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Am29F010B
数据表
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
Am29F010B_00
调整
C
修订
7
发行日期
2006年10月31日
这页有意留为空白。
数据表
Am29F010B
1兆位( 128千×8位)
CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体
特色鲜明
单电源工作
- 5.0 V± 10 %,持续读取,擦除和编程操作
- 简化系统级电源要求
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容Am29F010和Am29F010A
设备
高性能
- 最大45 ns访问时间
低功耗
- 19 mA典型有效的读电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- & LT ; 1 μA典型待机电流
灵活的部门架构
- 八16字节扇区
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
扇区保护
- 基于硬件的功能,禁用/重
使程序在任何擦除操作
行业组合
- 部门保护/解除保护可
使用标准的PROM实现
编程设备
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
预先计划和擦除芯片或任何
指定的部门组合
- 嵌入式程序算法自动
在指定地址的程序和数据验证
擦除挂起/恢复
- 从一个部门不支持读取数据
被擦除
按最低保证百万次擦写
扇形
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
封装选项
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
- 32引脚PDIP
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
Am29F010B_00
修改:
C
修订:
7
发行日期:
2006年10月31日
D A T A
中文ê (E T)
概述
该Am29F010B是1兆位, 5.0伏,仅限于Flash
内存组织为131,072字节。该Am29F010B
32引脚PDIP , PLCC和TSOP封装提供。
字节级的数据出现在DQ0 - DQ7 。 DE-的
副被设计成在系统编程用
标准体系5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
需要编程或擦除操作。该设备可以
也可以通过编程或擦除标准EPROM
程序员。
该器件采用AMD的0.32微米制造亲
塞斯技术,并提供所有的功能和优点
在Am29F010和Am29F010A的。
该标准的设备提供的45 , 55 , 70的访问时间,
90和120纳秒,从而允许高速微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将调用
嵌入式亲
算法的一个内部算法,该算法
自动时间程序的脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将调用
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过阅读DQ7 (数据#
轮询)和DQ6 (切换)
状态位。
一个程序后,
或擦除周期已经完成,该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该设备被擦除
出厂的时候。
硬件数据保护
措施包括:
低V
CC
探测器会自动禁止写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门保护
功能禁用这两个编程和擦除操作
中的存储器中的扇区的任意组合,并且是im-
执行完成使用标准EPROM编程器。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
highestl前夕lsofquality ,可靠性, andcost
有效性。该装置电擦除所有位
通过福勒- Nordheim隧同时一个部门
隧道。该字节编程一个字节
用热的EPROM编程机制的时间
电子注入。
2
Am29F010B
Am29F010B_00_C7 2006年10月31日
D A T A
中文ê (E T)
目录
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
标准产品................................................ .................... 6
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
表1. Am29F010B设备总线操作................................. 7
阅读切换位DQ6 .............................................. ........... 15
图4.切换位算法............................................ ............ 15
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 15
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 16
表5.写操作状态............................................ ......... 16
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
图5.最大负过冲波形...................... 17
图6.最大正过冲波形........................ 17
对于读阵列数据要求..................................... 7
写命令/命令序列.............................. 7
编程和擦除操作状态...................................... 8
待机模式................................................ .......................... 8
输出禁止模式............................................... ................. 8
表2. Am29F010B扇区地址表................................. 8
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
图7.测试设置............................................. .......................... 20
表6.测试规范............................................. .............. 20
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
图8.读操作时序............................................ ... 21
自选模式................................................ ....................... 8
表3. Am29F010B自选代码(高压法) ...... 9
擦除和编程操作.............................................. 22
图9.程序操作时序............................................ 23
图10.芯片/扇区擦除操作时序.......................... 23
图11.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。 24
图12.触发位计时(在嵌入式算法) ...... 24
扇区保护/ unprotection的.............................................. 9 ...
