Am29DS32xG

数据表

-XO \\ ????

7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG

0LFUR设备SNMP DQG ） XMLWVX ？ $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ？

LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ？ WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG

） XMLWVX ？

规格连续性

7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ？ $ Q \\

FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH

GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ？ ZKHUH VXSSRUWHG ？ ） XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ？

DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ？

订购零件编号的连续性

0美元“ DQG ） XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P' DQG 0 ％ 0' ？ 7R RUGHU

WKHVH SURGXFWV ？ SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ？

欲了解更多信息

3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ） XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ

PHPRU \\ VROXWLRQV ？

公开号

26493

调整

A

修订

+0

发行日期

2002年5月15日

超前信息

Am29DS32xG

32兆位（ 4米×8位/ 2的M× 16位）

CMOS 1.8伏只，同时操作闪存

特色鲜明

架构优势

■

同时读/写操作

- 数据可以不断地从一家银行，而读

执行擦除/编程功能的其他银行

读取和写入操作之间的零延迟

■

多个银行的体系结构

- 可提供不同大小的银行三大设备

（参见表3 ）

■

256字节SecSi （安全硅）行业

—

工厂锁定和识别：

适用于16字节

安全的，随机的工厂电子序列号;

通过自动选择可验证的工厂被锁定

功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门

可用于工厂数据保护

—

客户可锁定：

一次性可编程的。一旦

锁定时，数据不能被改变。

■

零功耗工作

- 先进的电源管理电路减少

在非活动期间到近功率消耗

零

■

封装选项

- 48球FBGA

- 48引脚TSOP

■

顶部或底部启动块

■

在0.17微米制程技术制造的

■

兼容JEDEC标准

- 引脚和软件兼容

单电源闪存标准

性能特点

■

高性能

- 存取时间快60纳秒

- 计划时间： 4微秒/字典型的利用加速

功能

■

超低功耗（典型值）

- 1 mA的1 MHz有源读取电流

- 5毫安在5 MHz有源读取电流

- 200 nA的待机或自动睡眠模式

■

每个扇区保证至少1百万次写周期

■

20年的数据保存在125°C

- 可靠运行的系统的寿命

软件特点

■

数据管理软件（ DMS ）

- AMD公司提供的软件管理数据编程，

使EEPROM仿真

- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性

■

支持通用闪存接口（ CFI ）

■

擦除暂停/删除恢复

- 挂起擦除操作，使编程

同一家银行

■

数据＃查询和翻转位

- 提供了检测的状态的软件的方法

编程或擦除周期

■

解锁绕道程序命令

- 发行时降低了总体规划的时间

多个程序的命令序列

硬件特性

■

任何部门的结合可以被删除

■

就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）

硬件方法检测编程或擦除

周期结束

■

硬件复位引脚（ RESET ＃ ）

硬件复位内部状态的方法

机读方式

■

WP ＃ / ACC输入引脚

- 写保护（ WP ＃ ）功能可保护2

最外层的引导扇区，无论部门保护

状态

- 加速度（ ACC ）功能，加速项目

定时

■

扇区保护

硬件锁定的扇区的方法，无论是

在系统或使用编程设备，以

防止任何程序或内擦除操作

扇形

- 临时机构撤消允许更改数据

在系统保护部门

本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息

旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作

产品，恕不另行通知。

出版＃

26493

启：

A

发行日期：

2002年5月15日

请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

概述

该Am29DS32xG系列包括32兆， 1.8

伏只FLAS HX所指的内存dev的冰，或ganiz编为

每16位或4,194,304字节2,097,152字

每个8位。字模式数据显示在DQ15 - DQ0 ;

