................ .....
输出禁止模式............................................... .................
4
4
5
6
6
7
8
8
8
9
9
9
9
DQ2 :触发位II ............................................. ......................
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ...
DQ5 :超过时序限制............................................. ...
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ..........
19
19
20
20
图5.切换位算法............................................ ............ 20
表6.写操作状态............................................ ......... 21
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
图6.最大负过冲波形...................... 22
图7.最大正过冲波形........................ 22
表1. Am29F032B设备总线操作.................................. 8
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
TTL / NMOS兼容.............................................. ............ 23
CMOS兼容................................................ .................. 23
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
图8.测试设置............................................. ......................... 24
表7.测试规范............................................. .............. 24
表2. Am29F032B扇区地址表................................... 10
自选模式................................................ ..................... 11
表3. Am29F032B自选代码......................................... 11
行业组保护/ unprotection的.................................... 12
表4.部门组地址............................................ ....... 12
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
只读操作.............................................. ............... 25
图9.读操作时序............................................ ..... 25
临时机构集团撤消....................................... 12
图1.临时机构集团撤消操作................ 12
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 26
图10. RESET #时序............................................ .............. 26
硬件数据保护............................................... ....... 13
低VCC写禁止.............................................. ....................... 13
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 13
逻辑禁止................................................ .................................. 13
上电写禁止............................................. ....................... 13
写(擦除/编程)操作......................................... 27
图11.程序操作时序..........................................
图12.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图13.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图14.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图15. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
28
29
30
30
31
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
读阵列数据............................................... ................. 13
复位命令................................................ ..................... 13
自选命令序列............................................ 14
字节编程命令序列....................................... 14
芯片擦除命令序列........................................... 14
图2.程序运行............................................. ............. 15
临时机构撤消............................................... ... 31
图16.临时机构集团撤消时序................ 31
写(擦除/编程)操作,备用CE #
控制的写操作................................................ .................... 32
图17.备用CE #控制的写操作时序...... 33
扇区擦除命令序列........................................ 15
擦除暂停/删除恢复命令........................... 15
图3.擦除操作............................................. .................. 16
表5. Am29F032B命令定义................................... 17
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 18
图4.数据#轮询算法........................................... ........ 18
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 19
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 34
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
SO 044-44引脚小外形封装.................................. 35
TS 040-40针标准薄型小尺寸封装........... 36
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
2006年11月2日21610D5
Am29F032B
3
Am29F032B
数据表
-XO \\ ????
7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG
0LFUR设备SNMP DQG ) XMLWVX ? $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ?
LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ? WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG
) XMLWVX ?
规格连续性
7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ? $ Q \\
FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH
GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ? ZKHUH VXSSRUWHG ? ) XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ?
DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ?
订购零件编号的连续性
0美元“ DQG ) XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P' DQG 0 % 0' ? 7R RUGHU
WKHVH SURGXFWV ? SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ?
欲了解更多信息
3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ) XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ
PHPRU \\ VROXWLRQV ?
公开号
21610
调整
D
修订
+1
发行日期
2000年12月5日
Am29F032B
32兆位( 4米×8位)
CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体
特色鲜明
s
5.0 V± 10 % ,单电源操作
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
在0.32微米制程技术制造的
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
低功耗
- 30毫安典型的读操作工作电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- <1 μA典型待机电流(标准访问
时间到活动模式)
s
灵活的部门架构
- 每64千字节64部门制服
- 任何部门的结合可以被删除。
- 支持整片擦除
- 集团部门保护:
- 锁业群体的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门组
- 临时机构集团撤消允许代码
改变先前锁定行业
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址验证字节
s
最低百万写入/擦除周期
保证
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 40针TSOP
- 44引脚SO
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除周期结束
s
就绪/忙输出( RY / BY # )
- 提供了硬件检测方法
编程或擦除周期完成
s
擦除挂起/恢复
- 挂起一个扇区擦除操作来读取数据
由,或程序数据,一个非擦除扇区,
然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 复位内部状态机读方式
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21610
启:
D
Amendment/+1
发行日期:
2000年12月5日
概述
该Am29F032B是32兆, 5.0伏,仅限于Flash
内存组织为4,194,304字节每8位。
的4字节的数据被分为64个64个扇区
每个字节进行灵活的擦除能力。的8位的
数据显示在DQ0 - DQ7 。该Am29F032B提供
采用40引脚TSOP和44引脚SO封装。该
Am29F032B采用AMD的0.32微米制造
工艺技术。此装置的设计是亲
编程在系统的标准系统5.0伏特
V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不需要程序
或擦除操作。该装置还可以亲
编程标准EPROM编程器。
该标准的设备提供的70 , 90的访问时间,
120和150纳秒,从而允许高速微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线CON-
张力,该设备已单独的芯片使能( CE # ) ,
写使能(WE # ) ,并且输出使能(OE # )控制。
该设备完全指令集兼容
在JEDEC单电源闪存标准。 COM的
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机, CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
同时在内部锁存器所需要的地址和数据
编程和擦除操作。读数据
从设备的类似于读数12.0伏
Flash或EPROM器件。
该设备是通过执行程序编程
命令序列。这将调用嵌入亲
革兰氏算法的内部算法, automati-
美云次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该设备是通过执行擦除
擦除命令序列。这将调用的EM
层状擦除算法的内部算法,
自动preprograms阵列(如果它已不
编程)执行擦除操作之前。
在擦除,擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
扇区擦除架构允许存储扇区
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。扇区通常是
擦除和在一秒钟内进行验证。该装置是
从工厂发货时被擦除。
硬件部门组保护功能禁用
两个方案和以任何组合的擦除操作
八大类别组的内存。一个扇区组
由四个相邻扇区。
擦除挂起功能,使系统能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或程序的数据,一个没有被擦除扇区。
真实背景擦除因此可以实现。
该设备只需要一个5.0伏电源
用于读取和写入功能。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压
和擦除操作。低V
CC
检测automati-
美云在电源转换禁止写操作。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除周期完成后使用RY / BY #引脚上,
DQ7 (数据#查询)或DQ6 (切换)状态位。后
一个程序或擦除周期已经完成,单片机
副自动返回到读模式。
硬件RESET #引脚终止在任何操作
进展情况。内部状态机复位到
阅读模式。在RESET #引脚可以连接到该系
统复位电路。因此,如果一个系统复位发生
无论是在嵌入式程序或嵌入式
擦除算法,该装置是自动复位到
阅读模式。这使得系统的微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
highestl前夕lsofquality ,可靠性, andcost
有效性。该装置电擦除所有位
通过福勒- Nordheim隧同时一个部门
隧道。该字节编程一个字节
用热的编程机制的时间
电子注入。
2
Am29F032B
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
对于读阵列数据要求.....................................