硬件数据保护............................................... ......... 9
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
读阵列数据............................................... ................. 10
复位命令................................................ ..................... 10
自选命令序列............................................ 10
字节编程命令序列....................................... 10
图1.程序运行............................................. ............. 11
擦除和编程操作.............................................. 25
图13.备用CE #控制的写操作时序...... 26
芯片擦除命令序列........................................... 11
扇区擦除命令序列........................................ 11
擦除暂停/删除恢复命令........................... 12
图2.擦除操作............................................. .................. 12
表4. Am29F010B命令定义................................... 13
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 14
图3.数据#投票算法........................................... ........ 14
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 26
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
PLCC和PDIP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
PD 032-32引脚塑料DIP .......................................... ......... 28
PL 032-32引脚塑料有引线芯片载体......................... 29
TS 032-32针标准薄型小尺寸封装......... 30
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 14
2006年10月31日Am29F010B_00_C7
Am29F010B
3
最终科幻
Am29F010
1兆位( 128千×8位)
CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体
特色鲜明
s
单电源工作
— 5.0 V
±
读取,擦除和程序10 %
操作
- 简化系统级电源要求
s
高性能
- 最大45 ns访问时间
s
低功耗
- 30毫安最大读操作工作电流
- 最大50 mA编程/擦除电流
- <25
A
典型待机电流
s
灵活的部门架构
- 八个部门统一
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
s
扇区保护
- 基于硬件的功能,禁用/重
使程序在任何擦除操作
行业组合
- 部门保护/解除保护可
使用标准的PROM实现
编程设备
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
预先计划和擦除芯片或任何
指定的部门组合
- 嵌入式程序算法自动
在指定地址的程序和数据验证
s
最低100,000编程/擦除周期
保证
s
封装选项
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
- 32引脚PDIP
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
出版#
16736
启:
G
Amendment/+2
发行日期:
1998年3月
概述
该Am29F010是1兆位, 5.0伏,只有闪存
组织为131,072字节。该Am29F010提供
32引脚PLCC , TSOP和PDIP封装。在字节级
广泛的数据出现在DQ0 - DQ7 。该装置是DE-
签被编程在系统的标准
系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不重新
需要准备编程或擦除操作。该设备可以
也可以通过编程或擦除标准EPROM
程序员。
该标准的设备提供的45 , 55 , 70的访问时间,
90和120纳秒,从而允许高速微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线CON-
张力装置有独立的芯片使能( CE # ) ,
写使能( WE# )和输出使能( OE )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机,它控制
擦除和编程电路。写周期也
内部锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。读出数据的
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将调用
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将调用
嵌入式擦除
算法的内部算法,自动预
方案的阵列(如果它尚未被编程) BE-
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过阅读DQ7 (数据#
轮询)和DQ6 (切换)
状态位。
一个程序后,
或擦除周期已经完成,该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该设备被擦除
出厂的时候。
硬件数据保护
措施包括:
低V
CC
探测器会自动禁止写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门的亲
tection
功能禁用这两个方案,并擦除操作
在内存领域的任何组合ations ,
并使用标准的EPROM编程器来实现
聚体。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
解释第1条圣乐已经lsofquali TY ,重新牌照上诉委员会IL我TY , andcost
有效性。该装置电擦除所有位
通过福勒- Nordheim隧同时一个部门
隧道。该字节编程一个字节
用的EPROM编程机制的时间
热电子注入。
2
Am29F010
产品选择指南
系列型号
速度选项
V
CC
= 5.0 V
±
5%
V
CC
= 5.0 V
±
10%
45
45
25
-45
-55 (P)
-55 (J , E, F)
55
55
30
-70
70
70
30
-90
90
90
35
-120
120
120
50
Am29F010
最大访问时间(纳秒)
CE#访问( NS )
OE #访问( NS )
注意:
见全规格的交流特性部分。
框图
DQ0
DQ7
V
CC
V
SS
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
WE#
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A16
16736G-1
Am29F010
3
连接图
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
VCC
WE#
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
16736G-2
16736G-3
4 3
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2
1 32 31 30
29
28
27
26
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
PDIP
25
24
23
22
21
20
19
18
17
PLCC
WE#
NC
25
24
23
22
21
DQ5
DQ6
A16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
