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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1712页 > AM29F016D-120DTC1
Am29F016D
已知合格芯片
数据表
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规格连续性
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订购零件编号的连续性
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欲了解更多信息
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!!
补充
AM29F016D已知合格芯片
16兆位(2M ×8位)
CMOS 5.0伏只,扇区擦除闪存裸片修订版1
特色鲜明
5.0 V
±
10 % ,单电源操作
- 最大程度降低系统级功耗要求
在0.23微米制程技术制造的
高性能
- 120 ns访问时间
低功耗
- 40 mA典型有效的读电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- <1
A
典型待机电流(标准访问
时间到活动模式)
灵活的部门架构
- 每64千字节32部门制服
- 任何部门的结合可以被删除。
- 支持整片擦除
- 集团部门保护:
锁定机构团体的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门组
临时机构集团撤消允许代码
改变先前锁定行业
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址验证字节
最低百万次擦写保证
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除周期结束
就绪/忙输出( RY / BY # )
- 提供了硬件检测方法
编程或擦除周期完成
擦除挂起/恢复
- 挂起一个扇区擦除操作来读取数据
由,或程序数据,一个非擦除扇区,
然后恢复擦除操作
硬件复位引脚( RESET # )
- 复位内部状态机读方式
经测试数据表规格的
温度
质量和可靠性水平相当于
标准封装组件
20年的数据保存在125°C
出版#
26244
启:
A
Amendment/+1
发行日期:
2002年6月11日
的SuI P P L E M E N牛逼
概述
在已知合格芯片( KGD )的形式AM29F016D是16
兆位, 5.0伏只闪存。 AMD KGD的定义是
标准产品裸片形式,测试功能和
速度。 AMD KGD产品具有相同的可靠性和
质量为AMD的产品包装形式。
扇区擦除架构允许存储部门
可擦除和重新编程,而不影响数据
其他部门的内容。一个扇区通常被擦除
并验证了在一秒内。该设备被擦除
出厂的时候。
硬件部门组保护功能禁用
两个方案和以任何组合的擦除操作
八大类别组的内存。一个扇区组
由四个相邻扇区。
擦除挂起功能,使系统能够把
擦除搁置的任何一段时间,以从读出的数据,或
程序的数据,一个没有被擦除扇区。真
背景擦除可以由此来实现。
该设备只需要一个5.0伏电源
用于读取和写入功能。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和
擦除操作。低V
CC
自动探测器
在电源转换禁止写操作。该
主机系统可以检测是否编程或擦除
周期完成使用RY / BY #引脚,该DQ7
(数据#查询)或DQ6 (切换)状态位。经过
程序或擦除周期已经完成,该装置
自动返回到读模式。
硬件RESET #引脚终止在任何操作
进展情况。内部状态机复位到读
模式。在RESET #引脚可以连接到系统复位
电路。因此,如果在系统复位时
无论是嵌入式程序或嵌入式擦除algo-
rithm ,该装置将自动复位到读模式。
这使得该系统的微处理器读取
引导固件从闪存中。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
喜GH estlev EL sofq UA升性,R EL保险业监督B金正日是Y,一个dcost
有效性。该装置电擦除所有位
同时通过行业内的福勒- Nordheim隧调谐
neling 。该字节编程一个字节的时间
用热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
AM29F016D特点
该AM29F016D是16兆, 5.0伏,仅限于Flash
内存组织为2,097,152字节每8位。
的2字节的数据被分成32个扇区的64
每个字节进行灵活的擦除能力。的8位的
数据显示在DQ0 - DQ7 。该AM29F016D是
采用AMD的0.32微米工艺制造技
术。本设备被设计为被编程
在系统与标准系统5.0伏V
CC
供应量。
12.0伏V
PP
不需要程序或擦除
操作。该设备也可以在编程
标准EPROM编程器。
该标准的设备提供120纳秒的访问时间,
允许高速微处理器来运行,而不
等待状态。消除总线竞争,该设备具有
独立的芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和
输出使能( OE # )控制。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。 COM的
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机,它控制
擦除和编程电路。写周期也
内部锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。读出数据的
该装置类似于读取从12.0伏闪存或
EPROM器件。
该设备是通过执行程序编程
命令序列。这将调用嵌入
程序算法的内部算法, automat-
ically次编程脉冲宽度和验证正确
电池余量。该设备是通过执行擦除功能
命令序列。这将调用嵌入式擦除
算法的内部算法,自动预
方案的阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
电气规格
请参考AM29F016D数据表,出版
号码21444 ,完整的电气规范上
AM29F016D在KGD形式。
产品选择指南
系列型号
速度选项(V
CC
= 5.0 V
±
10%)
最大访问时间,t
(纳秒)
最大CE#访问,T
CE
(纳秒)
最大OE #访问,T
OE
(纳秒)
AM29F016D KGD
-120
120
120
50
2
AM29F016D已知合格芯片
2002年6月11日
的SuI P P L E M E N牛逼
DIE PHOTOGRAPH
DIE焊盘位置
10
2
1 38
30
AMD标识的位置
11
21
22
29
2002年6月11日
AM29F016D已知合格芯片
3
的SuI P P L E M E N牛逼
PAD描述(相对于模具中央)
PAD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
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20
21
22
23
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28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