字节模式数据显示在DQ7 - DQ0 。该装置是

设计是在系统编程与标

准1.8伏V

CC

供应，并且也可以编程

在标准EPROM编程器。

该器件具有60的访问时间，

70 ， 90 ，或120纳秒。 （在标一个80纳秒的速度选项

准电压范围内也可以。联系AMD或

AMD的代表，了解更多信息。 ） DE-的

恶习均提供48引脚TSOP和48球FBGA

包。标准控制引脚芯片使能（ CE ＃ ） ，

写使能（WE ＃ ） ，并且输出使能（OE ＃）， - 控制

正常的读写操作，并避免总线CON-

张力问题。

该设备只需要一

单1.8伏电源

供应

用于读取和写入功能。国内

产生并提供了用于调节电压

编程和擦除操作。

ESN （电子序列号） ，客户代码（亲

编程通过AMD的ExpressFlash服务） ，或

两者。

DMS （数据管理软件）

允许系统

轻松利用先进的架构优势

的同时读通过允许/写产品线

清除EEPROM器件。 DMS也将使

系统软件被简化，因为其将执行所有

需要修改在文件结构中的数据的功能，

相对于单字节的修改。写或

更新一个特定数据段（一个电话号码或

的配置数据，例如）时，用户只需要

到状态这一段数据要被更新，并

其中，在更新的数据是存放在系统中。这

ISANA DV的踏歌 OM PA红到SYS TE毫秒WH ERE

用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪

位置，状态，逻辑到物理转换

数据到闪存装置（或存储器DE-

虎钳） ，等等。使用DMS ，用户编写的软件

并不需要与闪存接口二

正确。取而代之的是，用户的软件访问闪存

内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲

提供了此类软件，以简化系统设计和软件

洁具一体化的努力。

该器件提供了与完整的兼容性

JEDEC单电源闪存命令集

标准。

命令被写入命令

注册使用标准的微处理器写时序。

读出的数据的设备类似于阅读

其他Flash或EPROM器件。

主机系统可以检测是否一个程序或

擦除操作完成，通过使用该设备

台站

状态位：

RY / BY ＃引脚， DQ7 （数据＃投票）和

DQ6 / DQ2 （触发位） 。编程或擦除周期后，

已经完成时，该装置自动返回

为读模式。

该

扇区擦除架构

允许内存节

器进行擦除和重新编程，而不影响

其他部门的数据内容。该装置是完全

从工厂发货时被擦除。

硬件数据保护

措施包括一个低

V

CC

探测器可以自动抑制写操作

在电源转换系统蒸发散。该

硬件部门

保护

功能禁用这两个编程和擦除

在内存的部门的任何组合操作

ORY 。这可以在系统或通过编程来实现

明装。

该器件提供两种省电功能。当

地址已经稳定一段指定的量

时，器件进入

自动休眠模式。

该系统还可以将设备插入

待机模式。

功率消耗是很大的重

duced在这两种模式。

同时读/写操作与

零延迟

同时读/写架构提供

同时操作

通过将所述存储器

空间分成两个组。该装置可以整体提高

通过允许主机系统向亲系统性能

克，或立刻键和Si-擦除一家银行，然后

从其他银行multaneously读，零

潜伏期。这从等待释放系统

编程或擦除操作完成。

该Am29DS32xG器件系列采用多个银行

架构提供灵活性，为不同的应用

系统蒸发散。三个器件都具有以下

银行尺寸：

设备

DS322

DS323

DS324

银行1

4

8

16

2银行

28

24

16

Am29DS32xG特点

该

SecSi

TM

（安全硅）行业

是一个额外的扇区

能够被永久锁定， AMD或客

tomers 。该

SecSi标志位

（ DQ7 ）是perma-

nently设置为1，如果该部件是

工厂锁定，

和SET

到0，如果

客户可锁定。

这样一来，顾客锁相

能部件不能被用来代替一个工厂

锁定的一部分。

当前版本的设备有256个

字节，这不同于本先前版本

装置。

工厂锁定部分提供了几个选项。该

SecSi扇区可存储一个安全的，随机的16字节

2

Am29DS32xG

2002年5月15日

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

目录

产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

特殊处理的说明FBGA封装.......................... 6

引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

表1.设备总线操作............................................ ............... 10

解锁绕道命令序列........................................... 27

图3.程序操作............................................. ................... 27

芯片擦除命令序列.............................................. ... 27

扇区擦除命令序列.............................................. 28

擦除暂停/删除恢复命令................................ 28

图4.擦除操作............................................. ....................... 29

表14.命令定义............................................. .............. 30

写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31

DQ7 ：数据＃投票............................................. ......................... 31

图5.数据＃轮询算法........................................... .............. 31

字/字节配置.............................................. ................ 10

对于读阵列数据要求......................................... 10

写命令/命令序列.................................. 11

加快程序运行............................................... .... 11

自选功能................................................ .................... 11

同时读/写操作

零延迟............................................... .......................... 11

待机模式................................................ .............................. 11

自动休眠模式............................................... .................. 11

RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ......... 12

输出禁止模式............................................... .................... 12

表2.设备银行部门............................................ ................. 12

表3.顶部引导扇区地址........................................... ........ 13

表4.前引导SecSi

TM

扇区地址..................................... 14

表5.底部引导扇区地址........................................... .... 16

表6.底部引导SecSi

TM

扇区地址................................ 17

RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ........................ 32