写命令/命令序列..............................
编程和擦除操作状态......................................
待机模式................................................ ..........................
RESET # :硬件复位引脚............................................ .....
输出禁止模式............................................... .................
4
4
5
6
6
7
8
8
8
9
9
9
9
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 20
图5.切换位算法............................................ ............ 20
表6.写操作状态............................................ ......... 21
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
图6.最大负过冲波形...................... 22
图7.最大正过冲波形........................ 22
表1. Am29F032B设备总线操作.................................. 8
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
TTL / NMOS兼容.............................................. ............ 23
CMOS兼容................................................ .................. 23
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
图8.测试设置............................................. ......................... 24
表7.测试规范............................................. .............. 24
表2. Am29F032B扇区地址表................................... 10
自选模式................................................ ..................... 11
表3. Am29F032B自选代码......................................... 11
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
只读操作.............................................. ............... 25
图9.读操作时序............................................ ..... 25
行业组保护/ unprotection的.................................... 12
表4.部门组地址............................................ ....... 12
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 26
图10. RESET #时序............................................ .............. 26
临时机构集团撤消....................................... 12
图1.临时机构集团撤消操作................ 12
写(擦除/编程)操作......................................... 27
图11.程序操作时序..........................................
图12.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图13.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图14.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图15. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
28
29
30
30
31
硬件数据保护............................................... ....... 13
低VCC写禁止.............................................. ....................... 13
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 13
逻辑禁止................................................ .................................. 13
上电写禁止............................................. ....................... 13
临时机构撤消............................................... ... 31
图16.临时机构集团撤消时序................ 31
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
读阵列数据............................................... ................. 13
复位命令................................................ ..................... 13
自选命令序列............................................ 14
字节编程命令序列....................................... 14
芯片擦除命令序列........................................... 14
图2.程序运行............................................. ............. 15
写(擦除/编程)操作,备用CE #
控制的写操作................................................ .................... 32
图17.备用CE #控制的写操作时序...... 33
扇区擦除命令序列........................................ 15
擦除暂停/删除恢复命令........................... 15
图3.擦除操作............................................. .................. 16
命令定义................................................ ............. 17
表5. Am29F032B命令定义................................... 17
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 18
图4.数据#轮询算法........................................... ........ 18
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ..................
DQ6 :切换位I ............................................. .......................
DQ2 :触发位II ............................................. ......................
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ..
DQ5 :超过时序限制............................................. ...
19
19
19
19
20
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 34
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
SO 044-44引脚小外形封装.................................. 35
TS 040-40针标准薄型小尺寸封装........... 36
TSR040-40引脚反转薄型小尺寸封装........ 37
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
版本A( 1998年6月) ............................................ .............. 38
版本B( 1998年7月) ............................................ ................ 38
版本C( 1999年1月) ............................................ ......... 38
版本C + 1 ( 1999年4月14日) ........................................ ......... 38
版本D ( 1999年11月17日) .......................................... 38
版本D + 1 ( 2000年12月5日) ........................................ 38
Am29F032B
3
产品选择指南
系列型号
速度选项
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
V
CC
= 5.0 V
±
5%
V
CC
= 5.0 V
±
10%
70
70
40
-75
-90
90
90
40
-120
120
120
50
-150
150
150
75
Am29F032B
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
DQ0
DQ7
V
CC
V
SS
RY / BY #
RESET#
状态
控制
命令
注册
行业SWITCHES
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
WE#
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A21
4
Am29F032B
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推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AM29F032B-90SC
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
联系人:Sante Zhang/Mollie
地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯
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AMD
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联系人:李小姐
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AMD
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联系人:李
地址:福田区振兴西路109号华康大厦2栋6楼
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8699
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热卖 全新原装正品
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电话:0755-83035161
联系人:肖先生
地址:福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司)
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AMD
1
66
原装正品!价格优势!
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电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
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17+
4550
PSOP
进口原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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AMD
24+
27200
TSOP44
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AM29F032B-90SC
AMD
21+22+
12600
TSOP44
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AM29F032B-90SC
AMD
32
3
TSOP44
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:800118233 复制
电话:0755-83051566
联系人:李小姐
地址:深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
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AMD
22+
32570
TSOP44
进口原装公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:287673858 复制

电话:0755-82533534
联系人:欧阳
地址:深圳市福田区华强北街道上步路上步工业区201栋316室
AM29F032B-90SC
AMD
32
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