信号
V
CC
RESET#
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
SS
V
SS
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
RY / BY #
OE #
WE#
A20
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
CE#
垫中心(密耳)
X
31.30
–32.75
–42.74
–48.89
–55.27
–61.10
–67.48
–73.63
–80.01
–86.16
–85.72
–79.88
–74.42
–68.59
–58.60
–47.60
–34.33
–23.34
–14.38
–8.96
–3.54
16.33
27.32
40.59
51.59
62.06
72.14
79.49
85.87
82.54
76.71
71.25
65.41
59.95
54.12
48.66
42.82
37.36
Y
90.86
94.54
90.77
90.77
90.77
90.77
90.77
90.77
90.77
90.77
–90.77
–90.77
–90.77
–90.77
–95.09
–95.09
–95.09
–95.09
–94.83
–94.83
–95.03
–95.09
–95.09
–95.09
–95.09
–90.77
–90.77
–90.77
–90.77
90.77
90.77
90.77
90.77
90.77
90.77
90.77
90.77
90.77
垫中心(毫米)
X
Y
0.80
2.31
–0.83
2.40
–1.09
2.31
–1.24
2.31
–1.40
2.31
–1.55
2.31
–1.71
2.31
–1.87
2.31
–2.03
2.31
–2.19
2.31
–2.18
–2.31
–2.03
–2.31
–1.89
–2.31
–1.74
–2.31
–1.49
–2.42
–1.21
–2.42
–0.87
–2.42
–0.59
–2.42
–0.37
–2.41
–0.23
–2.41
–0.09
–2.41
0.41
–2.42
0.69
–2.42
1.03
–2.42
1.31
–2.42
1.58
–2.31
1.83
–2.31
2.02
–2.31
2.18
–2.31
2.10
2.31
1.95
2.31
1.81
2.31
1.66
2.31
1.52
2.31
1.37
2.31
1.24
2.31
1.09
2.31
0.95
2.31
注意:
上面的坐标是相对于模具中心,并可以用来操作引线接合设备。
4
AM29F016D已知合格芯片
2002年6月11日
补充
AM29F016D已知合格芯片
16兆位(2M ×8位)
CMOS 5.0伏只,扇区擦除闪存裸片修订版1
特色鲜明
5.0 V
±
10 % ,单电源操作
- 最大程度降低系统级功耗要求
在0.23微米制程技术制造的
高性能
- 120 ns访问时间
低功耗
- 40 mA典型有效的读电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- <1
A
典型待机电流(标准访问
时间到活动模式)
灵活的部门架构
- 每64千字节32部门制服
- 任何部门的结合可以被删除。
- 支持整片擦除
- 集团部门保护:
锁定机构团体的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门组
临时机构集团撤消允许代码
改变先前锁定行业
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址验证字节
最低百万次擦写保证
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除周期结束
就绪/忙输出( RY / BY # )
- 提供了硬件检测方法
编程或擦除周期完成
擦除挂起/恢复
- 挂起一个扇区擦除操作来读取数据
由,或程序数据,一个非擦除扇区,
然后恢复擦除操作
硬件复位引脚( RESET # )
- 复位内部状态机读方式
经测试数据表规格的
温度
质量和可靠性水平相当于
标准封装组件
20年的数据保存在125°C
出版#
26244
启:
A
Amendment/+1
发行日期:
2002年6月11日
的SuI P P L E M E N牛逼
概述
在已知合格芯片( KGD )的形式AM29F016D是16
兆位, 5.0伏只闪存。 AMD KGD的定义是
标准产品裸片形式,测试功能和
速度。 AMD KGD产品具有相同的可靠性和
质量为AMD的产品包装形式。
扇区擦除架构允许存储部门
可擦除和重新编程,而不影响数据
其他部门的内容。一个扇区通常被擦除
并验证了在一秒内。该设备被擦除
出厂的时候。
硬件部门组保护功能禁用
两个方案和以任何组合的擦除操作
八大类别组的内存。一个扇区组
由四个相邻扇区。
擦除挂起功能,使系统能够把
擦除搁置的任何一段时间,以从读出的数据,或
程序的数据,一个没有被擦除扇区。真
背景擦除可以由此来实现。
该设备只需要一个5.0伏电源
用于读取和写入功能。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和
擦除操作。低V
CC
自动探测器
在电源转换禁止写操作。该
主机系统可以检测是否编程或擦除
周期完成使用RY / BY #引脚,该DQ7
(数据#查询)或DQ6 (切换)状态位。经过
程序或擦除周期已经完成,该装置
自动返回到读模式。
硬件RESET #引脚终止在任何操作
进展情况。内部状态机复位到读
模式。在RESET #引脚可以连接到系统复位
电路。因此,如果在系统复位时
无论是嵌入式程序或嵌入式擦除algo-
rithm ,该装置将自动复位到读模式。
这使得该系统的微处理器读取
引导固件从闪存中。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
喜GH estlev EL sofq UA升性,R EL保险业监督B金正日是Y,一个dcost
有效性。该装置电擦除所有位
同时通过行业内的福勒- Nordheim隧调谐
neling 。该字节编程一个字节的时间
用热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
AM29F016D特点
该AM29F016D是16兆, 5.0伏,仅限于Flash
内存组织为2,097,152字节每8位。
的2字节的数据被分成32个扇区的64
每个字节进行灵活的擦除能力。的8位的
数据显示在DQ0 - DQ7 。该AM29F016D是
采用AMD的0.32微米工艺制造技
术。本设备被设计为被编程
在系统与标准系统5.0伏V
CC
供应量。
12.0伏V
PP
不需要程序或擦除
操作。该设备也可以在编程
标准EPROM编程器。
该标准的设备提供120纳秒的访问时间,
允许高速微处理器来运行,而不
等待状态。消除总线竞争,该设备具有
独立的芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和
输出使能( OE # )控制。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。 COM的
