Am29F016B
16兆位（2M ×8位）
CMOS 5.0伏只，统一部门快闪记忆体
特色鲜明
s
5.0 V
±
10 ％ ，单电源操作
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29F016设备
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
低功耗
- 40 mA典型有效的读电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- 1 μA典型待机电流（标准访问
时间到活动模式）
s
灵活的部门架构
- 每64千字节32部门制服
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
- 集团部门保护：
锁定机构团体的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门组
临时机构集团撤消允许代码
改变先前锁定行业
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址验证字节
s
每次最少百万编程/擦除周期
担保业
s
20年的数据保存在125
°
C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 48引脚和40引脚TSOP
- 44引脚SO
- 已知合格芯片（ KGD ）
（参见出版号21551 ）
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
s
数据＃查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除周期结束
s
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
- 提供了硬件检测方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起一个扇区擦除操作来读取数据
由，或程序数据，一个非擦除扇区，
然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 复位内部状态机读方式
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版＃
21444
启：
D
Amendment/0
发行日期：
1999年11月16日
概述
该Am29F016B是16兆， 5.0伏，只有闪存存储器
储器组织为2,097,152字节。的8位数据
出现在DQ0 - DQ7 。该Am29F016B提供的
48引脚和40引脚TSOP和44引脚SO封装。该
设备也是已知合格芯片提供（ KGD ）
形式。欲了解更多信息，请参阅出版物号
21551.该设备被设计为被编程
在系统与标准系统5.0伏V
CC
支持
层。 12.0伏V
PP
不需要程序或擦除
操作。该设备也可以在编程
标准EPROM编程器。
该器件采用AMD的0.32微米制造亲
塞斯技术，并提供所有的功能和创造收益
适合的Am29F016 ，将其用制备的
0.5微米工艺技术。
该标准的设备提供的70 ， 90 ， 120的访问时间，
和150纳秒，从而允许高速微处理器来
操作无需等待。为了消除总线conten-
化，该设备已单独的芯片使能（ CE ＃ ），写
使能（WE ＃ ） ，并且输出使能（OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，自动预
方案的阵列（如果它尚未被编程） BE-
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
编程或擦除周期后，
已经完成时，该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功耗大大降低
此模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29F016B
连接图
该装置也是已知合格芯片（ KGD ）的形式提供。参见出版号为21551
更多的信息。
A19
A18
A17
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A13
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CE＃
V
CC
NC
RESET＃
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40
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30
29
28
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26
25
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23
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21
A20
NC
WE＃
OE ＃
RY / BY ＃
DQ7
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DQ5
DQ4
V
CC
V
SS
V
SS
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
40引脚TSOP标准
21444D-2
A20
NC
WE＃
OE ＃
RY / BY ＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
CC
V
SS
V
SS
DQ3
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DQ0
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40引脚TSOP反转
40
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CE＃
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CC
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RESET＃
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21444D-3
4
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连接图
该装置也是已知合格芯片（ KGD ）的形式提供。参见出版号为21551
更多的信息。
NC
NC
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
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CE＃
V
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RESET＃
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NC
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48 NC
47 NC
46 A20
45 NC
44 WE＃
43 OE ＃
42 RY / BY ＃
41 DQ7
40 DQ6
39 DQ5
38 DQ4
37 V
CC
36 V
SS
35 V
SS
34 DQ3
33 DQ2
32 DQ1
31 DQ0
30 A0
29 A1
28 A2
27 A3
26 NC
25 NC
48引脚TSOP标准
21444D-4
NC
NC
A20
NC
WE＃
OE ＃
RY / BY ＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
CC
V
SS
V
SS
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DQ2
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NC
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48引脚TSOP反转
48
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46
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NC
NC
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RESET＃
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NC
21444D-5
Am29F016B
5
QQ：2881677436 复制
