的SuI P P L E M E N牛逼
概述
该Am29F016B在已知合格芯片（ KGD ）的形式是
16兆位， 5.0伏，只有闪存。 AMD KGD的定义
作为标准产品裸片形式，测试功能
和速度。 AMD KGD产品具有相同的relia-
相容性和质量作为AMD的产品包装形式。
扇区擦除架构允许存储扇区
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。扇区通常是
擦除和在一秒钟内进行验证。该装置是
从工厂发货时被擦除。
硬件部门组保护功能禁用
两个方案和以任何组合的擦除操作
八大类别组的内存。一个扇区组
由四个相邻扇区。
擦除挂起功能，使系统能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或程序的数据，一个没有被擦除扇区。
真实背景擦除因此可以实现。
该设备只需要一个5.0伏电源
用于读取和写入功能。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压
和擦除操作。低V
CC
自动探测器
在电源转换禁止写操作。该
主机系统可以检测是否编程或擦除
周期完成使用RY / BY ＃引脚，该DQ7
（数据＃查询）或DQ6 （切换）状态位。经过
程序或擦除周期已经完成，该
装置自动返回到读模式。
硬件RESET ＃引脚终止在任何操作
进展情况。内部状态机复位到
阅读模式。在RESET ＃引脚可连接到系统
复位电路。因此，如果一个系统复位发生
无论是在嵌入式程序或嵌入式
擦除算法，该装置是自动复位到
阅读模式。这使得系统的微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
喜GHE届LEVE lsofqua李TY ，重新立双利TY ，和ST合作
有效性。该装置电擦除所有位
通过福勒- Nordheim隧同时一个部门
隧道。该字节编程一个字节
用热的EPROM编程机制的时间
电子注入。
Am29F016B特点
该Am29F016B是16兆， 5.0伏，仅限于Flash
内存组织为2,097,152字节每8位。
的2字节的数据被分成32个扇区的64
每个字节进行灵活的擦除能力。的8位的
数据显示在DQ0 - DQ7 。该Am29F016B是制造
采用AMD的0.35微米制程技术factured 。
此装置被设计在系统被编程
与标准体系5.0伏V
CC
供应量。 12.0
伏V
P P
为n OT需要编程或擦除
操作。该设备也可以在编程
标准EPROM编程器。
该标准的设备提供120纳秒的访问时间，
允许高速微处理器操作
无需等待。为了消除总线冲突，
设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能
（ WE＃ ） ，并且输出使能（OE ＃ ）控制。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。 COM的
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。注册
内容作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
12.0伏Flash或EPROM器件。
该设备是通过执行程序编程
命令序列。这将调用嵌入
程序算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该设备是通过执行擦除
擦除命令序列。这将调用
嵌入式擦除算法的内部算法，
自动preprograms阵列（如果它已不
编程）执行擦除操作之前。
在擦除，擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
电气规格
请参考Am29F016B数据表， PID 21444 ，全
电气规格上的Am29F016B的KGD
形式。
产品选择指南
系列型号
速度选项（V
CC
= 5.0 V
±
10%)
最大访问时间，t
加
（纳秒）
最大CE＃访问，T
CE
（纳秒）
最大OE ＃访问，T
OE
（纳秒）
Am29F016B KGD
-120
120
120
50
2
Am29F016B已知合格芯片
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DIE PHOTOGRAPH
相对定向
以前沿
磁带和卷轴
方向
相对于顶部
左上角
Gel-Pak的
DIE焊盘位置
8
9
7
6
5
4
3
2 1
37 36
35 34 33
32 31 30
29
AMD标识的位置
10
28
1112 13 14 15 16 17 18 19
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Am29F016B已知合格芯片
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PAD说明
PAD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
信号
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
RY / BY ＃
OE ＃
WE＃
A20
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
CE＃
V
CC
RESET＃
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
SS
垫中心（密耳）
X
0.00
–10.60
–24.00
–37.20
–50.50
–68.90
–84.20
–111.80
–119.30
–119.30
–109.10
–100.20
–88.20
–79.00
–67.00
–57.80
–45.80
–36.60
–27.20
45.00
57.20
69.20
78.40
90.60
99.80
112.00
121.10
131.20
131.20
123.80
111.90
102.40
74.40
61.20
47.90
34.70
21.70
Y
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
–8.50
–245.30
–258.20
–258.20
–258.20
–258.20
–258.20
–258.20
–258.20
–258.20
–258.20
–258.20
–258.20
–258.20
–258.20
–258.20
–258.20
–258.20
–258.20
–245.30
–8.50
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
垫中心（毫米）
X
Y
0.00
0.00
–0.27
0.00
–0.61
0.00
–0.94
0.00
–1.28
0.00
–1.75
0.00
–2.14
0.00
–2.84
0.00
–3.03
–0.22
–3.03
–6.23
–2.77
–6.56
–2.55
–6.56
–2.24
–6.56
–2.01
–6.56
–1.70
–6.56
–1.47
–6.56
–1.16
–6.56
–0.93
–6.56
–0.69
–6.56
1.14
–6.56
1.45
–6.56
1.76
–6.56
1.99
–6.56
2.30
–6.56
2.53
–6.56
2.84
–6.56
3.08
–6.56
3.33
–6.23
3.33
–0.22
3.14
0.00
2.84
0.00
2.60
0.00
1.89
0.00
1.55
0.00
1.22
0.00
0.88
0.00
0.55
0.00
注意：
上面的坐标是相对于垫1的中心，并且可以被用来操作引线接合设备。
4
Am29F016B已知合格芯片
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订购信息
标准产品
AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。订单号（有效组合）
通过下面的组合形成：
Am29F016B
-120
DP
C
1
裸片修订
这个数字是指在特定的AMD制造
工艺和产品技术体现在这
文档。它被输入的AMD的修订字段
标准产品命名。
温度范围
C
I
=
=
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
工业级（-40° C至+ 85°C ）
包装类型和
最小起订量
DP =
DG =
DT =
DW =
华夫格包
每5托盘堆叠100模
Gel-Pak的
托盘模具
每6托盘堆叠裸片294
Surftape （卷带式）
1600元7寸盘
Gel-Pak的
晶片托盘（上框锯片）
呼叫AMD销售办事处最小订单
QUANTITY
速度选项
见有效组合
设备号/说明
Am29F016B已知合格芯片
16兆位（2M ×8位） CMOS闪存裸片修订版1
5.0伏只读取，编程和擦除
有效组合
DPC 1 ， DPI 1 ，
DGC 1 ， DGI 1 ，
DTC 1 ， DTI 1 ，
DWC 1 ， DWI 1
Am29F016B-120
有效组合
有效组合列表CON连接gurations计划是支持
移植数量为这个设备。请咨询当地的AMD销售
网络连接CE的精读的特定网络有效组合连接RM可用性和
以检查新发布的组合。
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Am29F016B已知合格芯片
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QQ：2881677436 复制