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机,它控制
擦除和编程电路。写周期也
内部锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。读出数据的
该装置类似于读取从12.0伏闪存或
EPROM器件。
该设备是通过执行程序编程
命令序列。这将调用嵌入
程序算法的内部算法, automat-
ically次编程脉冲宽度和验证正确
电池余量。该设备是通过执行擦除功能
命令序列。这将调用嵌入式擦除
算法的内部算法,自动预
方案的阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
电气规格
请参考AM29F016D数据表,出版
号码21444 ,完整的电气规范上
AM29F016D在KGD形式。
产品选择指南
系列型号
速度选项(V
CC
= 5.0 V
±
10%)
最大访问时间,t
(纳秒)
最大CE#访问,T
CE
(纳秒)
最大OE #访问,T
OE
(纳秒)
AM29F016D KGD
-120
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50
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AM29F016D已知合格芯片
2002年6月11日
的SuI P P L E M E N牛逼
DIE PHOTOGRAPH
DIE焊盘位置
10
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AMD标识的位置
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2002年6月11日
AM29F016D已知合格芯片
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PAD描述(相对于模具中央)
PAD
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DQ0
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RY / BY #
OE #
WE#
A20
A19
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A14
A13
A12
CE#
垫中心(密耳)
X
31.30
–32.75
–42.74
–48.89
–55.27
–61.10
–67.48
–73.63
–80.01
–86.16
–85.72
–79.88
–74.42
–68.59
–58.60
–47.60
–34.33
–23.34
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–8.96
–3.54
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90.86
94.54
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90.77
垫中心(毫米)
X
Y
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–0.83
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–2.19
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–1.89
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–1.21
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1.52
2.31
1.37
2.31
1.24
2.31
1.09
2.31
0.95
2.31
注意:
上面的坐标是相对于模具中心,并可以用来操作引线接合设备。
4
AM29F016D已知合格芯片
2002年6月11日
的SuI P P L E M E N牛逼
PAD描述(相对于V
CC
)
PAD
1
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信号
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RESET#
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DQ7
RY / BY #
OE #
WE#
A20
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
CE#
垫中心(密耳)
X
0.00
–64.05
–74.04
–80.19
–86.57
–92.41
–98.79
–104.94
–111.32
–117.47
–117.02
–111.19
–105.73
–99.89
–89.90
–78.91
–65.64
–54.64
–45.69
–40.26
–34.84
–14.98
–3.98
9.29
20.28
30.75
40.84
48.19
54.57
51.24
45.41
39.94
34.11
28.65
22.81
17.35
11.52
6.06
Y
0.00
3.68
–0.09
–0.09
–0.09
–0.09
–0.09
–0.09
–0.09
–0.09
–181.63
–181.63
–181.63
–181.63
–185.96
–185.96
–185.96
–185.96
–185.69
–185.69
–185.89
–185.96
–185.96
–185.96
–185.96
–181.63
–181.63
–181.63
–181.63
–0.09
–0.09
–0.09
–0.09
–0.09
–0.09
–0.09
–0.09
–0.09
垫中心(毫米)
X
Y
0.00
0.00
–1.63
0.09
–1.88
0.00
–2.04
0.00
–2.20
0.00
–2.35
0.00
–2.51
0.00
–2.67
0.00
–2.83
0.00
–2.98
0.00
–2.97
–4.61
–2.82
–4.61
–2.69
–4.61
–2.54
–4.61
–2.28
–4.72
–2.00
–4.72
–1.67
–4.72
–1.39
–4.72
–1.16
–4.72
–1.02
–4.72
–0.88
–4.72
–0.38
–4.72
–0.10
–4.72
0.24
–4.72
0.52
–4.72
0.78
–4.61
1.04
–4.61
1.22
–4.61
1.39
–4.61
1.30
0.00
1.15
0.00
1.01
0.00
0.87
0.00
0.73
0.00
0.58
0.00
0.44
0.00
0.29
0.00
0.15
0.00
注意:
上面的坐标是相对于垫1的中心,并且可以被用来操作引线接合设备。
2002年6月11日
AM29F016D已知合格芯片
5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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