Am29F017B
16兆位（2M ×8位）
CMOS 5.0伏只，统一部门快闪记忆体
特色鲜明
s
优化了存储卡的应用
- 与Am29F016C向后兼容
s
5.0 V
±
10 ％ ，单电源操作
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
在0.32微米制程技术制造的
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
低功耗
- 40 mA典型有效的读电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- 1 μA典型待机电流（标准访问
时间到活动模式）
s
灵活的部门架构
- 每64千字节32部门制服
- 任何部门的结合可以被删除。
- 支持整片擦除
- 集团部门保护：
锁定机构团体的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门组
临时机构集团撤消允许代码
改变先前锁定行业
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址验证字节
s
每次最少百万编程/擦除周期
担保业
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 40针TSOP
- 48引脚TSOP
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
s
数据＃查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
s
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
- 提供了硬件检测方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起一个扇区擦除操作来读取数据
由，或程序数据，一个非擦除扇区，
然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 复位内部状态机读方式
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版＃
21195
启：
D
Amendment/0
发行日期：
1999年11月16日
概述
该Am29F017B是16兆， 5.0伏，只有闪存存储器
储器组织为2,097,152字节。的8位数据
出现在DQ0 - DQ7 。该Am29F017B提供了
48引脚TSOP封装。此装置被设计成
在系统编程与标准系统5.0
伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不要求为亲
克或擦除操作。该装置还可以亲
编程标准EPROM编程器。
该器件采用AMD的0.32制造
m
工艺技术，并提供所有的功能和苯并
该Am29F016C ，将其制造的efits
使用0.5
米制程技术。
该标准的设备提供的70 ， 90 ， 120的访问时间，
和150纳秒，从而允许高速微处理器来
操作无需等待。为了消除总线conten-
化，该设备已单独的芯片使能（ CE ＃ ），写
使能（WE ＃ ） ，并且输出使能（OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式亲
克
算法的一个内部算法automati-
美云次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后，该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功耗大大降低
此模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29F017B
QQ：2881677436 复制
