初步
Am29F002/Am29F002N
2兆位（ 256千×8位）
CMOS 5.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 5.0伏只用于读操作，擦除和
方案业务
- 最小化的系统级要求
s
高性能
- 存取时间快55纳秒
s
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 1微安的待机模式下的电流
- 20毫安读出电流
- 30毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
3个64字节扇区
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
部门可以通过编程来锁定
设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
每次最少100,000次写周期保证
扇形
s
封装选项
- 32引脚PDIP
- 32引脚TSOP
- 32引脚PLCC
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据＃查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，
或程序数据，一个扇区是不是
擦除，然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据（不Am29F002N提供）
出版＃
20818
启：
C
Amendment/+2
发行日期：
1998年3月
初步
概述
该Am29F002家庭由2兆， 5.0伏，只
闪存设备组织为262144字节。
该Am29F002提供了RESET ＃功能，
Am29F002N没有。这些数据显示在DQ7-
DQ0 。该器件采用32引脚PLCC ， 32引脚
TSOP和32引脚PDIP封装。该装置是
设计了要被编程在系统的
标准体系5.0伏V
CC
供应量。无V
PP
is
在用于写或擦除操作。该设备可以
同时在标准EPROM编程编程
聚体。
该标准的设备提供的55 ，70， 90的访问时间，
和120纳秒，使高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线争
该设备有独立的芯片使能（ CE ＃ ），写
使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过阅读DQ7 （数据＃
轮询）和DQ6 （切换）
状态位。
一个程序后，
或擦除周期已经完成，该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
（此功能不可用的Am29F002N 。 ）
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功率消耗在这大大降低了
模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时，通过一个部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程
注入。
2
Am29F002/Am29F002N
初步
Am29F002/Am29F002N
2兆位（ 256千×8位）
CMOS 5.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 5.0伏只用于读操作，擦除和
方案业务
- 最小化的系统级要求
s
高性能
- 存取时间快55纳秒
s
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 1微安的待机模式下的电流
- 20毫安读出电流
- 30毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
3个64字节扇区
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
部门可以通过编程来锁定
设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
每次最少100,000次写周期保证
扇形
s
封装选项
- 32引脚PDIP
- 32引脚TSOP
- 32引脚PLCC
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据＃查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，
或程序数据，一个扇区是不是
擦除，然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据（不Am29F002N提供）
出版＃
20818
启：
C
Amendment/+2
发行日期：
1998年3月
初步
概述
该Am29F002家庭由2兆， 5.0伏，只
闪存设备组织为262144字节。
该Am29F002提供了RESET ＃功能，
Am29F002N没有。这些数据显示在DQ7-
DQ0 。该器件采用32引脚PLCC ， 32引脚
TSOP和32引脚PDIP封装。该装置是
设计了要被编程在系统的
标准体系5.0伏V
CC
供应量。无V
PP
is
在用于写或擦除操作。该设备可以
同时在标准EPROM编程编程
聚体。
该标准的设备提供的55 ，70， 90的访问时间，
和120纳秒，使高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线争
该设备有独立的芯片使能（ CE ＃ ），写
使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过阅读DQ7 （数据＃
轮询）和DQ6 （切换）
状态位。
一个程序后，
或擦除周期已经完成，该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
（此功能不可用的Am29F002N 。 ）
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功率消耗在这大大降低了
模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时，通过一个部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程
注入。
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