概述
该Am29F010是1兆位， 5.0伏，只有闪存
组织为131,072字节。该Am29F010提供
32引脚PLCC ， TSOP和PDIP封装。在字节级
广泛的数据出现在DQ0 - DQ7 。该装置是DE-
签被编程在系统的标准
系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不重新
需要准备编程或擦除操作。该设备可以
也可以通过编程或擦除标准EPROM
程序员。
该标准的设备提供的45 ， 55 ， 70的访问时间，
90和120纳秒，从而允许高速微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线CON-
张力装置有独立的芯片使能（ CE ＃ ） ，
写使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机，它控制
擦除和编程电路。写周期也
内部锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。读出数据的
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将调用
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将调用
嵌入式擦除
算法的内部算法，自动预
方案的阵列（如果它尚未被编程） BE-
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过阅读DQ7 （数据＃
轮询）和DQ6 （切换）
状态位。
一个程序后，
或擦除周期已经完成，该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该设备被擦除
出厂的时候。
该
硬件数据保护
措施包括：
低V
CC
探测器会自动禁止写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门的亲
tection
功能禁用这两个方案，并擦除操作
在内存领域的任何组合ations ，
并使用标准的EPROM编程器来实现
聚体。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
解释第1条圣乐已经lsofquali TY ，重新牌照上诉委员会IL我TY ， andcost
有效性。该装置电擦除所有位
通过福勒- Nordheim隧同时一个部门
隧道。该字节编程一个字节
用的EPROM编程机制的时间
热电子注入。
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Am29F010
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