DQ6 ：切换位I ............................................. ............................. 32

图6.切换位算法............................................ .................. 32

DQ2 ：触发位II ............................................. ............................ 33

阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ........ 33

DQ5 ：超过时序限制............................................. ......... 33

DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. ................ 33

表15.写操作状态............................................ ............. 34

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35

图7.最大负过冲波形............................. 35

图8.最大正过冲波形.............................. 35

直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36

图9.我

CC1

电流与时间（显示主动和

自动休眠电流） .............................................. ...................... 37

图10.典型I

CC1

与频率............................................... .... 37

自选模式................................................ .......................... 18

表7.自动选择码， （高压法） ............................. 18

测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38

图11.测试设置............................................. ............................. 38

图12.输入波形和测量水平........................ 38

部门/部门块保护和unprotection的........................ 19

表8.前引导扇区/扇区块地址

为保护/ unprotection的.............................................. ..................... 19

表9.底部引导扇区/扇区块地址

为保护/ unprotection的.............................................. ..................... 19

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39

图13.读操作时序............................................ .......... 39

图14.复位时序............................................. ......................... 40

字/字节配置（ BYTE ＃ ） .......................................... ..... 41

图15. BYTE ＃时序进行读操作.................................. 41

图16. BYTE ＃时序写操作.................................. 41

写保护（ WP ＃ ） ............................................ ......................... 20

临时机构撤消............................................... ......... 20

图1.临时机构撤消操作................................. 20

图2.在系统扇区保护/

部门unprotection的算法............................................... ............. 21

擦除和编程操作.............................................. ..... 42

图17.程序操作时序............................................ ....

图18.加速程序时序图................................

图19.芯片/扇区擦除操作时序.................................

图20.返回到后端的读/写周期时序.............................

图21.数据＃投票计时（在嵌入式算法） .......

图22.触发位计时（在嵌入式算法） ............

图23. DQ2与DQ6 ........................................... ............................

43

43

44

45

45

46

46

SecSi

TM

（安全硅）行业

闪存地区............................................... ................... 22

工厂锁定： SecSi部门编程并保护在

工厂................................................. ........................................ 22

客户可锁定： SecSi部门没有编写或受到保护

工厂................................................ ................................... 22

硬件数据保护............................................... ............. 22

低VCC写禁止.............................................. .................... 23

写脉冲“毛刺”保护............................................ ......... 23

逻辑禁止................................................ ............................... 23

上电写禁止............................................. .................... 23

临时机构撤消............................................... ......... 47

图24.临时机构撤消时序图..................... 47

图25.行业/部门块保护和撤消时序图48

备用CE ＃控制的擦除和编程操作........... 49

图26.备用CE ＃控制的写入（擦除/编程）

操作时序................................................ ................................ 50

通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 23

表10. CFI查询标识字符串........................................... ...

表11.系统接口字符串............................................ .............

表12.设备几何定义............................................ ......

表13.主要供应商特定的扩展查询............................

23

24

24

25

命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25

读阵列数据............................................... ....................... 25

复位命令................................................ .......................... 26

自选命令序列............................................... ... 26

进入SecSi

TM

行业/退出SecSi部门

命令序列................................................ ................... 26

字节/字编程命令序列................................... 26

擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 51

闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51

TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51

数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51

..................................................................................................... 51

物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52

FBD048细间距球栅阵列， 6× 12毫米......................... 52

TS 048 -薄型小尺寸封装.......................................... 53

修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 54

版本A（ 2002年5月15日） .......................................... ................. 54

2002年5月15日

Am29DS32xG

3

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

产品选择指南

产品型号

速度级别

标准电压范围： V

CC

= 1.8–2.2 V

70

70

70

30

Am29DS32xG

90

90

90

40

120

120

120

120

最大访问时间（纳秒）

CE＃访问（ NS ）

OE ＃访问（ NS ）

框图

OE ＃ BYTE ＃

V

CC

V

SS

y解码器

A20–A0

上银行地址

上银行

锁存器和控制逻辑

RY / BY ＃

A20–A0

RESET＃

WE＃

CE＃

BYTE ＃

WP ＃ / ACC

DQ15–DQ0

A20–A0

状态

控制

＆放大器;

命令

注册

X解码器

状态

DQ15–DQ0

控制

DQ15–DQ0

X解码器

较低的银行

A20–A0

较低的银行地址

OE ＃ BYTE ＃

4

Am29DS32xG

锁存器和

控制逻辑

y解码器

DQ15–DQ0

A20–A0

2002年5月15日