14 15 16 17 18 19 20
V
SS
DQ3
DQ1
DQ2
DQ4
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE#
V
CC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
标准TSOP
V
CC
A12
A15
NC
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A
3
16736G-4
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
反向TSOP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE#
V
CC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
16736G-5
4
Am29F010
引脚配置
A0–A16
= 17地址
DQ0 - DQ7 = 8的数据输入/输出
逻辑符号
17
CE#
OE #
WE#
V
CC
=芯片使能
=输出使能
=写使能
= 5.0伏单电源
(见产品选择指南速度
选项和电源电压公差)
=设备接地
=引脚内部没有连接
A0–A16
DQ0–DQ7
CE#
OE #
WE#
8
V
SS
NC
16736G-6
Am29F010
5
最终科幻
Am29F010
1兆位( 128千×8位)
CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体
特色鲜明
s
单电源工作
— 5.0 V
±
读取,擦除和程序10 %
操作
- 简化系统级电源要求
s
高性能
- 最大45 ns访问时间
s
低功耗
- 30毫安最大读操作工作电流
- 最大50 mA编程/擦除电流
- <25
A
典型待机电流
s
灵活的部门架构
- 八个部门统一
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
s
扇区保护
- 基于硬件的功能,禁用/重
使程序在任何擦除操作
行业组合
- 部门保护/解除保护可
使用标准的PROM实现
编程设备
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
预先计划和擦除芯片或任何
指定的部门组合
- 嵌入式程序算法自动
在指定地址的程序和数据验证
s
最低100,000编程/擦除周期
保证
s
封装选项
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
- 32引脚PDIP
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
出版#
16736
启:
G
Amendment/+2
发行日期:
1998年3月
概述
该Am29F010是1兆位, 5.0伏,只有闪存
组织为131,072字节。该Am29F010提供
32引脚PLCC , TSOP和PDIP封装。在字节级
广泛的数据出现在DQ0 - DQ7 。该装置是DE-
签被编程在系统的标准
系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不重新
需要准备编程或擦除操作。该设备可以
也可以通过编程或擦除标准EPROM
程序员。
该标准的设备提供的45 , 55 , 70的访问时间,
90和120纳秒,从而允许高速微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线CON-
张力装置有独立的芯片使能( CE # ) ,
写使能( WE# )和输出使能( OE )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机,它控制
擦除和编程电路。写周期也
内部锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。读出数据的
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将调用
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将调用
嵌入式擦除
算法的内部算法,自动预
方案的阵列(如果它尚未被编程) BE-
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过阅读DQ7 (数据#
轮询)和DQ6 (切换)
状态位。
一个程序后,
或擦除周期已经完成,该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该设备被擦除
出厂的时候。
硬件数据保护
措施包括:
低V
CC
探测器会自动禁止写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门的亲
tection
功能禁用这两个方案,并擦除操作
在内存领域的任何组合ations ,
并使用标准的EPROM编程器来实现
聚体。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
解释第1条圣乐已经lsofquali TY ,重新牌照上诉委员会IL我TY , andcost
有效性。该装置电擦除所有位
通过福勒- Nordheim隧同时一个部门
隧道。该字节编程一个字节
用的EPROM编程机制的时间
热电子注入。
2
Am29F010
产品选择指南
系列型号
速度选项
V
CC
= 5.0 V
±
5%
V
CC
= 5.0 V
±
10%
45
45
25
-45
-55 (P)
-55 (J , E, F)
55
55
30
-70
70
70
30
-90
90
90
35
-120
120
120
50
Am29F010
最大访问时间(纳秒)
CE#访问( NS )
OE #访问( NS )
注意:
见全规格的交流特性部分。
框图
DQ0
DQ7
V
CC
V
SS
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
WE#
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A16
16736G-1
Am29F010
3
连接图
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
VCC
WE#
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
16736G-2
16736G-3
4 3
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2
1 32 31 30
29
28
27
26
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
PDIP
25
24
23
22
21
20
19
18
17
PLCC
WE#
NC
25
24
23
22
21
DQ5
DQ6
A16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
14 15 16 17 18 19 20
V
SS
DQ3
DQ1
DQ2
DQ4
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE#
V
CC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
标准TSOP
V
CC
A12
A15
NC
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A
3
16736G-4
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
反向TSOP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE#
V
CC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
16736G-5
4
Am29F010
引脚配置
A0–A16
= 17地址
DQ0 - DQ7 = 8的数据输入/输出
逻辑符号
17
CE#
OE #
WE#
V
CC
=芯片使能
=输出使能
=写使能
= 5.0伏单电源
(见产品选择指南速度
选项和电源电压公差)
=设备接地
=引脚内部没有连接
A0–A16
DQ0–DQ7
CE#
OE #
WE#
8
V
SS
NC
16736G-6
Am29F010
5
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