Am29F010B KGD
数据表
2003年7月
下列文件规定，现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范，这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果，并且将记录在
文档修订概要，其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现，
和变化，都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
23479
调整
A
修订
0
发行日期
2003年10月23日
补充
Am29F010B已知合格芯片
1兆位（ 128千×8位）
CMOS 5.0伏只，统一部门闪存裸片修订版1
特色鲜明
■
单电源工作
- 5.0 V± 10 ％，持续读取，擦除和编程操作
- 简化系统级电源要求
■
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容Am29F010和Am29F010A
设备
■
高性能
- 最大90或120 ns访问时间
■
低功耗
- 19 mA典型有效的读电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- ＆ LT ; 1 μA典型待机电流
■
灵活的部门架构
- 八个部门统一
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
■
扇区保护
- 基于硬件的功能，禁用/重新启用
计划和执行擦除操作
行业组合
- 部门保护/解除保护可
使用标准的PROM实现
编程设备
■
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
预先计划和擦除芯片或任何
指定的部门组合
- 嵌入式程序算法自动
在指定地址的程序和数据验证
■
擦除挂起/恢复
- 从一个部门不支持读取数据
被擦除
■
最低百万编程/擦除周期
保证
■
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
■
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
■
数据＃查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除周期结束
■
经测试数据表规格的
温度
■
质量和可靠性水平相当于
标准封装组件
出版＃
23479
启：
A
Amendment/0
发行日期：
2003年10月23日
的SuI P P L E M E N牛逼
概述
该Am29F010B在已知合格芯片（ KGD ）的形式是
1兆位， 5.0伏，只有闪存。 AMD KGD的定义
作为标准产品裸片形式，测试功能
和速度。 AMD KGD产品具有相同的可靠性
能力素质作为AMD的产品包装形式。
该Am29F010B是1兆位， 5.0伏，仅限于Flash
内存组织为131,072字节。该Am29F010B
32引脚PDIP ， PLCC和TSOP封装提供。
字节级的数据出现在DQ0 - DQ7 。 DE-的
副被设计成在系统编程用
标准体系5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不
需要编程或擦除操作。该设备可以
也可以通过编程或擦除标准EPROM
程序员。
该器件采用AMD的0.32微米制造亲
塞斯技术，并提供所有的功能和优点
在Am29F010和Am29F010A的。
该标准的设备提供的45 ， 55 ， 70的访问时间，
90和120纳秒，从而允许高速微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ），写
使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将调用
嵌入式亲
克
算法的一个内部算法，该算法
自动时间程序的脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将调用
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过阅读DQ7 （数据＃
轮询）和DQ6 （切换）
状态位。
一个程序后，
或擦除周期已经完成，该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该设备被擦除
出厂的时候。
该
硬件数据保护
措施包括：
低V
CC
探测器会自动禁止写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门保护
化
功能禁用这两个编程和擦除操作
中的存储器中的扇区的任意组合，并且是im-
执行完成使用标准EPROM编程器。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
highestl前夕lsofquality ，可靠性， andcost
有效性。该装置电擦除所有位
通过福勒- Nordheim隧同时一个部门
隧道。该字节编程一个字节
用热的EPROM编程机制的时间
电子注入。
电气规格
请参考Am29F010B数据表，出版
号码22336 ，为全电气特性
Am29F010B在KGD形式。
2
Am29F010B已知合格芯片
的SuI P P L E M E N牛逼
产品选择指南
系列型号
速度选项（V
CC
= 5.0 V
±
10%)
最大访问时间，t
加
（纳秒）
最大CE＃访问，T
CE
（纳秒）
最大OE ＃访问，T
OE
（纳秒）
-90
90
90
35
Am29F010B KGD
-120
120
120
50
DIE PHOTOGRAPH
DIE焊盘位置
7
6
5
4
3
2
1
30
29
28
27
26
8
25
AMD标识的位置
9
24
10
23
11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Am29F010B已知合格芯片
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